传感器封装结构、传感器封装结构制作方法和电子终端与流程

传感器封装结构、传感器封装结构制作方法和电子终端【技术领域】1.本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种传感器封装结构、传感器封装结构制作方法和电子终端。背景技术：2.现有技术中，传感器的应用领域广泛，例如mems(微电子机械，micro‑electro‑mechanical system)麦克风、mems超声换能器等声电传感器。声电传感器中存在声电转换芯片，由于声电转换芯片存在可动部件，通过可动部件的振动来转换声音信号与电信号。当声电传感器中存在空气时，会对可动部件的振动形成空气阻尼，空气阻尼成为影响声电传感器腔体噪声的关键因素。3.因此，有必要提供一种传感器封装结构解决上述问题。技术实现要素：4.本发明的目的在于提供一种传感器封装结构、传感器封装结构制作方法和电子终端，有利于提高传感器封装结构内的真空度，减少传感器封装结构内的空气阻尼，降低腔体噪声，从而提高传感器的性能。5.本发明的技术方案如下：一种传感器封装结构，包括封装盖板、固定于所述封装盖板的声电转换芯片、固定于所述声电转换芯片远离所述封装盖板一侧表面并与所述声电转换芯片电连接的处理芯片、吸气结构以及与吸气结构电连接的激活吸气结构的电连接件，所述处理芯片上设有开口朝向所述声电转换芯片的凹槽，所述吸气结构设置在所述凹槽内，所述处理芯片以及所述声电转换芯片连接形成第一腔，所述处理芯片上设有将所述第一腔与外界连通的第一通孔，所述电连接件至少部分收容于所述第一通孔内，所述封装盖板以及所述声电转换芯片连接形成第二腔，所述封装盖板设有与所述第二腔连通的第二通孔。6.可选的，传感器封装结构还包括第一连接结构，所述处理芯片包括环绕所述凹槽的第一周缘，所述声电转换芯片包括与所述第一周缘相对设置的第二周缘，所述第一连接结构分别与所述第一周缘、所述第二周缘连接，所述处理芯片、所述第一连接结构以及所述声电转换芯片共同围设形成所述第一腔。7.可选的，传感器封装结构还包括第二连接结构，所述声电转换芯片还包括第三周缘，所述声电转换芯片还包括第三周缘，所述第三周缘与所述第二周缘分别位于所述声电转换芯片的相对两侧，所述封装盖板包括环绕所述第二通孔的第四周缘，所述第二连接结构分别与所述第三周缘、所述第四周缘连接，所述封装盖板、所述第二连接结构以及所述声电转换芯片共同围设形成所述第二腔。8.可选的，所述声电转换芯片包括主体部以及侧壁，所述侧壁与所述主体部的周缘连接，所述主体部与所述第一连接结构连接，所述侧壁与所述第二连接结构连接。9.可选的，所述声电转换芯片包括主体部以及侧壁，所述侧壁与所述主体部的周缘连接，所述主体部与所述第二连接结构连接，所述侧壁与所述第一连接结构连接。10.可选的，所述第一连接结构包括第一焊盘、第二焊盘以及第一焊料，所述第一焊盘与所述处理芯片连接，所述第二焊盘与所述声电转换芯片连接，所述第一焊盘和所述第二焊盘通过所述第一焊料连接。11.可选的，所述第二连接结构包括第三焊盘、第四焊盘和第二焊料，所述第三焊盘与所述声电转换芯片连接，所述第四焊盘与所述封装盖板连接，所述第三焊盘与所述第四焊盘通过所述第二焊料连接。12.一种传感器封装结构制作方法，包括：13.提供一处理芯片，在所述处理芯片上形成凹槽以及第一通孔；14.提供一电连接件，所述电连接件设置在所述第一通孔内；15.提供一吸气结构，所述吸气结构设置在所述凹槽内，所述吸气结构与所述电连接件连接；16.提供一声电转换芯片，所述声电转换芯片与所述处理芯片具有凹槽的一侧连接，以使得所述声电转换芯片与所述处理芯片连接形成第一腔；17.提供一封装盖板，所述封装盖板设置在所述声电转换芯片远离所述处理芯片一侧的表面并与所述声电转换芯片电连接，以使得所述封装盖板以及所述声电转换芯片共连接形成第二腔，所述封装盖板设有与所述第二腔连通的第二通孔。18.可选的，所述处理芯片包括环绕所述凹槽的第一周缘，所述声电转换芯片包括与所述第一周缘相对设置的第二周缘，所述提供一声电转换芯片之后，还包括：19.提供第一连接结构；20.将所述第一连接结构分别与所述第一周缘、所述第二周缘连接，以使所述处理芯片、所述声电转换芯片、所述第一连接结构共同围设形成所述第一腔。