一种TO-263引线框架的制作方法

本技术涉及半导体封装，具体为一种to-263引线框架。

背景技术：

1、晶体管外形封装，英文简写为to(transistor outline)。to-263引线框架是目前大功率晶体管、中小规模集成电路等常采用的一种直插式的表面贴装封装框架，相对其他封装框架而言，由于其在散热能力和导通内阻方面具有不可替代的优势，广泛应用在大功率电子产品中。

2、to-263引线框架一般引出3个引脚作为电极，包括两侧的栅极g和源极s，以及中间的漏极d，这种引线框架的三个电极之间的爬电间距较小，在高电压作用下，会发生电压爬电的问题，容易导致产品损坏。因此，为了解决现有常用to-263引线框架在高电压作用时发生电压爬电导致产品损坏的问题，本专利提出一种改进的to-263引线框架。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种除尘装置，解决了现有常用to-263引线框架在高电压作用时发生电压爬电导致产品损坏的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种to-263引线框架，其特征在于，包括上边框、下边框、塑封体、第一引脚、第二引脚和漏极；所述上边框设置在所述塑封体的顶端，所述塑封体内部可焊接芯片，所述塑封体通过连接片与所述第一引脚和所述第二引脚相连，所述第一引脚和第二引脚的另一端均伸出所述塑封体外与所述下边框连接，所述塑封体背部设有漏极。

3、优选的，所述塑封体背部可设有散热片区，所述散热片区内设有散热片作为漏极。

4、优选的，所述上边框、所述下边框、所述塑封体、所述第一引脚、所述第二引脚以及所述漏极形成一个引线框架单元，相邻的两个所述引线框架单元通过连接筋相连。

5、优选的，所述连接筋中设有腰孔。

6、与现有技术相比，本实用新型提供了一种to-263引线框架，具备以下有益效果：

7、通过将原有的漏极从栅极和源极之间改设在在引线框架背部，增大了电极之间的爬电间距，能够有效避免在高电压下发生的电压爬电问题，有利于提高封装产品的电性能和保障封装产品的安全。

技术特征：

1.一种to-263引线框架，其特征在于，包括上边框、下边框、塑封体、第一引脚、第二引脚和漏极；所述上边框设置在所述塑封体的顶端，所述塑封体内部可焊接芯片，所述塑封体通过连接片与所述第一引脚和所述第二引脚相连，所述第一引脚和第二引脚的另一端均伸出所述塑封体外与所述下边框连接，所述塑封体背部设有漏极。

2.根据权利要求1所述的一种to-263引线框架，其特征在于：所述塑封体背部可设有散热片区，所述散热片区内设有散热片作为漏极。

3.根据权利要求1所述的一种to-263引线框架，其特征在于：所述塑封体内为载片区、所述载片区可设有一个或多个基岛。

4.根据权利要求1所述的一种to-263引线框架，其特征在于：所述上边框、所述下边框、所述塑封体、所述第一引脚、所述第二引脚以及所述漏极形成一个引线框架单元，相邻的两个所述引线框架单元通过连接筋相连。

5.根据权利要求4所述的一种to-263引线框架，其特征在于：所述连接筋中设有腰孔。

技术总结本技术属于半导体封装技术领域，具体涉及一种TO‑263引线框架，包括上边框、下边框、塑封体、第一引脚、第二引脚和漏极；所述上边框设置在所述塑封体的顶端，所述塑封体内部可焊接芯片，所述塑封体通过连接片与所述第一引脚和所述第二引脚相连，所述第一引脚和第二引脚的另一端均伸出所述塑封体外与所述下边框连接，所述塑封体背部设有漏极。本技术提供了的TO‑263引线框架，能够有效避免在高电压下发生的电压爬电问题，有利于提高封装产品的电性能和保障封装产品的安全。技术研发人员：尧林平,陆美胭,李勇受保护的技术使用者：广州华微电子有限公司技术研发日：20231012技术公布日：2024/7/29