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一种半桥式自举驱动逆变电路的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 17:50:20

本发明属于逆变,具体涉及一种半桥式自举驱动逆变电路。

背景技术:

1、逆变电路是将直流电转换为交流电的一种电路,现有的逆变电路,通常采用h桥来作为驱动,采用h桥来作为驱动,能耗较高,电路结构复杂。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题,本发明提供一种半桥式自举驱动逆变电路。

2、本发明的具体方案如下:

3、一种半桥式自举驱动逆变电路,包括dc-ac升压电路、自举驱动电路和半桥输出电路,所述dc-ac升压电路分别与半桥输出电路和自举驱动电路连接,所述自举驱动电路包括自举三极管vt2,整流稳压电路、启动电阻r2、r12、半桥驱动芯片和驱动芯片防护电路,所述自举三极管vt2的基极与整流稳压电路连接,所述自举三极管vt2的集电极与启动电阻r2、r12连接,所述自举三极管vt2的发射极分别与半桥驱动芯片u1和驱动芯片防护电路电连接,所述半桥驱动芯片与半桥输出电路连接,所述半桥输出电路与启动电阻连接。

4、所述整流稳压电路包括分压电阻r13、整流二极管d5、d7和稳压二极管d6,所述分压电阻r13分别与稳压二极管d6和整流二极管d5、d7电连接,所述稳压二极管d6与自举三极管vt2的基极电连接。

5、所述防护电路包括 发光二极管led1和防护三极管vt1,防护三极管vt1的集电极通过发光二极管led1与自举三极管vt2的发射极电连接。

6、所述半桥输出电路包括第一mos管m1、第二mos管m2和输出整流二极管,半桥驱动芯片u1分别驱动第一mos管m1和第二mos管m2,第一mos管m1和第二mos管m2均通过输出整流二极管d11、d 12与启动电阻连接。

7、所述dc-ac升压电路包括公共端c、正压端b+和负压端b-,所述负压端b-上设置有取样电阻r5、r15,所述负压端b-通过r5、r15与地连接,所述公共端c分别与整流稳压电路和启动电阻r2、r12连接,所述正压端b+与第一mos管m1连接。

8、所述dc-ac升压电路包括升压变压器t和倍压整流电路,所述倍压整流电路包括第一整流二极管d1、第一电解电容cp1、第二整流二极管d2和第二电解电容cp2,所述第一整流二极管d1的阳极与负压端b-连接,所述第一整流二极管d1的阳极还通过第一电解电容cp1与变压器t次级线圈的一端连接,所述变压器t次级线圈的一端与公共端c电连接,第一整流二极管d1的阴极与变压器t次级线圈的另一端连接,所述变压器t次级线圈的另一端通过第二整流二极管d2与正压端b+连接,所述正压端b+通过第二电解电容cp2与公共端c连接本发明公开了一种半桥式自举驱动逆变电路。

9、本发明公开了一种半桥式自举驱动逆变电路,包括dc-ac升压电路、自举驱动电路和半桥输出电路,所述dc-ac升压电路将直流电升压变为公共端c、正压端b+和负压端b-,公共端c和负压端b-为自举驱动电路提供启动电压,使得自举三极管vt2导通,自举三极管vt2导通后,公共端c通过启动电阻r2和r12为驱动芯片提供工作电压,驱动芯片开始工作,驱动芯片工作后使得半桥输出电路的第一mos管m1和第二mos管m2交替开启,第一mos管m1开启时输出正压端b+电压,第二mos管m2开启输出负压端b-,这样正负交替,输出交流电,输出的交流电经过输出整流二极管d11和d 12整流后为自举三极管vt2的集电极供电,保证自举三极管vt2处于开启状态,通过第一mos管m1和第二mos管m2组成的半桥电路即可实现交流电输出,且输出的交流电经过整流后再次为自举三极管vt2供电,具有电路结构简单,节约能耗的优点。

