一种封装结构及电子器件的制作方法

本技术涉及线路封装，具体涉及一种封装结构及电子器件。

背景技术：

1、uvled光源、激光光通讯、传感器等光电子器件一般采用陶瓷基板封装方式，常用的封装结构是在带有线路层的陶瓷基板上设置围坝，围坝上设置盖板，盖板、围坝与陶瓷基板围设成密封腔室，该密封腔室内用于放置各类芯片等器件，通过向密封腔室内填充封装胶水、惰性气体或直接抽真空，实现器件的气密封装。

2、现有的围坝一般采用金属材质的围坝，工艺采用电镀，电镀工艺成本较高，且对环境造成一定污染；也有采用塑胶材质的围坝，塑胶围坝一般采用先制备塑胶围坝再将成型好的塑胶围坝粘接在陶瓷基板上，由于塑胶围坝不耐高温和紫外照射，且受热膨胀，导致塑胶围坝和陶瓷基板的气密性不佳，不能用于高要求的产品上。

3、鉴于此，克服以上现有技术中的缺陷，提供一种新的封装结构及电子器件成为本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于针对现有技术的上述缺陷，提供一种封装结构及电子器件，能够解决塑胶围坝不耐高温和紫外照射，且受热膨胀，导致塑胶围坝和陶瓷基板的气密性不佳的问题。

2、本实用新型的目的可通过以下的技术措施来实现：

3、本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种封装结构，包括：

4、基板；

5、围设于所述基板上的围坝；

6、设于所述基板和所述围坝之间的连接层，所述连接层包括用于连接所述基板的第一玻璃层、用于连接所述围坝的第二玻璃层以及用于连接所述第一玻璃层和所述第二玻璃层的第三玻璃层；所述第一玻璃层的厚度为5-10um，所述第二玻璃层的厚度为2-5um，所述第三玻璃层的厚度为5-10um。

7、根据本实用新型的一个实施例，所述第一玻璃层和所述第二玻璃层由粘度为400～500cp的玻璃膏填充形成，所述第三玻璃层由粘度为500～600cp的玻璃膏填充形成，所述基板和所述围坝连接处的周侧设有用于防止填充的所述玻璃膏外溢的围栏。

8、根据本实用新型的一个实施例，所述围坝为陶瓷围坝，所述围坝的外侧壁形成有用于安装导向的切角，所述基板上设有与所述切角对应的安装标识。

9、根据本实用新型的一个实施例，所述围坝的内侧壁倾斜设置并形成倾斜面，所述倾斜面的倾斜角度为50-70°，所述倾斜面上设有第一金属层，所述第一金属层的厚度为0.1-0.5um。

10、根据本实用新型的一个实施例，所述围坝的外侧面设有导热套环，所述导热套环的外表面设有导热条。

11、根据本实用新型的一个实施例，所述封装结构还包括盖设于所述围坝上的盖板，所述围坝与所述盖板之间采用梯度封接的方式连接。

12、根据本实用新型的一个实施例，所述围坝的截面呈阶梯状，所述盖板搭接在阶梯上，所述围坝的高度为0.5-2mm，所述阶梯与所述围坝的高度比为2:5。

13、根据本实用新型的一个实施例，所述围坝与所述盖板之间依次设有激光活化层和第二金属层。

14、根据本实用新型的一个实施例，所述基板包括相对设置的上表面和下表面，所述基板的上表面设有第一线路层，所述基板的下表面设有第二线路层，所述基板设有用于连通所述第一线路层和所述第二线路层的通孔。

15、本实用新型采用的另一个技术方案是：提供一种电子器件，包括：所述的封装结构。

16、本实用新型的有益效果是：通过在基板和围坝之间的连接层，连接层包括用于连接基板的第一玻璃层、用于连接围坝的第二玻璃层以及用于连接第一玻璃层和第二玻璃层的第三玻璃层；第一玻璃层的厚度为5-10um，第二玻璃层的厚度为2-5um，第三玻璃层的厚度为5-10um，使基板与围坝之间形成稳定连接，提高致密性，能够解决塑胶围坝不耐高温和紫外照射，且受热膨胀，导致塑胶围坝和陶瓷基板的气密性不佳的问题。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，该封装结构包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板和所述陶瓷围坝连接处的周侧设有用于防止填充的所述玻璃膏外溢的围栏。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述陶瓷围坝的外侧壁形成有用于安装导向的切角，所述基板上设有与所述切角对应的安装标识。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述陶瓷围坝的内侧壁倾斜设置并形成倾斜面，所述倾斜面的倾斜角度为50-70°，所述倾斜面上设有第一金属层，所述第一金属层的厚度为0.1-0.5um。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述陶瓷围坝的外侧面设有导热套环，所述导热套环的外表面设有导热条。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括盖设于所述陶瓷围坝上的盖板，所述陶瓷围坝与所述盖板之间采用梯度封接的方式连接。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述陶瓷围坝的截面呈阶梯状，所述盖板搭接在阶梯上，所述陶瓷围坝的高度为0.5-2mm，所述阶梯与所述陶瓷围坝的高度比为2∶5。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述陶瓷围坝与所述盖板之间依次设有激光活化层和第二金属层。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板包括相对设置的上表面和下表面，所述陶瓷基板的上表面设有第一线路层，所述陶瓷基板的下表面设有第二线路层，所述陶瓷基板设有用于连通所述第一线路层和所述第二线路层的通孔。

10.一种电子器件，其特征在于，该电子器件包括：如权利要求1至9任一项所述的封装结构。

技术总结本技术涉及线路封装技术领域，具体涉及一种封装结构及电子器件。其包括：基板；围设于所述基板上的围坝；设于所述基板和所述围坝之间的连接层，所述连接层包括用于连接所述基板的第一玻璃层、用于连接所述围坝的第二玻璃层以及用于连接所述第一玻璃层和所述第二玻璃层的第三玻璃层；所述第一玻璃层的厚度为5‑10um，所述第二玻璃层的厚度为2‑5um，所述第三玻璃层的厚度为5‑10um。通过上述方式，本技术能够使基板与围坝之间形成稳定连接，提高致密性，能够解决塑胶围坝不耐高温和紫外照射，且受热膨胀，导致塑胶围坝和陶瓷基板的气密性不佳的问题。技术研发人员：章军,漆志涛,王仁彬,向明,戴高环,李毅受保护的技术使用者：深圳陶陶科技有限公司技术研发日：20221222技术公布日：2024/7/25