一种面向半导体激光器的电气安全防护装置的制作方法

本技术属于半导体激光器领域，特别涉及一种面向半导体激光器的电气安全防护装置。

背景技术：

1、半导体激光器是一种利用半导体材料作工作物质而产生激光的器件，由于其具有体积小、重量轻、工作可靠、能耗低、效率高、使用寿命长、调制速度快等优点，因此被广泛地运用于工业制造、通信、医疗、科研军事等领域，并在社会生产活动中发挥了极其重要的作用。半导体激光器可采用简单的注入电流的方式进行泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，并且还可以用高频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。

2、半导体激光器虽然性能良好且应用广泛，但却容易出现由于双向尖峰和浪涌冲击导致激光器损伤的问题。由此，我们提出了一种面向半导体激光器的电气安全防护装置，该装置提高了激光器的运行可靠性，降低了激光器的损伤几率。

技术实现思路

1、为了减少激光器在使用时由双向尖峰和浪涌导致的损伤，本实用新型通过电容电阻以及二极管的互联，提高了激光器的运行可靠性，降低了激光器的损伤几率。

2、为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

3、本实用新型提供了一种面向半导体激光器的电气安全防护装置，包括：激光器主体、电气安全防护模块；其中，所述电气安全防护模块2嵌在所述激光器主体1的电极附近，并与电极支撑体粘接固化；所述电气安全防护模块2通过电容电阻以及二极管的混联对激光器进行无源保护。

4、上述方案中，所述电气安全防护模块2需在所述激光器主体1电极端反接一个或多个二极管，并通过与电容电阻的不同混联方式对激光器进行无源保护。

5、上述方案中，所述电气安全防护模块2与所述激光器主体1的电极进行低阻抗互联。

6、上述方案中，所述电气安全防护模块2使用的电阻阻值应在1ω～100k之间。

7、上述方案中，所述电气安全防护模块2使用的电容值应控制在1nf～470nf。

8、上述方案中，所述电气安全防护模块2反接的二极管应为贴片式二极管。

9、上述方案中，所述电气安全防护模块2需使用双向瞬态抑制二极管，或使用相近电压值的压敏电阻代替，推荐耐压值稍高于激光二极管阵列的正向电压。

10、上述方案中，所述电气安全防护模块2靠近于所述激光器主体1的电极端，与电极所连接的导线短且粗，导线长度小于2cm,导线截面积大于等于2mm2。

11、上述方案中，所述电气安全防护模块2集成于所述激光器主体1内部，或装于激光器主体外侧，安装位置根据所述激光器主体1的形状、以及器件选择不同进行调整。

12、上述方案中，所述电气安全防护模块2适用于叠阵类激光器以及多单管串联光纤耦合激光器。

技术特征：

1.一种面向半导体激光器的电气安全防护装置，其特征在于，包括：激光器主体(1)，电气安全防护模块(2)，其中，

2.根据权利要求1所述的面向半导体激光器的电气安全防护装置，其特征在于，所述电气安全防护模块(2)需在所述激光器主体(1)电极端反接一个或多个二极管，并通过与电容电阻的不同混联方式对激光器进行无源保护。

3.根据权利要求1所述的面向半导体激光器的电气安全防护装置，其特征在于，所述电气安全防护模块(2)使用的电阻阻值应在1ω～100k之间。

4.根据权利要求1所述的面向半导体激光器的电气安全防护装置，其特征在于，所述电气安全防护模块(2)使用的电容值应控制在1～470nf。

5.根据权利要求1所述的面向半导体激光器的电气安全防护装置，其特征在于，所述电气安全防护模块(2)反接的二极管应为贴片式二极管。

6.根据权利要求1所述的面向半导体激光器的电气安全防护装置，其特征在于，所述电气安全防护模块(2)需使用双向瞬态抑制二极管，或使用相近电压值的压敏电阻代替，推荐耐压值稍高于激光二极管阵列的正向电压。

7.根据权利要求1所述的面向半导体激光器的电气安全防护装置，其特征在于，所述电气安全防护模块(2)靠近于所述激光器主体(1)的电极端，与电极所连接的导线短且粗，导线长度小于2cm,导线截面积大于等于2mm2。

8.根据权利要求1所述的面向半导体激光器的电气安全防护装置，其特征在于，所述电气安全防护模块(2)集成于所述激光器主体(1)内部，或装于激光器主体外侧，安装位置根据所述激光器主体(1)的形状、以及器件选择不同进行调整。

9.根据权利要求1所述的面向半导体激光器的电气安全防护装置，其特征在于，所述电气安全防护模块(2)适用于叠阵类激光器以及多单管串联光纤耦合激光器。

技术总结本技术提供了一种面向半导体激光器的电气安全防护装置，包括：激光器主体、电气安全防护模块。本技术提高了激光器的运行可靠性，降低了激光器的损伤几率。技术研发人员：周洪伟受保护的技术使用者：河南品正健康产业股份有限公司技术研发日：20230808技术公布日：2024/7/25