21.可选的，所述声电转换芯片还包括第三周缘，所述第三周缘与所述第二周缘分别位于所述声电转换芯片的相对两侧，所述封装盖板包括环绕所述第二通孔的第四周缘，所述提供一封装盖板之后，还包括：22.提供第二连接结构；23.将所述第二连接结构分别与所述第三周缘、所述第四周缘连接，以使所述封装盖板、所述声电转换芯片、所述第二连接结构共同围设形成所述第二腔。24.一种电子终端，包括传感器封装结构，所述传感器封装结构为上述传感器封装结构。25.本发明的有益效果在于：本发明提供的传感器封装结构中，存在封装盖板、固定于所述封装盖板的声电转换芯片、固定于所述声电转换芯片远离所述封装盖板一侧表面并与所述声电转换芯片电连接的处理芯片、吸气结构以及与吸气结构电连接的激活吸气结构的电连接件。所述处理芯片设有第一通孔，所述激活吸气结构的电连接件设置在所述第一通孔内，所述处理芯片上设由开口朝向所述声电转换芯片的凹槽，所述吸气结构设置在所述凹槽内，所述处理芯片以及所述声电转换芯片连接形成第一腔，所述吸气结构用于吸收所述第一腔内的空气，所述封装盖板以及所述声电转换芯片连接成第二腔，所述封装盖板设有与所述第二腔连通的第二通孔。其中，吸气结构用于吸收第一腔内的空气，在第一腔内形成真空状态，使得第一腔内的分子间碰撞被减弱，声电转换芯片的可动部件振动时受到的空气阻力减小，第一腔内的空气阻尼和噪音得到降低，从而提高了包括信噪比在内的传感器的性能。【附图说明】26.图1为本发明提供的电子终端的结构示意图。27.图2为本发明提供的传感器封装结构的第一种结构示意图。28.图3为本发明提供的传感器封装结构的第二种结构示意图。29.图4为本发明提供的传感器封装结构制作方法的流程示意图。30.图5为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第一种形态示意图。31.图6为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第二种形态示意图。32.图7为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第三种形态示意图。33.图8为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第四种形态示意图。34.图9为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第五种形态示意图。35.图10为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第六种形态示意图。36.图11为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第七种形态示意图。37.图12为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第八种形态示意图。38.图13为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第九种形态示意图。39.图14为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第十种形态示意图。40.图15为本发明提供的传感器封装结构在制作过程中的第十一种形态示意图。【具体实施方式】41.下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。42.请参阅图1，图1为本发明提供的电子终端的结构示意图。43.电子终端100包括壳体4、电路板3、电池2和传感器封装结构1。44.其中，壳体4用于形成电子终端100的外部轮廓，以便于容纳电子终端100的电子器件、功能组件等，同时对电子终端100内部的电子器件和功能组件形成密封和保护作用。45.电路板3安装在壳体4的内部。电路板3可以作为电子终端100的主板。电路板3上设置有接地点，以实现电路板3的接地。电路板3上可以集成有马达、麦克风、扬声器、受话器、耳机接口、通用串行总线接口(usb接口)、摄像头、陀螺仪以及处理器等功能组件中的一个、两个或多个。