MEMS传感器封装单元及电子设备的制作方法

mems传感器封装单元及电子设备技术领域1.本技术涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种mems传感器封装单元及电子设备。背景技术：2.mems是集微封装单元、微执行器、微机械结构、信号处理和控制电路等于一体的微型器件或系统。mems广泛应用于高新技术产业，常见的mems器件包括mems加速度计、mems麦克风、mems压力封装单元、mems气体封装单元等等以及它们的集成产品。3.电路板是mems的重要组成部分，为了提升mems器件的性能，通常采用多层堆叠板、挖腔板等作为电路板，这类电路板采用多层pcb板压合成一体，整板加工后切割成单体，再对单体进行测试。但是由于单体测试不合格的原因很多，当良品率低于预设值时，用户只能逐一核对设计以及生产加工中的每个步骤、每个参数才可能找到测试不合格的原因，工作量大且效率低，无法快速地对测试不合格的封装单元进行针对性的改善，来提高良品率。技术实现要素：4.本技术实施例提供一种mems传感器封装单元及电子设备，以有效解决无法快速地对测试不合格的单体进行针对性改善，以提高产品良品率的问题。5.根据本技术的一方面，本技术提供一种mems传感器封装单元，所述mems传感器封装单元包括两个相对设置的第一基板以及位于两个所述第一基板之间的第二基板；6.所述第二基板与所述第一基板固定连接，且所述第二基板上设置有在厚度方向上贯通所述第二基板的通槽，所述通槽与所述两个第一基板形成腔体，所述腔体内设置有mems感测组件；7.其中，所述mems感测组件安装在一个第一基板上，另一第一基板靠近所述腔体的一侧设置有寻位标识，所述寻位标识用于标记在从整板中分割出所述mems传感器封装单元之前所述mems传感器封装单元在所述整板中的位置。8.进一步地，所述两个第一基板均包括基材层、位于所述基材层两侧的线路层以及所述线路层之外的阻焊层。9.进一步地，未安装所述mems感测组件的第一基板包括屏蔽层，所述屏蔽层位于该第一基板靠近所述腔体的阻焊层与靠近所述腔体的线路层之间。10.进一步地，所述未安装所述mems感测组件的第一基板的靠近所述腔体的阻焊层上设置有镂空结构，所述镂空结构使该阻焊层之下的所述屏蔽层露出以形成所述寻位标识。11.进一步地，所述屏蔽层上蚀刻有沟槽结构，所述阻焊层覆盖所述沟槽结构以形成所述寻位标识。12.进一步地，所述屏蔽层上设置有焊接环。13.进一步地，所述第二基板通过所述焊接环与所述第一基板焊接，以实现密封。14.进一步地，所述屏蔽层为具有屏蔽性质的金属接地层。15.进一步地，所述金属接地层为铜层。16.进一步地，每个所述第一基板的一侧包括多个线路层或者两侧均包括多个线路层。17.进一步地，所述寻位标识是数字、字母、文字形式中的一种或其任意组合。18.进一步地，所述mems感测组件包括mems传感元件以及与所述mems传感元件电连接的信号处理元件，所述mems传感元件用于感测外界物理变化并输出原始电信号，所述信号处理元件用于接收并处理所述原始电信号以生成感测电信号，并将所述感测电信号传送给外部电路。19.进一步地，所述安装所述mems感测组件的第一基板上设置有与所述外部电路电连接的至少一个焊盘。20.进一步地，所述两个第一基板中的一个上设置有通孔。21.进一步地，安装所述mems感测组件的第一基板上设置有所述通孔，并且在垂直于所述通孔轴线的平面上，所述mems传感元件的感测区域的投影与所述通孔的投影至少部分交叠。22.进一步地，所述第二基板上设置有通孔。23.根据本技术的另一方面，本技术还提供了一种mems传感器封装单元，所述mems传感器封装单元包括第一基板以及壳体；24.所述壳体与所述第一基板的一侧固定连接且共同形成腔体，所述腔体内设置有mems感测组件；25.其中，所述第一基板的一侧设置有寻位标识，且所述寻位标识用于标记在从整板中分割出所述mems传感器封装单元之前所述mems传感器封装单元在所述整板中的位置。26.进一步地，所述第一基板包括基材层、位于所述基材层两侧的线路层以及所述线路层之外的阻焊层、位于靠近所述腔体的阻焊层与靠近所述腔体的线路层之间的屏蔽层。27.进一步地，所述屏蔽层上蚀刻有沟槽结构，所述阻焊层覆盖所述沟槽结构以形成所述寻位标识。28.进一步地，所述屏蔽层上设置有焊接环，所述第一基板通过所述焊接环与所述壳体焊接，以实现密封，且所述屏蔽层为具有屏蔽性质的金属接地层。29.进一步地，所述壳体为具有屏蔽性质的金属壳。30.根据本技术的另一方面，本技术还提供了一种电子设备，所述电子设备包括本技术任一实施例所述的mems传感器封装单元。31.本技术的优点在于，通过设置寻位标识，利用寻位标识确定所述mems传感器封装单元在整板中的位置，利用所述mems传感器封装单元在整板上的分布来辅助用户分析所述mems传感器封装单元测试不合格的原因，帮助用户进行针对性的后续改善，从而提高生产效率以及良品率。32.