一种储能双芯片并联锂电保护电路的制作方法

本技术涉及bms控制系统领域，尤其涉及储能双芯片并联锂电保护电路。

背景技术：

1、随着技术的革新，对储能产品需求量变大，安全性要求越来越高的形势下，提高电芯安全，成为产品的核心需求。市面上bms管理系统基本采用单芯片保护，当芯片损坏，电芯过充保护功能失效，充电时可能出现过充现象，降低电芯的寿命和安全性。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本实用新型提出了一种储能双芯片并联锂电保护电路，包括第一保护芯片，所述第一保护芯片的两个输入引脚分别连接锂电池用于采集锂电池电压，所述第一保护芯片的放电保护输出引脚连接mos管q4，所述锂电池保护芯片的充电保护输出引脚连接mos管q6，所述mos管q6的d脚外接mos管q9的g脚，所述mos管q6的s脚外接mos管q7的d脚，且mos管q9输出端连接第二保护芯片的输出引脚连接，所述第二保护芯片用于采集锂电池的电压并输出至mos管q6和mos管q7。

2、优选的，所述第二保护芯片的两个输入引脚上分别连接连接两组并联设置的mos管q11，所述mos管q11为为采集电芯电压的开关管。

3、优选的，所述第一保护芯片为锂电池保护芯片。

4、优选的，所述第一保护芯片为pt6302。

5、优选的，所述第二保护芯片为mcu芯片。

6、优选的，所述第二保护芯片为f035f6px。

7、优选的，所述第一保护芯片的正负引脚分别连接锂电池的电压正负极。

8、优选的，所述锂电池的电压端与所述第一保护芯片的输入引脚之间并联设置有电容和电阻，防止电路电压抖动及干扰，稳定信号输入。

9、本实用新型提出的储能双芯片并联锂电保护电路有以下有益效果：本申请电路上采用双芯片保护方案，当芯片u2和u3任一芯片检测到电压大于预设电压时，q6和q7任一mos关闭，mos管q9 g端处于悬空状态，q9 mos关闭，实现了保护功能，双芯片采集每一节电芯电压，任一芯片失效后，仍可继续工作，不影响功能，提高了系统的安全性，提升了产品的品质。

技术特征：

1.一种储能双芯片并联锂电保护电路，其特征在于，包括第一保护芯片，所述第一保护芯片的两个输入引脚分别连接锂电池用于采集锂电池电压，所述第一保护芯片的放电保护输出引脚连接mos管q4，锂电池第一保护芯片的充电保护输出引脚连接mos管q6，所述mos管q6的d脚外接mos管q9的g脚，所述mos管q6的s脚外接mos管q7的d脚，且mos管q9输出端连接第二保护芯片的输出引脚连接，所述第二保护芯片用于采集锂电池的电压并输出至mos管q6和mos管q7。

2.根据权利要求1所述的储能双芯片并联锂电保护电路，其特征在于，所述第二保护芯片的两个输入引脚上分别连接连接两组并联设置的mos管q11，所述mos管q11为为采集电芯电压的开关管。

3.根据权利要求1所述的储能双芯片并联锂电保护电路，其特征在于，所述第一保护芯片为锂电池保护芯片。

4.根据权利要求3所述的储能双芯片并联锂电保护电路，其特征在于，所述第一保护芯片为pt6302。

5.根据权利要求1所述的储能双芯片并联锂电保护电路，其特征在于，所述第二保护芯片为mcu芯片。

6.根据权利要求5所述的储能双芯片并联锂电保护电路，其特征在于，所述第二保护芯片为f035f6px。

7.根据权利要求1所述的储能双芯片并联锂电保护电路，其特征在于，所述第一保护芯片的正负引脚分别连接锂电池的电压正负极。

8.根据权利要求1所述的储能双芯片并联锂电保护电路，其特征在于，所述锂电池的电压端与所述第一保护芯片的输入引脚之间并联设置有电容和电阻，防止电路电压抖动及干扰，稳定信号输入。

技术总结本技术提出了一种储能双芯片并联锂电保护电路，包括第一保护芯片，所述第一保护芯片的两个输入引脚分别连接锂电池用于采集锂电池电压，所述第一保护芯片的放电保护输出引脚连接MOS管Q4，所述锂电池保护芯片的充电保护输出引脚连接MOS管Q6，所述MOS管Q6的D脚外接MOS管Q9的G脚，所述MOS管Q6的S脚外接MOS管Q7的D脚，且MOS管Q9输出端连接第二保护芯片的输出引脚连接，本申请电路上采用双芯片保护方案，当芯片U2和U3任一芯片检测到电压大于预设电压时，Q6和Q7任一MOS关闭，MOS管Q9G端处于悬空状态，Q9MOS关闭，实现了保护功能，双芯片采集每一节电芯电压，任一芯片失效后，仍可继续工作，不影响功能，提高了系统的安全性，提升了产品的品质。技术研发人员：吴敏,沈丹珉受保护的技术使用者：苏州瑞得来工业科技有限公司技术研发日：20230828技术公布日：2024/7/29