46.电池2安装在壳体4的内部。电池2连接电路板3，以实现电池2为电子终端100供电。其中，电路板3上可以设置有电源管理电路，电源管理电路用于将电池2提供的电压分配到电子终端100中的各个电子器件。47.传感器封装结构1安装在壳体4的内部，传感器封装结构1感知外界声音或者气压，并将该外界声音或者气压转成电信号。48.请参阅图2，图2为本发明提供的传感器封装结构的第一种结构示意图。49.传感器封装结构1包括封装盖板10、固定于封装盖板10的声电转换芯片11、固定于声电转换芯片11远离封装盖板10一侧表面并与声电转换芯片11电连接的处理芯片12、吸气结构13以及与吸气结构13电连接的激活吸气结构13的电连接件14。50.处理芯片12设有将第一腔15与外界连通的第一通孔121，激活吸气结构13的电连接件14至少部分收容于第一通孔121内。在本实施例中，处理芯片12上设有开口朝向声电转换芯片11的凹槽122，吸气结构13设置在凹槽122内。处理芯片12以及声电转换芯片11连接形成第一腔15，吸气结构13用于吸收第一腔15内的空气。封装盖板10以及声电转换芯片11连接成第二腔16，封装盖板10设有与第二腔16连通的第二通孔101。51.其中，固定于所述封装盖板10的处理芯片12可以为专用集成电路(asic，application specificintegrated circuit)，或者为集成电路(ic，integrated circuit)。可以理解的，专用集成电路也可以称为专用集成芯片。声电转换芯片11可以为微电子机械芯片。可以理解的是，处理芯片12与声电转换芯片11电连接，声电转换芯片11将机械信号转换成电信号后，处理芯片12接受该电信号再作后续处理。52.传感器封装结构1还包括吸气结构13，吸气结构13可以是吸气剂薄膜，吸气装置等。例如吸气结构13为吸气剂薄膜时，该吸气剂薄膜通过物理沉积的工艺方式生长在处理芯片12上，该物理沉积方式可以为蒸镀、溅射。53.其中，若吸气结构13为吸气剂薄膜，该吸气剂薄膜的材料为金属，该金属的元素可以是属于元素周期表中ⅳb族和ⅴb族的元素，由单一金属元素组成的单质或者两种及以上金属元素组成的合金，例如钛、锆或者钛锆合金。54.传感器封装结构1还包括激活吸气结构13的电连接件14，电连接件14可以为电极。所述处理芯片12设有第一通孔121，电连接件14设置在所述第一通孔121内，电连接件14与吸气结构13电连接。55.其中，外部电路向每一电连接件14供电，电连接件14连接吸气结构13，电流流过吸气结构13时，电能转化成热能从而激活吸气结构13。可以理解的是，设置该电连接件14给吸气结构13供电，可以在需要吸收传感器封装结构1内部的空气时，通过电连接件14激活吸气结构13，使吸气结构13吸收空气。通过该外界电路进行设置，可以多次向电连接件14供电，可以理解的，通过该方式可以多次激活吸气结构13，保证传感器的真空环境和使用寿命。56.在一些实施例里，可以设置多个第一通孔121，多个电连接件14均连接吸气结构13，更加有效的激活吸气结构13。57.其中，在处理芯片12上还可以沉积第五焊盘19，每一第一通孔121设置一个电连接件14，电连接件14包括第一端和第二端，第一端与吸气结构13电连接，第二端与第五焊盘19连接，可以理解的是，第五焊盘19可以作为外接电路的接口。58.处理芯片12上形成凹槽122，凹槽122开口朝向所述声电转换芯片11，凹槽122与第一腔15形成一体，吸气结构13设置在凹槽122内。59.其中，形成凹槽122的方式可以为刻蚀，刻蚀是指通过化学或者物理的方法有目的性地从处理芯片12表面去除不需要的材料，刻蚀处理芯片12的目的主要是为了容纳吸气结构13。60.其中，凹槽122的横截面可以为直线、锯齿形和波浪形，用于增加吸气结构13的接触面积。由于吸气结构13的面积增大，提高了对第一腔15的吸气效果，可以延长传感器封装结构1的真空环境和使用寿命。61.封装盖板10上设有与第二腔16连通的第二通孔101，第二通孔101作为感知外界声音或者气压的通道。