基于MEMS加工工艺校正制造探针卡转接板的方法与流程

本申请涉及半导体，尤其是涉及一种基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法。

背景技术：

1、当今的半导体行业高度发展，在封装之前，大量的芯片都需要进行检测，在这一过程中需要用到探针卡，探针卡中主要是由pcb、转接板、若干探针三部分组成。在高端探针卡中的转接板多为转接板。转接板是由多片生瓷片经打孔、印刷、叠片、切割、层压、烧结等工艺制作而成，其中陶瓷板表面会有一些金属pad（焊垫）。转接板的一侧与若干探针结合并被称为c4面（controlled collapse chip connection），另外一侧与pcb板结合并被称为bga面。转接板的c4面上往往需要加工金属走线、pad或绝缘层。

2、而陶瓷材质在烧制过程中不可避免的会出现收缩的现象，从而影响转接板c4面的质量，影响c4面上再加工。

3、故，如何改善转接板的c4面pad位置度，使得c4面pad达到c4面在加工的要求是迫切需要解决的问题。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中陶瓷基板烧制后pad位置度有偏差的问题，本申请的目的是提供一种基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法。

2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：一种基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法，所述的转接板由陶瓷基板经过校正补偿处理，所述的校正补偿处理是：在所述的陶瓷基板烧结完毕后，在该陶瓷基板的结合面上通过重布线工艺形成经过位置校正后的若干焊垫，所述的若干焊垫与所述的陶瓷基板内的若干电极分别一一导电连接。

3、在上述技术方案中，进一步优选的，所述的校正补偿处理包括如下步骤：

4、s1.在所述的陶瓷基板烧结完毕后，对所述的陶瓷基板的结合面进行抛光处理；

5、s2.对所述的陶瓷基板上的电极进行测量，所述的测量包括对所述的电极进行位置度测量；

6、s3.提供一目标模板，所述的目标模板包括所述的若干焊垫的目标位置度信息，根据所述的测量结果和目标模板设计制作校正掩模版；

7、s4.利用所述的校正掩模版在所述的陶瓷基板的结合面制作形成补偿层，所述的补偿层中具有若干与所述的陶瓷基板中的电极导电连接的所述的焊垫。

8、在上述技术方案中，进一步优选的，所述的步骤s3包括：根据步骤s2中的测量结果制作第一掩模版；根据所述的目标模板和所述的测量结果，制作第二掩模版；以及根据所述的目标模板制作第三掩模版和第四掩模版。

9、在上述技术方案中，进一步优选的，所述的步骤s4进一步包括：

10、s41.在所述的陶瓷基板的结合面旋涂一层第一光刻胶，使用所述的第一掩模版光刻，使所述的陶瓷基板表面露出电极，固化形成第一光刻胶层；

11、s42.在所述的第一光刻胶层表面制作种子层；

12、s43.利用所述的第二掩模版在所述的种子层上制作图案化的第二光刻胶层；

13、s44.电镀金属，然后去除所述的第二光刻胶层；

14、s45.旋涂第三光刻胶，并利用所述的第三掩模版进行图案化处理形成第三光刻胶层；

15、s46.在所述的第三光刻胶层表面制作种子层；

16、s47.使用所述的第四掩模版制作第四光刻胶层；

17、s48.电镀金属，然后去除所述的第四光刻胶层；

18、s49.旋涂第四光刻胶并固化，经抛光减薄后，使所述的各焊垫露出。

19、在上述技术方案中，进一步优选的，在所述的步骤s4之前，还包括对所述的陶瓷基板进行有机清洗的步骤s40。

20、在上述技术方案中，进一步优选的，在所述的步骤s4之后，还包括步骤s5：对所述的转接板的倒装焊结合面进行再加工。

21、在上述技术方案中，进一步优选的，在所述的步骤s2中采用自动影像测试仪对所述的陶瓷基板上的电极进行测量。

22、在上述技术方案中，进一步优选的，在所述的步骤s2中，所述的测量还包括对所述的电极的尺寸大小的测量。

23、本申请与现有技术相比获得如下有益效果：

24、本申请的方法通过补偿层改变转接板的焊垫的位置度，使得转接板的倒装焊结合面露出的焊垫的位置度符合生产要求，倒装焊结合面可进行再加工，并且该方法具有更快的时效性、稳定性及简易性。

技术特征：

1.一种基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法，其特征在于，所述的转接板由陶瓷基板经过校正补偿处理，所述的校正补偿处理是：在所述的陶瓷基板烧结完毕后，在该陶瓷基板的结合面上通过重布线工艺形成经过位置校正后的若干焊垫，所述的若干焊垫与所述的陶瓷基板内的若干电极分别一一导电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的校正补偿处理包括如下步骤：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤s3包括：根据步骤s2中的测量结果制作第一掩模版；根据所述的目标模板和所述的测量结果，制作第二掩模版；以及根据所述的目标模板制作第三掩模版和第四掩模版。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的步骤s4进一步包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述的步骤s4之前，还包括对所述的陶瓷基板进行有机清洗的步骤s40。

6.根据权利要求2或4所述的方法，其特征在于，在所述的步骤s4之后，还包括步骤s5：对所述的转接板的倒装焊结合面进行再加工。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述的步骤s2中采用自动影像测试仪对所述的陶瓷基板上的电极进行测量。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述的步骤s2中，所述的测量还包括对所述的电极的尺寸大小的测量。

技术总结本申请公开一种基于MEMS加工工艺制造探针卡转接板的方法，所述的转接板由陶瓷基板经过校正补偿处理之后再进行再布线处理，所述的校正补偿处理是：在陶瓷基板烧结完毕后，在该陶瓷基板的结合面上通过重布线工艺形成经过位置校正后的若干焊垫，若干焊垫与陶瓷基板内的若干电极分别一一导电连接。本申请的方法通过补偿层改变PAD位置度，使得转接板的倒装焊结合面露出的PAD位置度符合生产要求，倒装焊结合面可进行再加工，并且该方法具有更快的时效性、稳定性及简易性。技术研发人员：邵宇,侯克玉,于海超受保护的技术使用者：强一半导体（苏州）股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15