传感器及电子产品的制作方法

本发明涉及传感器，更具体地，涉及一种传感器及电子产品。

背景技术：

1、环境类传感器通常需要在封装体中留有与外界相连的通气孔，以与环境交互实现感知功能，但通气孔的存在使传感器自身无防水能力，使得传感器的使用环境受到限制。因此，现有技术中通常通过设置防水结构来解决传感器自身无防水能力的问题。

2、然而，现有技术中的防水结构是通过支撑结构来支撑防水膜的，而支撑结构材质较软，强度不高，容易导致防水结构的整体强度降低，使得防水结构的可靠性较差。

3、因此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本发明的一个目的是提供一种传感器及电子产品的新技术方案。

2、根据本发明的第一方面，提供了一种传感器，其中，所述传感器包括：

3、外壳；

4、基板，所述基板与所述外壳形成内腔室，所述基板设置有第一通气孔；

5、防水结构，所述防水结构设置于所述内腔室，所述防水结构包括防水膜和支撑基板，所述支撑基板设置有第二通气孔，所述支撑基板与所述基板之间形成容纳腔，所述防水膜通过支撑结构固定于所述容纳腔；

6、传感器芯片，所述传感器芯片设置于所述支撑基板远离所述基板的一侧，且所述传感器芯片相对于所述第二通气孔设置；

7、所述防水膜能够将所述容纳腔分隔为与第一通气孔连通的第一腔室和与第二通气孔连通的第二腔室；

8、其中，所述防水膜和所述支撑结构开设有贯通的通道，所述通道填充有加强结构，所述加强结构的硬度大于所述支撑结构的硬度。

9、可选地，所述支撑基板盖设在所述基板上；

10、其中，所述加强结构的上表面抵接于所述支撑基板的下表面，以将所述防水膜悬置于所述基板上。

11、可选地，所述加强结构的上表面抵接于所述支撑基板的下表面，所述加强结构的下表面抵接于所述基板的上表面，以使得所述加强结构能够支撑所述支撑基板。

12、可选地，所述基板朝向所述内腔室的一侧开设有凹槽，所述支撑基板搭设于所述凹槽上，并与所述基板电连接；

13、其中，所述加强结构设置于所述凹槽内。

14、可选地，所述加强结构为热固胶。

15、可选地，所述加强结构为导电凝胶。

16、可选地，所述传感器芯片为mems芯片。

17、可选地，还包括asic芯片，所述asic芯片设置于所述支撑基板远离所述基板的一侧。

18、可选地，所述防水膜为防水透气膜。

19、根据本发明的第二方面，提供了一种电子产品，所述电子产品包括第一方面所述的传感器。

20、根据本发明的一个实施例提供的传感器，在所述防水膜和所述支撑结构上开设有贯通的通道，所述通道填充有加强结构，所述加强结构的硬度大于所述支撑结构的硬度，从而在所述加强结构填充完成后，能够与所述防水膜和所述支撑结构形成一体结构，并且由于所述支撑结构材质较软，硬度较低，因此不会损伤防水膜，而加强结构的硬度高于支撑结构的硬度，还能够显著提高所述防水结构的强度，相较于现有技术中仅靠支撑结构支撑防水膜，本申请实施例所述防水结构的结构强度更高，可靠性更好，使用寿命更长。

21、通过以下参照附图对本发明的示例性实施的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

技术特征：

1.一种传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述支撑基板(83)盖设在所述基板(1)上；

3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述加强结构(84)的上表面抵接于所述支撑基板(83)的下表面，所述加强结构(84)的下表面抵接于所述基板(1)的上表面，以使得所述加强结构(84)能够支撑所述支撑基板(83)。

4.根据权利要求2或3任一项所述的传感器，其特征在于，所述基板(1)朝向所述内腔室(6)的一侧开设有凹槽，所述支撑基板(83)搭设于所述凹槽上，并与所述基板(1)电连接；

5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述加强结构(84)为热固胶。

6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述加强结构(84)为导电凝胶。

7.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器芯片为mems芯片(5)。

8.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，还包括asic芯片(4)，所述asic芯片(4)设置于所述支撑基板(83)远离所述基板(1)的一侧。

9.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述防水膜(81)为防水透气膜。

10.一种电子产品，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的传感器。

技术总结本申请实施例提供了一种传感器及电子产品。所述传感器包括外壳、基板、防水结构和传感器芯片，所述防水结构包括防水膜和支撑基板，所述支撑基板与所述基板之间形成容纳腔，所述防水膜通过支撑结构固定于所述容纳腔，所述防水膜和所述支撑结构开设有贯通的通道，所述通道填充有加强结构，所述加强结构的硬度大于所述支撑结构的硬度，以保证所述防水结构的结构强度。技术研发人员：韩寿雨,闫文明,端木鲁玉受保护的技术使用者：歌尔微电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15