可以理解的是，外界声音或者气压通过第二通孔101进入，作用于声电转换芯片11上的传感器结构115，传感器结构115将外界声音或者气压并转换成电信号传递给处理芯片12。62.封装盖板10具有一定的厚度，可以通过调整封装盖板10的厚度和第二通孔101尺寸，最终达到调整传感器封装结构1的声学响应等性能。63.在本发明的描述中，需要理解的是，诸如“第一”、“第二”等术语仅用于区分类似的对象，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。64.本发明提供的传感器封装结构1中，存在封装盖板10、固定于封装盖板10的声电转换芯片11、固定于声电转换芯片11远离封装盖板10一侧表面并与声电转换芯片11电连接的处理芯片12、吸气结构13以及与吸气结构13电连接的电连接件14，处理芯片12设有第一通孔121，电连接件14设置在第一通孔121内，处理芯片12上设由开口朝向声电转换芯片11的凹槽122，吸气结构13设置在凹槽122内，处理芯片12以及声电转换芯片11连接形成第一腔15，吸气结构13用于吸收第一腔15内的空气，封装盖板10以及声电转换芯片11连接成第二腔16，封装盖板10设有与第二腔16连通的第二通孔101，吸气结构13用于吸收第一腔15内的空气，在第一腔15内形成真空状态，使得第一腔15内的分子间碰撞被减弱，声电转换芯片11的可动部件振动时受到的空气阻力减小，第一腔15内的空气阻尼和噪音得到降低，从而提高了包括信噪比在内的传感器的性能。65.请继续参阅图2，传感器封装结构1还包括第一连接结构17。第一连接结构17为导体结构，第一连接结构17可以包括第一子连接结构、第二子连接结构和第三子连接结构，处理芯片12包括环绕凹槽122的第一周缘123，第一子连接结构与第一周缘123连接，声电转换芯片11包括与第一周缘相对设置的第二周缘111，第二子连接结构与第二周缘111连接，第一子连接结构和第二子连接结构通过第三子连接结构连接。66.其中，第一子连接结构可以为第一焊盘171、第二子连接结构可以为第二焊盘172，第三子连接结构可以为第一焊料173。可以理解的，第一子连接结构、第二子连接结构、第三子连接结构还可以通过其他的结构或者材料来实现。67.其中，可以通过键合区域金属化方式在处理芯片12上沉积第一焊盘171。键合区域是指相互键合的原子之间存在电荷密度集中区。在这个电荷密度集中区，电子电荷的堆积使得电子同时受多个原子核的吸引而形成化学键，从而实现第一周缘123与第一焊盘171连接。68.可以理解的，第二子连接结构也可以通过上述键合区域金属化的方式沉积在声电转换芯片11上，声电转换芯片11包括第二周缘111，从而实现第二周缘111与第二子连接结构连接。69.第三子连接结构可以通过电镀等化学方式沉积在第一子连接结构或者第二子连接结构上，然后第一子连接结构与第二子连接结构对准连接，连接方式可以采用键合技术，键合技术是将表面清洁，原子级平整的两种材料经过表面清洗或者活化处理，通过原子力使材料合为一体的技术。例如，当第三子连接结构沉积在第一子连接结构上，第二子连接结构和第三子连接结构通过原子力使两者合为一体，又或者，当第三子连接结构沉积在第二子连接结构上，使第一子连接结构与第三子连接结构通过原子力使两者合为一体。70.传感器封装结构1还包括第二连接结构18，声电转换芯片11包括与第一周缘123相对设置的第三周缘112，第三周缘112与第二周缘111分别位于声电转换芯片11的相对两侧，封装盖板10包括第四周缘102，第二连接结构18与声电转换芯片11共同围设形成第二腔16。71.由于第二连接结构18为金属，可以理解的是，封装盖板10与声电转换芯片11可以通过第二连接结构18进行电连接。72.第二连接结构18包括第四子连接结构、第五子连接结构和第六子连接结构，第四子连接结构与声电转换芯片11连接，第五子连接结构与封装盖板10连接，第四子连接结构与第五子连接结构通过第六子连接结构连接。73.其中，第四子连接结构可以为第三焊盘181、第五子连接结构可以为第四焊盘182，第六子连接结构可以为第二焊料183。74.第四子连接结构和第五子连接结构可以通过键合区域金属化方式分别沉积在声电转换芯片11和封装盖板10上。第六子连接结构可以通过电镀等化学方式沉积在第四子连接结构或者第五子连接结构上。