一种MSOP半导体用散热型引线框架及其制备方法与流程

本发明涉及引线框架，具体为一种msop半导体用散热型引线框架及其制备方法。

背景技术：

1、随着电子产品的不断发展和应用场景的不断拓展，对半导体器件的性能和稳定性提出了更高的要求。在电子产品中，msop半导体器件由于体积小、功耗低、价格适中等优势，被广泛应用于各种电子设备中。然而，由于器件体积小且功耗较高，容易产生热量，导致器件温度升高，进而影响其性能和寿命。为了解决msop半导体器件在高功耗运行时的散热问题，传统的散热方法主要是通过引线框架将器件固定在散热片上，利用金属引线的传导性质将器件的热量传导到散热片上，从而实现散热。然而，传统的引线框架往往存在散热效率低、机械强度低、制备工艺复杂、成本高等问题。

2、为了解决上述问题，为了提高msop半导体器件的散热效率和机械强度，本发明提供了一种msop半导体用散热型引线框架及其制备方法。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种msop半导体用散热型引线框架及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

3、所述msop半导体用散热型引线框架的制备方法为，包括以下步骤：

4、步骤一：取铜、铁、锡、铬、镍、镁、铈、磷，投入到熔炼炉中进行熔炼，熔炼炉内的氩气压强为40-45kpa，将熔炼炉内部的温度升高至1400-1420℃，得到液态合金液；将液态合金液浇注于模具中，然后冷却，得到合金铸锭；

5、步骤二：对合金铸锭进行均质化处理，均质化处理完成后将合金铸锭加热至930-950℃进行热轧、淬火、热轧、冷轧；对冷轧后的合金铸锭进行时效处理、精轧，然后在500-540℃下进行应力退火，得到预处理基体；

6、步骤三：取氨基化有机骨架材料-石墨烯复合物、铝，搅拌均匀，得到熔覆物料；用粘结剂将熔覆物料涂覆在预处理基体表面，然后激光熔覆，得到一种msop半导体用散热型引线框架。

7、较为优化地，所述合金铸锭包括以下重量百分比的原料：铁0.35-0.65％、锡1.5-2.6％、铬0.5-1.5％、镍0.3-0.6％、镁0.3-0.6％、铈0.2-0.6％、磷0.005-0.015％，余量为铜和不可避免的杂质。

8、较为优化地，所述粘结剂的制备方法为：包括以下步骤：

9、s1：取聚乙烯醇、二甲基亚砜，升温至60-65℃，搅拌均匀，加入丁二酸酐、三乙胺，然后反应2-3h，反应结束加入1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺盐酸盐、n-羟基琥珀酰亚胺，在25-30℃下反应40-50min，滴加端氨基超支化聚合物，搅拌22-26h，得到氨基化聚乙烯醇；

10、s2：取氧化石墨烯、氨基化聚乙烯醇、去离子水，搅拌均匀，得到粘结剂。

11、较为优化地，所述端氨基超支化聚合物的制备方法为：取二亚乙基三胺冷却至1℃，加入甲醇、丙烯酸甲酯混合液，反应4-5h，升温至145-150℃减压反应4-4.5h，制得端氨基超支化聚合物。

12、较为优化地，所述氧化石墨烯和氨基化聚乙烯醇的质量比为：(0.2-0.3)：30。

13、较为优化地，步骤三中，氨基化有机骨架材料-石墨烯复合物的制备方法为：取四氯化锆、2-氨基对苯二甲酸、n，n-二甲基甲酰胺，超声分散，加入纳米银，加入乙酸、氧化石墨烯，超声分散20-30min，搅拌10-15min，升温至120-125℃，反应15-17h，离心、洗涤、干燥，得到氨基化有机骨架材料-石墨烯复合物。