示例性地，通过在未安装mems感测组件的第一基板上阻焊层上、屏蔽层上设置寻位标识，同时利用接地的金属屏蔽层降低产品受外界电信号的干扰，提高产品工作的可靠性。33.示例性地，通过在第一基板未被mems感测组件覆盖的区域上设置寻位标识，并且寻位标识位于屏蔽层上，同时利用接地的金属屏蔽层、金属壳体降低产品受外界电信号的干扰，提高产品工作的可靠性。附图说明34.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。35.图1a是本技术一个实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图；36.图1b是图1a实施例中的未安装mems感测组件的第一基板的剖视图；37.图1c是图1a实施例中的未安装mems感测组件的第一基板的仰视图；38.图2a是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图；39.图2b是图2a实施例中的未安装mems感测组件的第一基板的剖视图；40.图2c是图2a实施例中的未安装mems感测组件的第一基板的俯视图；41.图3是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图；42.图4是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图；43.图5是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图；44.图6是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图；45.图7a是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图；46.图7b是图7a实施例中的第一基板的剖视图；47.图7c是图7a实施例中的第一基板的俯视图。具体实施方式48.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。49.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。50.本技术至少一实施例提供一种mems传感器封装单元，所述mems传感器封装单元包括两个相对设置的第一基板以及位于两个所述第一基板之间的第二基板；51.所述第二基板与所述第一基板固定连接，且所述第二基板上设置有在厚度方向上贯通所述第二基板的通槽，所述通槽与所述两个第一基板形成腔体，所述腔体内设置有mems感测组件；52.其中，所述mems感测组件安装在一个第一基板上，另一第一基板靠近所述腔体的一侧设置有寻位标识，所述寻位标识用于标记在从整板中分割出所述mems传感器封装单元之前所述mems传感器封装单元在所述整板中的位置。53.由上可见，通过在未安装mems感测组件的第一基板上设置寻位标识，利用寻位标识确定所述mems传感器封装单元在整板中的位置，利用所述mems传感器封装单元在整板上的分布来辅助用户分析所述mems传感器封装单元测试不合格的原因，帮助用户进行针对性的后续改善，从而提高生产效率以及良品率。54.图1a是本技术一个实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图，图1b是图1a实施例中的未安装mems感测组件的第一基板的剖视图，图1c是图1a实施例中的未安装mems感测组件的第一基板的仰视图。55.如图1a-图1c所示，mems传感器封装单元包括两个相对设置的第一基板100以及位于两个第一基板100之间的第二基板200；56.第二基板200与第一基板100固定连接，且第二基板200上设置有在厚度方向上贯通第二基板200的通槽210，通槽210与两个第一基板100形成腔体300，腔体300内设置有mems感测组件400；57.其中，mems感测组件400安装在一个第一基板100上，另一第一基板100靠近腔体300的一侧设置有寻位标识500，寻位标识500用于标记在从整板中分割出mems传感器封装单元之前mems传感器封装单元在整板中的位置。58.在本实施例中，两个第一基板100均包括基材层110、位于基材层110两侧的线路层120以及线路层120之外的阻焊层130。59.在本实施例中，未安装mems感测组件400的第一基板100包括屏蔽层140，屏蔽层140位于该第一基板100靠近腔体300的阻焊层130与靠近腔体300的线路层120之间。60.在本实施例中，屏蔽层140为具有屏蔽性质的金属接地层。示例性地，金属接地层为铜层。通过金属接地层降低外界电信号对产品的干扰，提高产品工作的可靠性。61.在本实施例中，未安装mems感测组件400的第一基板100的靠近腔体300的阻焊层130上设置有镂空结构，镂空结构使该阻焊层130之下的屏蔽层140露出以形成寻位标识500。