具有电磁屏蔽功能的封装结构的制作方法

本技术属于半导体封装，特别涉及一种具有电磁屏蔽功能的封装结构。

背景技术：

1、在集成电路中，为了保证电路板上的电子组件正常工作，一般需要对电子组件做电磁屏蔽，一是为了符合电磁兼容(emc)规范，二是避免电子组件受到外部的电磁波干扰(emi)或避免电子组件产生的电磁波向外辐射。传统方式是将金属屏蔽罩安装在封装基板上，通过与封装基板上的接地端相连构建“法拉第笼”，起到有效的电磁屏蔽效果。

2、现有技术中电磁屏蔽的加工方法为：在封装基板完成晶圆粘贴、焊线、封胶、植球等封装工序，并将产品切成单颗封装后转贴到pi膜上，用片环固定，再放到溅镀载具上，溅镀设备采用真空溅镀技术，利用电浆对靶材进行离子轰击，将靶材表面的离子撞击出来，这些靶材原子以气体分子形式发射出来，到达沉积的基板上，经过附着，吸附，表面迁移，成核等过程后在半导体器件上形成一层金属层，即屏蔽层。

3、但是，上述加工方法会出现过分溅镀导致金属料溢进pi膜与产品的间隙中，从而跟半导体器件背面功能区桥接，降低产品良率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种具有电磁屏蔽功能的新型封装结构，能够避免屏蔽层过分溅镀，使封装产品的良率增高。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了一种具有电磁屏蔽功能的封装结构，该封装结构包括基板、至少一个芯片和屏蔽层，芯片功能面设有导电凸块，导电凸块一般设有多个。

3、具体的，本实用新型是在基板上设置凹槽，将芯片倒装在基板上，使芯片的导电凸块均置于对应位置的凹槽内，且芯片功能面边缘覆盖对应位置的凹槽顶面；芯片除了底部外的四周和顶部设有屏蔽层。本实用新型公开的封装产品结构简单，采用基板上设置凹槽容纳芯片导电凸块，且芯片边缘卡设在凹槽上，在后续溅镀屏蔽层时，可以有效防止金属料溢进导电凸块位置，发生桥接现象，提高封装产品的良率。

4、在一些实施方式中，凹槽的数量等于或者小于芯片的数量。根据封装设计中待溅镀芯片数量设置基板上凹槽的数量，以实现多芯片模组封装中的单颗芯片或者多颗芯片单独进行电磁屏蔽层的设置。

5、在一些实施方式中，基板上的凹槽经刻蚀形成。

6、在一些实施方式中，屏蔽层溅镀形成在芯片的四周和顶部。

7、在一些实施方式中，封装结构还包括塑封层和锡球，塑封层设置在基板上，包覆芯片；锡球设置在基板底部。

8、与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

9、1、本实用新型公开的具有电磁屏蔽功能的封装结构，整体结构简单，采用基板上设置凹槽容纳芯片导电凸块，且芯片边缘卡设在凹槽上，在后续溅镀屏蔽层时，可以有效防止金属料溢进导电凸块位置，发生桥接现象，提高封装产品的良率；

10、2、本实用新型适用于多芯片模组封装，可以对模组中的单颗芯片或者多颗芯片单独进行电磁屏蔽层的设置；

11、3、本实用新型制备工艺简单，无需封装后将产品转贴在pi膜上溅镀，制造效率提高。

技术特征：

1.具有电磁屏蔽功能的封装结构，所述封装结构包括基板、至少一个芯片和屏蔽层，所述芯片功能面设有导电凸块，其特征在于，所述基板上设有凹槽，所述芯片倒装在基板上，所述芯片的导电凸块均置于凹槽内，且芯片功能面边缘覆盖对应位置的凹槽顶面；所述芯片除了底部外的四周和顶部设有屏蔽层。

2.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构，其特征在于，所述凹槽的数量等于或者小于芯片的数量。

3.根据权利要求2所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构，其特征在于，所述基板上的凹槽经刻蚀形成。

4.根据权利要求3所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构，其特征在于，所述屏蔽层溅镀形成在芯片的四周和顶部。

5.根据权利要求1-4任一项所述的具有电磁屏蔽功能的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括塑封层和锡球，所述塑封层设置在基板上，包覆芯片；所述锡球设置在基板底部。

技术总结本技术提供了一种具有电磁屏蔽功能的封装结构，该封装结构包括基板、至少一个芯片和屏蔽层，芯片功能面设有导电凸块，导电凸块一般设有多个。在基板上设置凹槽，将芯片倒装在基板上，使芯片的导电凸块均置于对应位置的凹槽内，且芯片功能面边缘覆盖对应位置的凹槽顶面；芯片除了底部外的四周和顶部设有屏蔽层。本技术公开的封装产品结构简单，采用基板上设置凹槽容纳芯片导电凸块，且芯片边缘卡设在凹槽上，在后续溅镀屏蔽层时，可以有效防止金属料溢进导电凸块位置，发生桥接现象，提高封装产品的良率。技术研发人员：陈晗玥受保护的技术使用者：江苏芯德半导体科技有限公司技术研发日：20231103技术公布日：2024/7/25