技术特征:

1.一种半桥式自举驱动逆变电路,其特征在于:包括dc-ac升压电路、自举驱动电路和半桥输出电路,所述dc-ac升压电路分别与半桥输出电路和自举驱动电路连接,所述自举驱动电路包括自举三极管(vt2),整流稳压电路、启动电阻(r2、r12)、半桥驱动芯片和驱动芯片防护电路,所述自举三极管(vt2)的基极与整流稳压电路连接,所述自举三极管(vt2)的集电极与启动电阻(r2、r12)连接,所述自举三极管(vt2)的发射极分别与半桥驱动芯片(u1)和驱动芯片防护电路电连接,所述半桥驱动芯片与半桥输出电路连接,所述半桥输出电路与启动电阻连接。

2.根据权利要求1所述的半桥式自举驱动逆变电路,其特征在于:所述整流稳压电路包括分压电阻(r13)、整流二极管(d5、d7)和稳压二极管(d6),所述分压电阻(r13)分别与稳压二极管(d6)和整流二极管(d5、d7)电连接,所述稳压二极管(d6)与自举三极管(vt2)的基极电连接。

3.根据权利要求1所述的半桥式自举驱动逆变电路,其特征在于:所述防护电路包括发光二极管(led1)和防护三极管(vt1),防护三极管(vt1)的集电极通过发光二极管(led1)与自举三极管(vt2)的发射极电连接。

4.根据权利要求1所述的半桥式自举驱动逆变电路,其特征在于:所述半桥输出电路包括第一mos管(m1)、第二mos管(m2)和输出整流二极管,半桥驱动芯片(u1)分别驱动第一mos管(m1)和第二mos管(m2),第一mos管(m1)和第二mos管(m2)均通过输出整流二极管(d11、d12)与启动电阻连接。

5.根据权利要求4所述的半桥式自举驱动逆变电路,其特征在于:所述dc-ac升压电路包括公共端(c)、正压端(b+)和负压端(b-),所述负压端(b-)上设置有取样电阻(r5、r15),所述负压端(b-)通过(r5、r15)与地连接,所述公共端(c)分别与整流稳压电路和启动电阻(r2、r12)连接,所述正压端(b+)与第一mos管(m1)连接。

6.根据权利要求5所述的半桥式自举驱动逆变电路,其特征在于:所述dc-ac升压电路包括升压变压器(t)和倍压整流电路,所述倍压整流电路包括第一整流二极管(d1)、第一电解电容(cp1)、第二整流二极管(d2)和第二电解电容(cp2),所述第一整流二极管(d1)的阳极与负压端(b-)连接,所述第一整流二极管(d1)的阳极还通过第一电解电容(cp1)与变压器(t)次级线圈的一端连接,所述变压器(t)次级线圈的一端与公共端(c)电连接,第一整流二极管(d1)的阴极与变压器(t)次级线圈的另一端连接,所述变压器(t)次级线圈的另一端通过第二整流二极管(d2)与正压端(b+)连接,所述正压端(b+)通过第二电解电容(cp2)与公共端(c)连接。

技术总结本发明公开了一种半桥式自举驱动逆变电路,包括DC‑AC升压电路、自举驱动电路和半桥输出电路,所述DC‑AC升压电路分别与半桥输出电路和自举驱动电路连接,所述自举驱动电路包括自举三极管VT2,整流稳压电路、启动电阻R2、R12、半桥驱动芯片和驱动芯片防护电路,所述自举三极管VT2的基极与整流稳压电路连接,所述自举三极管VT2的集电极与启动电阻R2、R12连接,所述自举三极管VT2的发射极分别与半桥驱动芯片U1和驱动芯片防护电路电连接,所述半桥驱动芯片与半桥输出电路连接,所述半桥输出电路与启动电阻连接,具有节约能耗的优点。技术研发人员:仝兴孚受保护的技术使用者:濮阳乐高电器有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/29

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