示例性地，在本实施例中，寻位标识500是数字、字母、文字形式中的一种或其任意组合。例如，如图1c所示，寻位标识500是a01，为数字与字母的组合，“a01”表示该mems传感器封装单元在整板分割以前，位于整板的第a行，第01列，从而可以实现快速定位。需要说明的是，可以通过x-ray或者拆解mems传感器封装单元读取寻位标识500。62.例如，当良品率低于预设值时，通过读取寻位标识500确定mems传感器封装单元在整板中的位置，通过mems传感器封装单元在整板上的分布情况，来辅助分析测试不合格的原因，找到可能的原因。63.例如，当多个测试不合格的mems传感器封装单元均位于整板中的某一区域内，用户可以知道，可能是pcb板设计方面涨缩不平衡，引起局部区域涨缩差较大，导致焊接不良造成的mems传感器封装单元不合格；也可能是生产工序中部分工序中参数设置不合理，导致固定位置发生异常比率明显高于其他地方。从而辅助用户分析可能的原因，帮助用户快速进行针对性的后续改善，提高生产效率以及良品率。64.在本实施例中，每个第一基板100的一侧包括多个线路层120或者两侧均包括多个线路层120。65.在本实施例中，mems感测组件400包括mems传感元件410以及与mems传感元件410电连接的信号处理元件420，mems传感元件410用于感测外界物理变化并输出原始电信号，信号处理元件420用于接收并处理原始电信号以生成感测电信号，并将感测电信号传送给外部电路。需要说明的是，mems传感元件410可以是mems芯片，例如，mems芯片包括但不限于mems骨传感器、mems声音传感器、mems压力传感器。还需要说明的是，物理变化中的物理量包括但不限于光、声、湿度。还需要说明的是，信号处理元件420可以是asic芯片。66.在本实施例中，mems传感元件410和信号处理元件420通过第一导电引线430电连接，信号处理元件420通过第二导电引线440与安装mems感测组件400的第一基板100电连接。67.在本实施例中，安装mems感测组件400的第一基板100上设置有与外部电路电连接的至少一个焊盘600。需要说明的是，焊盘600中包括至少一个用于接地的接地焊盘，屏蔽层140通过导电通路与接地焊盘连接。68.由上可见，通过在未安装mems感测组件的第一基板上设置寻位标识，利用寻位标识确定所述mems传感器封装单元在整板中的位置，利用所述mems传感器封装单元在整板上的分布来辅助用户分析所述mems传感器封装单元测试不合格的原因，帮助用户进行针对性的后续改善，从而提高生产效率以及良品率。示例性地，通过在未安装mems感测组件的第一基板的阻焊层上设置寻位标识。此外，通过在未安装mems感测组件的第一基板上设置屏蔽层，利用屏蔽层降低产品受外界电信号的干扰，提高产品工作的可靠性。69.图2a是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图，图2b是图2a实施例中的未安装mems感测组件的第一基板的剖视图，图2c是图2a实施例中的未安装mems感测组件的第一基板的俯视图。70.如图2a-图2c所示，mems传感器封装单元包括两个相对设置的第一基板100以及位于两个第一基板100之间的第二基板200；71.第二基板200与第一基板100固定连接，且第二基板200上设置有在厚度方向上贯通第二基板200的通槽210，通槽210与两个第一基板100形成腔体300，腔体300内设置有mems感测组件400；72.其中，mems感测组件400安装在一个第一基板100上，另一第一基板100靠近腔体300的一侧设置有寻位标识500，寻位标识500用于标记在从整板中分割出mems传感器封装单元之前mems传感器封装单元在整板中的位置。73.在本实施例中，两个第一基板100均包括基材层110、位于基材层110两侧的线路层120以及线路层120之外的阻焊层130。74.在本实施例中，未安装mems感测组件400的第一基板100包括屏蔽层140，屏蔽层140位于该第一基板100靠近腔体300的阻焊层130与靠近腔体300的线路层120之间。75.在本实施例中，屏蔽层140为具有屏蔽性质的金属接地层。示例性地，金属接地层为铜层。通过金属接地层降低外界电信号对产品的干扰，提高产品工作的可靠性。76.在本实施例中，屏蔽层140上蚀刻有沟槽结构，阻焊层130覆盖沟槽结构以形成寻位标识500。示例性地，在本实施例中，寻位标识500是数字、字母、文字形式中的一种或其任意组合。例如，如图2c所示，寻位标识500是a01，为数字与字母的组合，“a01”表示该mems传感器封装单元在整板分割以前，位于整板的第a行，第01列，从而可以实现快速定位。需要说明的是，可以通过x-ray或者拆解mems传感器封装单元读取寻位标识500。还需要说明的是，屏蔽层140上通过刻蚀形成的沟槽结构，可以是在屏蔽层厚度方向上贯通屏蔽层的，也可以是在屏蔽层厚度方向上不贯通屏蔽层的，本技术不作限制。77.