再分布结构、导电结构及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及再分布结构、导电结构及其形成方法。

背景技术：

1、再分布层(rdl)是额外的金属层，它将信号从集成电路(ic)管芯的焊盘重定向至其他位置以用于更好的访问。因为rdl结构通常位于管芯的顶部上，所以它通常是测试焊盘的所在地，诸如晶圆验收测试(wat)焊盘。通过探测wat焊盘，生成工艺控制监测数据，以提高良率并且减少缺陷。rdl结构通常由钝化层或钝化结构覆盖。由于需要垂直堆叠管芯，通常平坦化钝化层以提供基本平坦的顶面。

技术实现思路

1、根据本申请的一个实施例，提供了一种再分布结构，包括：第一介电层；网状金属部件，设置在第一介电层中，网状金属部件包括基底部分和围绕基底部分的框架部分；第二介电层，设置在第一介电层和网状金属部件上方；再分布部件，设置在第二介电层上方；钝化结构，设置在再分布部件和第二介电层上方；以及焊盘开口，延伸穿过钝化结构以暴露再分布部件的顶面，其中，再分布部件包括多个接触通孔，多个接触通孔延伸穿过第二介电层以落在网状金属部件的框架部分上。

2、根据本申请的另一个实施例，提供了一种导电结构，包括：网状金属部件，网状金属部件包括：基底部分；框架部分，连续地围绕基底部分；至少一个第一线性构件，在基底部分与框架部分的第一边缘之间沿着第一方向纵向延伸；和至少一个第二线性构件，在基底部分与框架部分的第二边缘之间沿着垂直于第一方向的第二方向纵向延伸。导电结构还包括：介电层，设置在网状金属部件上方；再分布部件，设置在介电层上方；钝化结构，设置在再分布部件和介电层上方并且与再分布部件和介电层接触；以及焊盘开口，延伸穿过钝化结构以暴露再分布部件的顶面，其中，再分布部件包括多个接触通孔，多个接触通孔延伸穿过介电层以落在网状金属部件的框架部分上。

3、根据本申请的又一个实施例，提供了一种形成导电结构的方法，包括：在第一介电层中形成网状金属层，网状金属层包括基底部分和连续地围绕基底部分的框架部分；在网状金属层和第一介电层上方沉积第二介电层；穿过第二介电层图案化多个通孔开口以暴露框架部分；在第二介电层和多个通孔开口上方沉积导电层以在多个通孔开口中形成多个接触通孔；图案化导电层以形成测试焊盘；在测试焊盘和第二介电层上方沉积第一钝化层；在第一钝化层上方沉积第二钝化层；以及形成穿过第一钝化层和第二钝化层的焊盘开口，以暴露测试焊盘的顶面。

4、本申请的实施例涉及晶圆测试焊盘。

技术特征：

1.一种再分布结构，包括：

2.根据权利要求1所述的再分布结构，其中，所述网状金属部件还包括连接所述基底部分和所述框架部分的多个线段。

3.根据权利要求1所述的再分布结构，其中，所述焊盘开口的垂直投影区域与所述网状金属部件的所述基底部分重叠。

4.根据权利要求1所述的再分布结构，其中，所述焊盘开口的垂直投影区域不与所述多个接触通孔中的任何接触通孔重叠。

5.根据权利要求1所述的再分布结构，其中，所述再分布部件包括铜(cu)、铝(al)、铝铜(al-cu)、金(au)、钨(w)、铁(fe)、钛(ti)、钽(ta)或钴(co)。

6.根据权利要求1所述的再分布结构，

7.根据权利要求1所述的再分布结构，其中，所述钝化结构包括：

8.根据权利要求7所述的再分布结构，其中，所述第一钝化层包括平坦顶面，并且所述第二钝化层设置在所述第一钝化层的所述平坦顶面上。

9.一种导电结构，包括：

10.一种形成导电结构的方法，包括：

技术总结根据本申请的实施例，提供了再分布结构。根据本公开的再分布结构包括：第一介电层；网状金属部件，设置在第一介电层中，并且包括基底部分和围绕基底部分的框架部分；第二介电层，设置在第一介电层和网状金属部件上方；再分布部件，设置在第二介电层上方；钝化结构，设置在再分布部件和第二介电层上方；焊盘开口，延伸穿过钝化结构以暴露再分布部件的顶面。再分布部件包括多个接触通孔，多个接触通孔延伸穿过第二介电层以落在网状金属部件的框架部分上。根据本申请的其他实施例，还提供了导电结构及其形成方法。技术研发人员：邱志斌,马振德,许琍雯,王良玮,陈殿豪受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25