用于多电平存储器单元编程的改进技术的制作方法

涉及用于多电平存储器单元编程的改进技术。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。举例来说，二进制存储器单元可编程到通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，其中任一者可被存储。为了存取所存储信息，组件可读取(例如感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，组件可写入(例如编程、设置、指派)存储器装置中的状态。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术及其它。存储器单元可依据易失性配置或非易失性配置进行描述。以非易失性配置来配置的存储器单元可长时间保存所存储逻辑状态，即使缺少外部电源。以易失性配置来配置的存储器单元在与外部电源断开时会丢失所存储状态。

技术实现思路

1、描述一种用于操作存储器阵列的方法。所述方法可包含：接收将第一逻辑状态存储于包括硫属化物材料的存储器单元中的第一命令，其中所述存储器单元用于存储三种或更多种逻辑状态；将具有第一极性的第一脉冲作为擦除操作的部分施加到多个存储器单元以将与所述第一逻辑状态不同的第二逻辑状态存储于所述多个存储器单元中，所述多个存储器单元包括所述存储器单元；及至少部分基于将所述第一脉冲施加到所述多个存储器单元来将具有第二极性的一或多个第二脉冲作为写入操作的部分施加到所述存储器单元以将所述第一逻辑状态存储于所述存储器单元中。

2、描述一种用于操作存储器阵列的方法。所述方法可包含：接收将第一逻辑状态存储于包括硫属化物材料的存储器单元中的命令，其中所述存储器单元用于存储包括以下的三种或更多种逻辑状态：与第一阈值电压相关联的第二逻辑状态、与第二阈值电压相关联的第三逻辑状态及与所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间的中间阈值电压相关联的所述第一逻辑状态；将具有第一极性的第一脉冲作为擦除操作的部分施加到多个存储器单元，所述多个存储器单元包括所述存储器单元；及至少部分基于将所述第一脉冲施加到所述多个存储器单元来将具有第二极性的一或多个第二脉冲作为所述擦除操作的部分施加到所述多个存储器单元以将所述第一逻辑状态存储于所述多个存储器单元中。

3、描述一种用于操作存储器阵列的设备。所述设备可包含：处理器；存储器，其与所述处理器耦合；及指令，其存储于所述存储器中且可由所述处理器执行以致使所述设备：接收将第一逻辑状态存储于包括硫属化物材料的存储器单元中的第一命令，其中所述存储器单元用于存储三种或更多种逻辑状态；将具有第一极性的第一脉冲作为擦除操作的部分施加到多个存储器单元以将与所述第一逻辑状态不同的第二逻辑状态存储于所述多个存储器单元中，所述多个存储器单元包括所述存储器单元；及至少部分基于将所述第一脉冲施加到所述多个存储器单元来将具有第二极性的一或多个第二脉冲作为写入操作的部分施加到所述存储器单元以将所述第一逻辑状态存储于所述存储器单元中。

技术特征：

1.一种用于操作存储器阵列的方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一电流与所述一或多个第二脉冲的持续时间、所述一或多个第二脉冲的数量或其任何组合相关联。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三脉冲的第一电流与用于对所述第一逻辑状态编程的所述一或多个第二脉冲的第二电流不同。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将具有所述第二极性的所述一或多个第二脉冲施加到所述存储器单元进一步包括：

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述擦除操作是异步操作。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述擦除操作包括用于擦除存储器单元块的块擦除操作，所述存储器单元块包括所述多个存储器单元。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一逻辑状态包括中间逻辑状态，所述第二逻辑状态包括复位状态，且第三逻辑状态包括设置状态。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

13.根据权利要求1所述的方法，其中用于由所述存储器单元存储的所述三种或更多种逻辑状态包括与第一阈值电压相关联的所述第二逻辑状态、与第二阈值电压相关联的第三逻辑状态及至少部分基于一或多个读取脉冲的极性与用于对所述第一逻辑状态编程的所述一或多个第二脉冲的所述第二极性相同来与所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间的中间阈值电压相关联的所述第一逻辑状态。

14.一种用于操作存储器阵列的方法，其包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一电流与所述一或多个第二脉冲的持续时间、所述一或多个第二脉冲的数量或其任何组合相关联。

18.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

19.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

20.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述第一脉冲的第一电流与用于对所述第一逻辑状态编程的所述一或多个第二脉冲的第二电流不同。

22.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述第三脉冲的第一电流与用于对所述第一逻辑状态编程的所述一或多个第二脉冲的第二电流不同。

24.根据权利要求14所述的方法，其中将具有所述第二极性的所述一或多个第二脉冲施加到所述存储器单元进一步包括：

25.一种用于操作存储器阵列的设备，其包括：

技术总结本申请案涉及用于多电平存储器单元编程的改进技术。存储器阵列可接收将第一逻辑状态存储于用于存储三种或更多种逻辑状态的存储器单元中的第一命令。所述存储器阵列可将具有第一极性的第一脉冲作为擦除操作的部分施加到多个存储器单元以将与所述第一逻辑状态不同的第二逻辑状态存储于所述多个存储器单元中，其中所述多个存储器单元包含所述存储器单元。所述存储器阵列可基于施加所述第一脉冲来将具有第二极性的一或多个第二脉冲作为写入操作的部分或作为所述擦除操作的部分施加到所述存储器单元以将所述第一逻辑状态存储于所述存储器单元中。技术研发人员：I·C·S·托尔托雷利,A·塞巴斯蒂亚尼,M·罗布斯泰利,M·C·S·因帕拉受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16