14、较为优化地，步骤三中，氨基化有机骨架材料-石墨烯复合物和铝的质量比为1：

15、(12-14)。

16、与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：

17、(1)石墨烯片层大，具有良好的导热性能，将其涂覆在引线框架表面可以起到良好的散热效果。银的导热系数为421w/(m·k)，可以更好地增强其散热作用。为了进一步增强引线框架的机械强度，本发明制备了一种含有氨基化有机骨架材料-石墨烯复合物的熔覆物料并将其用粘结剂涂覆在预处理基体表面进行引线框架的表面处理。将石墨烯与有机骨架材料复合，还在其上负载了纳米银，进一步增强了其散热效率和机械强度。

18、(2)本发明对有机骨架材料-石墨烯复合物进行了氨基化处理，本发明还制备了一种氨基化聚乙烯醇并将其添加至粘结剂中，聚乙烯醇上的氨基可以与有机骨架材料-石墨烯复合物上的氨基产生反应，从而改善了有机骨架材料-石墨烯复合物易团聚的问题，增强了引线框架的散热效率和机械强度。

技术特征：

1.一种msop半导体用散热型引线框架的制备方法，其特征在于：所述msop半导体用散热型引线框架的制备方法为，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种msop半导体用散热型引线框架的制备方法，其特征在于：所述合金铸锭包括以下重量百分比的原料：铁0.35-0.65％、锡1.5-2.6％、铬0.5-1.5％、镍0.3-0.6％、镁0.3-0.6％、铈0.2-0.6％、磷0.005-0.015％，余量为铜和不可避免的杂质。

3.根据权利要求1所述的一种msop半导体用散热型引线框架的制备方法，其特征在于：所述粘结剂的制备方法为，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的一种msop半导体用散热型引线框架的制备方法，其特征在于：所述端氨基超支化聚合物的制备方法为：取二亚乙基三胺冷却至1℃，加入甲醇、丙烯酸甲酯混合液，反应4-5h，升温至145-150℃减压反应4-4.5h，制得端氨基超支化聚合物。

5.根据权利要求3所述的一种msop半导体用散热型引线框架的制备方法，其特征在于：所述氧化石墨烯和氨基化聚乙烯醇的质量比为：(0.2-0.3)：30。

6.根据权利要求1所述的一种msop半导体用散热型引线框架的制备方法，其特征在于：步骤三中，氨基化有机骨架材料-石墨烯复合物的制备方法为：取四氯化锆、2-氨基对苯二甲酸、n，n-二甲基甲酰胺，超声分散，加入纳米银，加入乙酸、氧化石墨烯，超声分散20-30min，搅拌10-15min，升温至120-125℃，反应15-17h，离心、洗涤、干燥，得到氨基化有机骨架材料-石墨烯复合物。

7.根据权利要求1所述的一种msop半导体用散热型引线框架的制备方法，其特征在于：步骤三中，氨基化有机骨架材料-石墨烯复合物和铝的质量比为1：(12-14)。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的一种msop半导体用散热型引线框架的制备方法制备得到的一种msop半导体用散热型引线框架。

技术总结本发明涉及引线框架技术领域，具体为一种MSOP半导体用散热型引线框架及其制备方法。本发明制备了一种含有氨基化有机骨架材料‑石墨烯复合物的熔覆物料并将其用粘结剂涂覆在预处理基体表面进行引线框架的表面处理。将石墨烯与有机骨架材料复合，还在其上负载了纳米银，银的导热系数为421W/(m·K)，进一步增强了其散热效率和机械强度。本发明对有机骨架材料‑石墨烯复合物进行了氨基化处理，本发明还制备了一种氨基化聚乙烯醇并将其添加至粘结剂中，聚乙烯醇上的氨基可以与有机骨架材料‑石墨烯复合物上的氨基产生反应，从而改善了有机骨架材料‑石墨烯复合物易团聚的问题，增强了引线框架的散热效率和机械强度。技术研发人员：殷华强,曹刚,李昌峰,徐建岳受保护的技术使用者：江苏恒盈电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29