其中，第四子连接结构和第五子连接结构的形成方式与上述第二子连接结构的形成方式相同，第六子连接结构的形成方式与上述第三子连接结构的形成方式相同，在此不再赘述。75.声电转换芯片11包括主体部113和侧壁114，侧壁114与主体部113的周缘连接。其中主体部113和侧壁114连接形成第三腔，通过调整主体部113的厚度和第三腔的尺寸，也可以调整器件声学响应等性能。76.在一些实施例里，请继续参阅图2，主体部113与第一连接结构17连接，侧壁114与第二连接结构18连接。可以理解的是，主体部113、第一连接结构17与处理芯片12形成第一腔15，侧壁114、第二连接结构18与封装盖板10形成第二腔16。其中，声电转换芯片11上设置有传感器结构115，该传感器结构115位于第一腔15内。77.在一些实施例里，请参阅图3，图3为本发明提供的传感器封装结构的第二种结构示意图。78.主体部113与第二连接结构18连接，侧壁114与第一连接结构17连接。可以理解的是，侧壁114、第一连接结构17与处理芯片12形成第一腔15，主体部113、第二连接结构18与封装盖板10形成第二腔16。其中，声电转换芯片11上设置有传感器结构115，该传感器结构115位于第二腔16内。79.现有技术中，传统的传感器封装结构是用金属外壳和陶瓷外壳进行封装，封装工艺较为复杂，成本较高。其中，声电转换芯片和处理芯片贴在封装基板上，外壳与封装基板构成封装腔体，封装基板上存在通孔，作为感知外界声音或者气压的通道，其中声电转换芯片和处理芯片之间通过金属引线连接，处理芯片用封线胶水覆盖，用于抵抗外界环境温度、湿度、静电、发热和颗粒物等。80.本发明提供的传感器封装结构1中，通过激活吸气结构13的电连接件14给吸气结构13供电，从而激活吸气结构13，吸收第一腔15内气体，有效的提高了封装腔体内的真空度，减少封装腔体的阻尼。另外，本传感器封装结构1中的声电转换芯片11和处理芯片12由于叠放在一起，通过第一连接结构17、第二连接结构18连接，不必分别占用较多封装面积，因此大大减小了器件的封装体积，有利于电子终端的小型化。81.本申请实施例还提供一种传感器封装结构11制作方法。传感器封装结构制作方法用于生产传感器封装结构1。传感器封装结构1可以用于上述电子终端100。下述方法中，在合适条件下，可以适当调整顺序。82.请参阅图4，图4为本发明提供的传感器封装结构1制作方法的流程示意图。该传感器封装结构1制作方法包括如下步骤：83.s110，提供一处理芯片12，在处理芯片12上形成凹槽122和第一通孔121。84.其中，在传感器封装结构1的制作过程中，首先提供一处理芯片12，如图5所示的处理芯片12。85.处理芯片12是用来处理声电转换芯片11传输的电信号。可以理解的是，通过刻蚀方式在处理芯片12上形成凹槽122，该凹槽122的截面可以为直线、波浪形或者其他不规则形状。不规则的截面形状增大了凹槽122的表面积，增大的表面积可以容纳更多的吸气结构13，使得吸气结构13对第一腔15内的气体吸收更彻底，真空度更高，如图6所示的凹槽122。86.其中，形成至少第一通孔121的方式可以为tsv等工艺方式，tsv工艺为通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联。如图7所示的第一通孔121。87.s120、提供一电连接件14，电连接件设置在第一通孔121内。88.其中，提供至少一个电连接件14，每一电连接件14填充在上述一个第一通孔121中，可以理解的是，电连接件14可以直接与外接电路连接，外接电路向电连接件14供电，也可以连接一个第五焊盘19结构，外接电路通过第五焊盘19向电连接件14供电。如图8所示的电连接件14。89.其中，第五焊盘19可以通过沉积工艺在处理芯片12上形成。如图8所示的第五焊盘19。90.s130、提供一吸气结构13，吸气结构13设置在凹槽122内，吸气结构13与电连接件14连接。91.其中，在传感器封装结构1的制作过程中，再提供一吸气结构13，如图7所示的吸气结构13。92.其中，吸气结构13与电连接件14电连接。