例如，当良品率低于预设值时，通过读取寻位标识500确定mems传感器封装单元在整板中的位置，通过mems传感器封装单元在整板上的分布情况，来辅助分析测试不合格的原因，找到可能的原因。78.例如，当多个测试不合格的mems传感器封装单元均位于整板中的某一区域内，用户可以知道，可能是pcb板设计方面涨缩不平衡，引起局部区域涨缩差较大，导致焊接不良造成的mems传感器封装单元不合格；也可能是生产工序中部分工序中参数设置不合理，导致固定位置发生异常比率明显高于其他地方。从而辅助用户分析可能的原因，帮助用户进行针对性的后续改善，提高生产效率以及良品率。79.在本实施例中，每个第一基板100的一侧包括多个线路层120或者两侧均包括多个线路层120。80.在本实施例中，mems感测组件400包括mems传感元件410以及与mems传感元件410电连接的信号处理元件420，mems传感元件410用于感测外界物理变化并输出原始电信号，信号处理元件420用于接收并处理原始电信号以生成感测电信号，并将感测电信号传送给外部电路。需要说明的是，mems传感元件410可以是mems芯片，例如，mems芯片包括但不限于mems骨传感器、mems声音传感器、mems压力传感器。还需要说明的是，物理变化中的物理量包括但不限于光、声、湿度。还需要说明的是，信号处理元件420可以是asic芯片。81.在本实施例中，mems传感元件410和信号处理元件420通过第一导电引线430电连接，信号处理元件420通过第二导电引线440与安装mems感测组件400的第一基板100电连接。82.在本实施例中，安装mems感测组件400的第一基板100上设置有与外部电路电连接的至少一个焊盘600。需要说明的是，焊盘600中包括至少一个用于接地的接地焊盘，屏蔽层140通过导电通路与接地焊盘连接。83.由上可见，通过在未安装mems感测组件的第一基板上设置寻位标识，利用寻位标识确定所述mems传感器封装单元在整板中的位置，利用所述mems传感器封装单元在整板上的分布来辅助用户分析所述mems传感器封装单元测试不合格的原因，帮助用户进行针对性的后续改善，从而提高生产效率以及良品率。示例性地，通过在未安装mems感测组件的第一基板上设置屏蔽层，通过在屏蔽层上设置寻位标识，同时利用屏蔽层降低产品受外界电信号的干扰，提高产品工作的可靠性。84.图3是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图。85.如图3所示，示例性地，图3与图1a的区别在于，在本实施例中，第二基板200上设置有通孔900。通孔900可以作为进气孔、或进音孔。86.图4是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图。87.如图4所示，示例性地，图4与图1a的区别在于，在本实施例中，未安装mems感测组件400的第一基板100上设置有通孔900。通孔900可以作为进气孔、或进音孔。88.图5是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图。89.如图5所示，示例性地，图5与图1a的区别在于，90.在本实施例中，安装mems感测组件400的第一基板100上设置有通孔900，并且在垂直于通孔900轴线的平面上，mems传感元件410的感测区域的投影与通孔900的投影至少部分交叠。通孔900可以作为进气孔、或进音孔。91.图6是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图。92.如图6所示，示例性地，图6与图2a的区别在于，93.在本实施例中，安装mems感测组件400的第一基板100上设置有通孔900，并且在垂直于通孔900轴线的平面上，mems传感元件410的感测区域的投影与通孔900的投影至少部分交叠。通孔900可以作为进气孔、或进音孔。94.本技术至少一实施例还提供一种mems传感器封装单元，所述mems传感器封装单元包括第一基板以及壳体；95.所述壳体与所述第一基板的一侧固定连接且共同形成腔体，所述腔体内设置有mems感测组件；96.其中，所述第一基板的一侧设置有寻位标识，且所述寻位标识用于标记在从整板中分割出所述mems传感器封装单元之前所述mems传感器封装单元在所述整板中的位置。97.图7a是本技术另一实施例提供的mems传感器封装单元的结构示意图，图7b是图7a实施例中的第一基板的剖视图，图7c是图7a实施例中的第一基板的俯视图。98.如图7a-7c所示，mems传感器封装单元包括第一基板100以及壳体700；99.壳体700与第一基板100的一侧固定连接且共同形成腔体300，腔体300内设置有mems感测组件400；100.其中，第一基板100靠近腔体300的一侧设置有寻位标识500，且寻位标识500用于标记在从整板中分割出mems传感器封装单元之前mems传感器封装单元在整板中的位置。