一种具有陶瓷盖的整流二极管的制作方法

本技术涉及二极管，特别是涉及一种具有陶瓷盖的整流二极管。

背景技术：

1、整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件，其包含一个pn结，有正极和负极两个端子。在pn结上焊接有一个电性的连接柱，以连接引线。但多数二极管为了提高散热能力，不会在pn结附近设置填充物，从而导致连接柱不稳定。如中国专利cn201810737044.0揭示了一种金属封装整流二极管及其制造方法，其包括管座，管芯组件，引线柱和管帽；管座和管帽分别形成第一、二电极；管芯组件焊接在管座上，引线柱的一端焊接在管芯组件上，另一端固定连接管帽；引线柱穿过管帽设置，管帽分别与管座和引线柱密封连接；引线柱由多股金属线编织形成，两端设置有用于紧固金属线的金属套。该二极管没有在连接柱附近设置填充物，并且用于散热稳定连接柱的管帽结构强度不够，容易与管座脱落，从而保证不了整流二极管的结构强度。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提供了一种具有陶瓷盖的整流二极管，以解决上述问题。

2、一种具有陶瓷盖的整流二极管，其包括一个管座，一个设置于所述管座上的管芯，一个设置于所述管芯的一端的引线组，以及一个设置于所述管座上的陶瓷盖。所述管芯包括一个设置于管座上的芯片，以及一个设置于所述芯片上的连接杆。所述陶瓷盖包括一个盖体，一个开设于所述盖体上的通孔，一个设置于所述盖体的一侧的凸出部，以及一个设置于所述凸出部的内侧壁上的第二螺纹部。所述连接杆的周向外侧壁与所述通孔的周向内侧壁相抵接。所述管座的周向外侧壁上开设有一个台阶部，该台阶部的一侧设置有第一螺纹部。所述凸出部设置于所述盖体朝向所述管座的一侧，所述第二螺纹部与所述第一螺纹部相匹配，所述凸出部的厚度与所述台阶部的厚度相同。

3、进一步地，所述管座上开设有一个用于容置所述管芯的容置腔室。

4、进一步地，所述管座远离所述容置腔室的一端设置有一个用于插设外部的一个电器件模块的固定螺柱。

5、进一步地，所述连接杆与所述芯片焊接固定，该连接杆远离所述芯片的一端与所述引线组的一端固定连接。

6、进一步地，所述引线组上套设有用于保护金属线的热缩管。

7、进一步地，所述热缩管的内壁紧贴所述引线组上的金属线。

8、与现有技术相比，本实用新型提供的具有陶瓷盖的整流二极管通过螺接于所述管座上的所述陶瓷盖，使得所述陶瓷盖固定设置于所述管座上，从而稳定了穿设于所述陶瓷盖上的所述连接杆，从而进一步的保护所述芯片，在保证了散热效果的同时，也提高了具有陶瓷盖的整流二极管的结构强度。

技术特征：

1.一种具有陶瓷盖的整流二极管，其特征在于：所述具有陶瓷盖的整流二极管包括一个管座，一个设置于所述管座上的管芯，一个设置于所述管芯的一端的引线组，以及一个设置于所述管座上的陶瓷盖，所述管芯包括一个设置于管座上的芯片，以及一个设置于所述芯片上的连接杆，所述陶瓷盖包括一个盖体，一个开设于所述盖体上的通孔，一个设置于所述盖体的一侧的凸出部，以及一个设置于所述凸出部的内侧壁上的第二螺纹部，所述连接杆的周向外侧壁与所述通孔的周向内侧壁相抵接，所述管座的周向外侧壁上开设有一个台阶部，该台阶部的一侧设置有第一螺纹部，所述凸出部设置于所述盖体朝向所述管座的一侧，所述第二螺纹部与所述第一螺纹部相匹配，所述凸出部的厚度与所述台阶部的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的具有陶瓷盖的整流二极管，其特征在于：所述管座上开设有一个用于容置所述管芯的容置腔室。

3.根据权利要求2所述的具有陶瓷盖的整流二极管，其特征在于：所述管座远离所述容置腔室的一端设置有一个用于插设外部的一个电器件模块的固定螺柱。

4.根据权利要求1所述的具有陶瓷盖的整流二极管，其特征在于：所述连接杆与所述芯片焊接固定，该连接杆远离所述芯片的一端与所述引线组的一端固定连接。

5.根据权利要求1所述的具有陶瓷盖的整流二极管，其特征在于：所述引线组上套设有用于保护金属线的热缩管。

6.根据权利要求5所述的具有陶瓷盖的整流二极管，其特征在于：所述热缩管的内壁紧贴所述引线组上的金属线。

技术总结一种具有陶瓷盖的整流二极管，其包括一个管座，一个设置于所述管座上的管芯，一个设置于所述管芯的一端的引线组，以及一个设置于所述管座上的陶瓷盖。所述管芯包括一个设置于管座上的芯片，以及一个设置于所述芯片上的连接杆。所述陶瓷盖包括一个盖体，一个开设于盖体上的通孔，一个设置于所述盖体的一侧的凸出部，以及一个设置于所述凸出部的内侧壁上的第二螺纹部。所述管座的周向外侧壁上开设有一个台阶部，该台阶部的一侧设置有第一螺纹部。所述第二螺纹部与所述第一螺纹部相匹配，该二极管通过螺接于所述管座上的所述陶瓷盖，使得所述陶瓷盖固定设置于所述管座上，从而稳定了穿设于所述陶瓷盖上的所述连接杆，从而进一步的保护所述芯片。技术研发人员：沈也超,张瑞明,沈嘉晨,周强受保护的技术使用者：嘉兴马莎半导体有限公司技术研发日：20231121技术公布日：2024/7/29