93.s140、提供一声电转换芯片11，声电转换芯片11与处理芯片12具有凹槽的一侧连接，以使得声电转换芯片11与处理芯片12共同围设形成第一腔15。94.其中，在传感器封装结构1的制作过程中，再提供一声电转换芯片11，如图8至图10所示的声电转换芯片11。95.s150、提供一封装盖板10，封装盖板10设置在声电转换芯片11远离处理芯片12一侧表面并与声电转换芯片11电连接，以使得封装盖板10以及声电转换芯片11共同围设成第二腔16，封装盖板10设有与第二腔16连通的第二通孔101。96.其中，在传感器封装结构1的制作过程中，再提供一封装盖板10，如图11至图13所示的封装盖板10。97.在一些实施例里，如图8至图10所示，步骤s140、提供一声电转换芯片11之后，还包括以下步骤：98.提供第一连接结构17，将第一连接结构17分别与第一周缘123、第二周缘111连接，以使处理芯片12、声电转换芯片11、第一连接结构17共同围设形成第一腔15。99.其中，处理芯片12包括环绕凹槽122的第一周缘123，声电转换芯片11包括第二周缘111，第二周缘111与第一周缘123相对设置，获取到处理芯片12和声电转换芯片11后，在第一周缘123形成第一连接结构，第一连接结构包括第一子连接结构、第二子连接结构和第三子连接结构，第一子连接结构可以为第一焊盘171、第二子连接结构可以为第二焊盘172，第三子连接结构可以为第一焊料173。100.其中，形成第一子连接结构和第二子连接结构的方式可以为通过键合区域金属化方式沉积第一子连接结构和第二子连接结构，从而形成第一周缘123与第一子连接结构连接，第二周缘111与第二子连接结构连接。101.其中，通过在第一子连接结构或第二子连接结构上通过电镀的方式沉积第三子连接结构。例如在第一子连接结构上通过电镀方式沉积第三子连接结构，接着第三子连接结构与第二子连接结构对准并键合，形成第一腔15，或者在第二子连接结构上通过电镀方式沉积第三子连接结构，接着第一子连接结构与第三子连接结构对准并键合，形成第一腔15。102.在一些实施例里，如图11至图13所示，步骤s150、提供一封装盖板10之后，还包括以下步骤：103.提供第二连接结构18，将第二连接结构18分别于第三周缘112、第四周缘102连接，以使封装盖板10、声电转换芯片11、第二连接结构18共同围设形成第二腔16。104.其中，声电转换芯片11包括与第二周缘111分别位于声电转换芯片11的相对两侧的第三周缘112，封装盖板10包括环绕第二通孔101的第四周缘102，在第三周缘112形成第二连接结构18，第二连接结构18包括第四子连接结构、第五子连接结构和第六子连接结构，第四子连接结构可以为第三焊盘181，第五子连接结构可以为第四焊盘182，第六子连接结构可以为第二焊料183。105.其中，形成第四子连接结构和第五子连接结构的方式可以为通过键合区域金属化方式沉积第四子连接结构和第五子连接结构，从而形成第三周缘112与第四子连接结构连接，第四周缘102与第五子连接结构连接。106.其中，通过在第四子连接结构或第五连接结构上通过电镀的方式沉积第六子连接结构，例如在第四子连接结构上通过电镀方式沉积第六子连接结构，接着第四子连接结构与第六子连接结构对准并键合，形成第一腔15，或者在第五子连接结构上通过电镀方式沉积第六子连接结构，接着第五子连接结构与第六子连接结构对准并键合，形成第二腔16。107.在一些实施例里，如图14所示。108.在制作成批传感器封装结构1的工艺中，最后可以分割成独立的传感器封装结构1，每个传感器封装结构1可以单独应用在不同的电子终端里。109.在一些实施例里，如图14所示。110.声电转换芯片11包括主体部113和侧壁114，主体部113与侧壁114连接，其中主体部113、第一连接结构17和处理芯片12连接形成第一腔15，侧壁114、第二连接结构18和封装盖板10连接形成第二腔16。111.在一些实施例里，如图15所示。112.侧壁114、第一连接结构17和处理芯片12连接形成第一腔15，主体部113、第二连接结构18和封装盖板10连接形成第二腔16。113.以上的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。