需要说明的是，mems感测组件400可以设置在壳体700上，也可以设置在第一基板100上。还需要说明的是，当mems感测组件400设置在第一基板100上时，寻位标识500位于第一基板未被感测组件400覆盖的区域内。101.在本实施例中，第一基板100包括基材层110、位于基材层110两侧的线路层120以及线路层120之外的阻焊层130。第一基板100还包括屏蔽层140，屏蔽层140位于第一基板100靠近腔体300的阻焊层130与靠近腔体300的线路层120之间。102.在本实施例中，所述屏蔽层140上设置有焊接环800，所述第一基板100通过所述焊接环800与所述壳体700焊接，以实现密封，且所述屏蔽层140为具有屏蔽性质的金属接地层。示例性地，金属接地层为铜层。通过金属接地层降低外界电信号对产品的干扰，提高产品工作的可靠性。103.在本实施例中，所述壳体700为具有屏蔽性质的金属壳，可以屏蔽外界的电磁干扰。104.在本实施例中，屏蔽层140上蚀刻有沟槽结构，阻焊层130覆盖沟槽结构以形成寻位标识500。示例性地，在本实施例中，寻位标识500是数字、字母、文字形式中的一种或其任意组合。例如，如图2c所示，寻位标识500是a01，为数字与字母的组合，“a01”表示该mems传感器封装单元在整板分割以前，位于整板的第a行，第01列，从而可以实现快速定位。需要说明的是，可以通过x-ray或者拆解mems传感器封装单元读取寻位标识500。还需要说明的是，屏蔽层140上通过刻蚀形成的沟槽结构，可以是在屏蔽层厚度方向上贯通屏蔽层的，也可以是在屏蔽层厚度方向上不贯通屏蔽层的，本技术不作限制。105.例如，当良品率低于预设值时，通过读取寻位标识500确定mems传感器封装单元在整板中的位置，通过mems传感器封装单元在整板上的分布情况，来辅助分析测试不合格的原因，找到可能的原因。106.例如，当多个测试不合格的mems传感器封装单元均位于整板中的某一区域内，用户可以知道，可能是pcb板设计方面涨缩不平衡，引起局部区域涨缩差较大，导致焊接不良造成的mems传感器封装单元不合格；也可能是生产工序中部分工序中参数设置不合理，导致固定位置发生异常比率明显高于其他地方。从而辅助用户分析可能的原因，帮助用户快速进行针对性的后续改善，提高生产效率以及良品率。107.在本实施例中，第一基板100的一侧包括多个线路层120或者两侧均包括多个线路层120。108.在本实施例中，mems感测组件400包括mems传感元件410以及与mems传感元件410电连接的信号处理元件420，mems传感元件410用于感测外界物理变化并输出原始电信号，信号处理元件420用于接收并处理原始电信号以生成感测电信号，并将感测电信号传送给外部电路。需要说明的是，mems传感元件410可以是mems芯片，例如，mems芯片包括但不限于mems骨传感器、mems声音传感器、mems压力传感器。还需要说明的是，物理变化中的物理量包括但不限于光、声、湿度。还需要说明的是，信号处理元件420可以是asic芯片。109.在本实施例中，mems传感元件410和信号处理元件420通过第一导电引线430电连接，信号处理元件420通过第二导电引线440与安装mems感测组件400的第一基板100电连接。110.在本实施例中，安装mems感测组件400的第一基板100上设置有与外部电路电连接的至少一个焊盘600。需要说明的是，焊盘600中包括至少一个用于接地的接地焊盘，屏蔽层140通过导电通路与接地焊盘连接。111.由上可见，通过在第一基板上设置寻位标识，利用寻位标识确定所述mems传感器封装单元在整板中的位置，利用所述mems传感器封装单元在整板上的分布来辅助用户分析所述mems传感器封装单元测试不合格的原因，帮助用户进行针对性的后续改善，从而提高生产效率以及良品率。示例性地，通过在第一基板的屏蔽层上设置寻位标识，同时利用屏蔽层降低产品受外界电信号的干扰，提高产品工作的可靠性。112.本技术至少一实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括本技术任一实施例所述的mems传感器封装单元。例如，所述电子设备是人工智能终端产品。113.在本技术的各个实施例中，如果没有特殊说明以及逻辑冲突，不同的实施例之间的术语或描述具有一致性、且可以相互引用，不同的实施例中的技术特征根据其内在的逻辑关系可以组合形成新的实施例。本技术中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。114.可以理解的是，在本技术的实施例中涉及的各种数字编号仅为描述方便进行的区分，并不用来限制本技术的实施例的范围。上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定。115.以上对本技术实施例所提供的mems传感器封装单元进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。