软解码可校正页辅助的参考电压跟踪的制作方法

本公开涉及用于读取非易失性存储设备中的数据的参考电压，尤其涉及用于软解码可校正页的跟踪参考电压。

背景技术：

1、现代计算系统发展的部分原因是由固态硬盘(ssd)的出现驱动的，固态硬盘显示出比传统硬盘更高的速度和延迟性能。与依赖于磁性来存储数据的硬盘驱动器不同，固态硬盘使用非易失性存储器(例如，nand或nor)设备来实现数据存储。非易失性存储设备是通过先进的工艺和组装技术制造的一系列集成电路，以实现存储单元的多层级垂直堆叠，使其成为小尺寸的颗粒和封装，实现高容量的存储。

2、数据被存储在非易失性存储设备的单元中。这些单元通常按页(page)组织，页按块(block)组织。字线耦合到一个页的所有单元的控制栅极，并由该页中的单元共享。通过将读取参考电压(vref)施加到字线，逐页读取数据。读取参考电压对于页的读取性能至关重要。最佳读取参考电压提供了最小的原始误码率(ber)值，因此提供了最佳的读取性能。

3、页的最佳读取参考电压随着非易失性存储设备的条件的改变而改变。这些条件包括生命周期、温度、数据静置时间、读取干扰量、字线在块中的位置等。因此，跟踪最佳参考电压对于非易失性存储控制器是一个挑战。通常，一页中的1的数量(1的计数)被广泛用于寻找最佳参考电压，因为围绕最佳读取参考电压的1的计数的变化很小。通过使用1的计数来寻找最佳参考电压对于每个vref是逐个完成的。要执行此过程，必须停止正常的数据通信，以获得每个参考电压的相应的1的计数。因此，本领域需要更有效地找到最佳参考电压。

技术实现思路

1、本公开提供了一种通过利用来自成功的软解码操作的解码结果来自适应地估计最佳读取参考电压的系统和方法。在一个示例性实施例中，提供了一种方法，该方法可以包括：使用一组软读取参考电压来读取存储在非易失性存储设备中的数据；在软解码过程中对从非易失性存储设备读取的数据进行解码，获得由该组软读取参考电压所划分的多个区域中的每个区域的1的数量和0的数量，确定该组软读取参考电压的软读取参考电压是第一区域的第一边界和第二区域的第二边界，其中第一区域的1的数量大于零的数量，第二区域的1的数量小于0的数量，并将调整后的软读取参考电压设置为未来读取操作的最佳读取参考电压。所述调整可以基于所述第一区域中的1的数量与0的数量相比的第一比较结果以及所述第二区域中的1的数量与0的数量相比的第二比较结果来获得。

2、在另一个示例性实施例中，提供了一种方法，该方法可以包括：使用一组软读取参考电压来读取存储在非易失性存储设备中的数据；在软解码过程中对从非易失性存储设备读取的数据进行解码；获得由该组软读取参考电压组所划分的多个区域中的每个区域的1的数量和0的数量，确定所述多个区域中的特定区域中的1的数量等于0的数量，并将第一软读取参考电压和第二软读取参考电压之间的电压值设置为用于未来读取操作的最佳读取参考电压。所述第一软读取参考电压可以是所述特定区域的下边界，并且所述第二软读取参考电压可以是所述特定区域的上边界。

3、在又一个示例性实施例中，提供了一种存储系统控制器。存储系统控制器可以包括非易失性存储设备、包括解码器的纠错码(ecc)引擎和处理器。该处理器可以被配置为：发出命令以使用一组软读取参考电压来读取存储在非易失性存储设备中的数据，在解码器在软解码过程中对从非易失性存储设备读取的数据进行解码之后，获得由该组软读取参考电压所划分的多个区域中的每个区域的1的数量和0的数量，确定是否有一个1的数量等于0的数量的区域，如果存在一个的1的数量等于0的数量的特定区域，将第一软读取参考电压和第二软读取参考电压之间的电压值设置为最佳读取参考电压。第一软读取参考电压可以是特定区域的下边界，并且第二软读取参考电压可以是特定区域的上边界。如果不存在1的数量等于0的数量的区域，该处理器还可以被配置为确定一组软读取参考电压中的软读取参考电压是第一区域的上边界和第二区域的下边界，其中第一区域的1的数量大于0的数量，其中第二区域的1的数量小于0的数量，并可以将调整后的的软读取参考电压设置为最佳读取参考电压。所述调整可以基于第一区域中的1的数量与0的数量相比的第一比较结果以及第二区域中的1的数量与0的数量相比的第二比较结果来获得。

