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一种过流保护控制电路的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 17:23:41

本申请涉及保护电路,具体涉及一种过流保护控制电路。

背景技术:

1、过流保护电路是一种常用的电路保护装置,它可以检测到电路中的电流是否超过设定值,并在超过时自动切断电路,以避免电路元件受到过大电流的损坏或引起危险。因此,电流保护电路在很多电子设备中得到广泛应用,并具有显著的保护作用。

2、然而,现有的过流保护电路通常比较复杂,当出现故障时很难进行排查和修复。这可能会给维修和故障排除工作带来一定的困难。

技术实现思路

1、为此,本申请提供一种过流保护控制电路,以解决现有技术存在的保护电路过于复杂的问题。

2、为了实现上述目的,本申请提供如下技术方案:

3、一种过流保护控制电路,包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一开关管和第二开关管,所述第一电阻与所述第一开关管的两端并联后一端用于输入直流电压,另一端与所述第二电阻的一端和所述第二开关管的一端的连接点电连接,所述第一开关管的第三端与所述第二电阻的另一端、所述第三电阻的一端和所述第二开关管的第二端的连接点电连接,所述第三电阻的另一端接地,所述第二开关管的第三端用于输出直流电压。

4、作为优选,所述第一开关管为三极管,所述三极管的发射极和基极与所述第一电阻并联,所述三极管的集电极与所述第二电阻的另一端、所述第三电阻的一端和所述第二开关管的第二端的连接点电连接。

5、作为优选,所述三极管为pnp三极管。

6、作为优选,所述第二开关管为场效应管,所述场效应管的源极与所述第一电阻的一端、所述第一开关管的第一端和所述第二电阻的一端的连接点电连接,所述场效应管的栅极与所述第一开关管的第三端、所述第二电阻的另一端和所述第三电阻的一端的连接点电连接,所述场效应管的漏极用于输出直流电压。

7、作为优选,所述场效应管为绝缘栅耗尽型p-mos管。

8、作为优选,所述第一电阻上的分压小于0.7v时第一开关管截止,所述第一电阻上的分压大于0.7v时第一开关管导通。

9、相比现有技术,本申请至少具有以下有益效果:

10、本申请提供了一种过流保护控制电路,包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一开关管和第二开关管,第一电阻与第一开关管的两端并联后一端用于输入直流电压,另一端与第二电阻的一端和第二开关管的一端的连接点电连接,第一开关管的第三端与第二电阻的另一端、第三电阻的一端和第二开关管的第二端的连接点电连接,第三电阻的另一端接地,第二开关管的第三端用于输出直流电压。本申请提供的过流保护控制电路不仅实现了过流保护,而且电路简单,当出现故障时能够很容易进行排查和修复。

技术特征:

1.一种过流保护控制电路,其特征在于,包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一开关管和第二开关管,所述第一电阻与所述第一开关管的两端并联后一端用于输入直流电压,另一端与所述第二电阻的一端和所述第二开关管的一端的连接点电连接,所述第一开关管的第三端与所述第二电阻的另一端、所述第三电阻的一端和所述第二开关管的第二端的连接点电连接,所述第三电阻的另一端接地,所述第二开关管的第三端用于输出直流电压。

2.根据权利要求1所述的过流保护控制电路,其特征在于,所述第一开关管为三极管,所述三极管的发射极和基极与所述第一电阻并联,所述三极管的集电极与所述第二电阻的另一端、所述第三电阻的一端和所述第二开关管的第二端的连接点电连接。

3.根据权利要求2所述的过流保护控制电路,其特征在于,所述三极管为pnp三极管。

4.根据权利要求1所述的过流保护控制电路,其特征在于,所述第二开关管为场效应管,所述场效应管的源极与所述第一电阻的一端、所述第一开关管的第一端和所述第二电阻的一端的连接点电连接,所述场效应管的栅极与所述第一开关管的第三端、所述第二电阻的另一端和所述第三电阻的一端的连接点电连接,所述场效应管的漏极用于输出直流电压。

5.根据权利要求4所述的过流保护控制电路,其特征在于,所述场效应管为绝缘栅耗尽型p-mos管。

6.根据权利要求1所述的过流保护控制电路,其特征在于,所述第一电阻上的分压小于0.7v时第一开关管截止,所述第一电阻上的分压大于0.7v时第一开关管导通。

技术总结本申请公开了一种过流保护控制电路,涉及保护电路技术领域,包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一开关管和第二开关管,第一电阻与第一开关管的两端并联后一端用于输入直流电压,另一端与第二电阻的一端和第二开关管的一端的连接点电连接,第一开关管的第三端与第二电阻的另一端、第三电阻的一端和第二开关管的第二端的连接点电连接,第三电阻的另一端接地,第二开关管的第三端用于输出直流电压。本申请提供的过流保护控制电路不仅实现了过流保护,而且电路简单,当出现故障时能够很容易进行排查和修复。技术研发人员:冯建宇,赵宏斌,王羽受保护的技术使用者:商丘睿控仪器仪表有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/25

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