技术特征：

1.一种方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整是所述第一比较结果和所述第二比较结果的线性函数或非线性函数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整由嵌套的三元运算确定为adjustment＝((|ozri1|+|ozri2|)>thr)？((|ozri2|>thr)？ozri1*γ:ozri2*δ):ozri1*α+ozri2*β，其中ozri1为所述第一比较结果，ozri2为所述第二比较结果，thr为预先设定的阈值，“*”为乘法运算符，γ、δ、α和β为正数。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一比较结果和所述第二比较结果分别由所述第一区域和所述第二区域中的1的数量减去0的数量来获得。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一比较结果和所述第二比较结果分别由所述第一区域和所述第二区域中的1的数量除以0的数量的除法结果的对数来获得。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在对从所述非易失性存储设备读取的所述数据进行解码之前对所述数据进行解扰。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非易失性存储设备包括多个单元，每个单元被配置为存储多位值，所述一组软读取参考电压是用于一个逻辑页的软读取操作的多组软读取参考电压中的一组，所述多组软读取参考电压中的每一组具有基于由所述多组软读取参考电压所划分的区域中的1的数量和0的数量获得的相应的最佳读取参考电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括使用一个或多个硬判决阈值电压对所述逻辑页执行一个或多个附加读取。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

10.一种方法，其特征在于，包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述电压值是所述第一软读取参考电压和所述第二软读取参考电压的线性函数或非线性函数。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述电压值被设置为等于所述第一软读取参考电压乘以α与所述第二软读取参考电压乘以β之和，其中，α和β是正数。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述电压值被设置为等于(vs12+vs22)0.5/20.5，其中vs1是所述第一软读取参考电压，vs2是所述第二软读取参考电压。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括在对从所述非易失性存储设备读取的所述数据进行解码之前对所述数据进行解扰。

15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述非易失性存储设备包括多个单元，每个单元被配置为存储多位值，所述一组软读取参考电压是用于一个逻辑页的软读取操作的多组软读取参考电压中的一组，所述多组软读取参考电压中的每一组具有基于由所述多组软读取参考电压所划分的区域中的1的数量和0的数量获得的相应的最佳读取参考电压。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括使用一个或多个硬判决阈值电压对所述逻辑页执行一个或多个附加读取。

17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括：

18.一种存储系统控制器，其特征在于，包括：

19.根据权利要求18所述的存储系统控制器，其特征在于，所述调整是所述第一比较结果和所述第二比较结果的线性函数或非线性函数。并且所述第一比较结果和所述第二比较结果分别由所述第一区域和所述第二区域中的1的数量减去0的数量来获得，或者分别由所述第一区域和所述第二区域中的1的数量除以0的数量的除法结果的对数来获得。

20.根据权利要求18所述的存储系统控制器，其特征在于，所述处理器还被配置为在对从所述非易失性存储设备读取的所述数据进行解码之前对所述数据进行解扰。

技术总结本发明提供了一种确定用于在非易失性存储设备中读取数据的最佳读取参考电压的系统和方法。一种方法可以包括使用一组软读取参考电压读取存储在非易失性存储设备中的数据，对数据进行解码，并获得由该组软读取参考电压所划分的多个区域中的每个区域的1的数量和0的数量，确定其中一个软读取参考电压是一个区域的边界以及另一个区域的边界，在该一个区域中1的数量与0的数的比较结果大于零，在该另一个区域中1的数量与0的数量的比较结果小于零，并将调整后的软读取参考电压设置为最佳读取参考电压。该调整可以基于两个比较结果来获得。技术研发人员：请求不公布姓名受保护的技术使用者：英韧科技（上海）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16