用于存储器装置中的媒体管理的写入错误计数器的制作方法

本文中所公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，且更明确地说，涉及但不限于用于存储器装置中的媒体管理和/或操作控制的写入错误计数器。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有通常由逻辑“1”或逻辑“0”标示的两种状态。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可以读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可以在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。除非通过外部电源周期性地刷新，否则易失性存储器单元可能随时间推移而丢失其所存储状态。

3、存储装置为存储器装置的实例。典型计算机存储装置具有从主机计算机接收数据存取请求且执行经编程的计算任务以实施所述请求的控制器，其方式可特定针对于在存储装置中配置的媒体和结构。在一个实例中，存储器控制器管理存储在存储器中的数据且与计算机装置通信。在一些实例中，存储器控制器在固态硬盘中使用，以供移动装置或膝上型计算机或数码相机中使用的媒体使用。

4、固件可用于操作特定存储装置的存储器控制器。在一个实例中，当计算机系统或装置从存储器装置读取数据或将数据写入到存储器装置时，其与存储器控制器通信。

5、存储器装置通常将数据存储在存储器单元中。在一些状况下，存储器单元展现可来源于各种因素的非均一、可变电特性，所述因素包含统计过程变化、循环事件(例如，存储器单元上的读取或写入操作)或漂移(例如，硫族化物合金的电阻变化)等等。

6、在一个实例中，读取数据集(例如，码字或页)是通过确定储存数据集的存储器单元的读取电压(例如，阈值电压的经估计中值)来实行。在一些状况下，存储器装置可包含布置成例如交叉点架构的3d架构的pcm单元阵列，以存储数据集。交叉点架构中的pcm单元可表示与第一组阈值电压相关联的第一逻辑状态(例如，逻辑1、set状态)，或与第二组阈值电压相关联的第二逻辑状态(例如，逻辑0、reset状态)。在一些状况下，数据可使用编码(例如，纠错编码(ecc))来存储以从存储于存储器单元中的数据中的错误来恢复数据。

7、对于电阻可变存储器单元(例如，pcm单元)，可设置多个状态(例如，电阻状态)中的一个。举例来说，单层级单元(slc)可编程为两个状态(例如，逻辑1或0)中的一个，这可取决于单元编程为高于还是低于特定电平的电阻。作为额外实例，各种电阻可变存储器单元可编程成对应于多个数据状态的多个不同状态中的一个，例如，10、01、00、11、111、101、100、1010、1111、0101、0001等。此类单元可被称为多状态单元、多数字单元和/或多层级单元(mlc)。

8、可通过响应于所施加的询问电压而感测通过电阻可变存储器单元的电流来确定(例如，读取)所述单元的状态。基于单元的电阻而变化的所感测电流可指示单元的状态(例如，由单元存储的二进制数据)。经编程的电阻可变存储器单元的电阻可随时间推移而漂移(例如，偏移)。电阻漂移可导致错误地感测电阻可变存储器单元(例如，确定单元处于其已编程为的状态以外的状态中，以及其它问题)。

9、pcm单元例如可编程成复位状态(非晶状态)或置位状态(结晶状态)。复位脉冲(例如，用于将单元编程成复位状态的脉冲)可包含在相对较短时间段内施加到单元的相对较高电流脉冲，使得单元的相变材料熔融且快速冷却，从而产生相对较少量的结晶。相反，置位脉冲(例如，用于将单元编程成置位状态的脉冲)可包含在相对较长时间间隔内以较慢快淬速度施加到单元的相对较低电流脉冲，其导致相变材料的结晶增加。

10、编程信号可施加到所选存储器单元以将所述单元编程成目标状态。读取信号可施加到所选存储器单元以读取所述单元(例如，确定所述单元的状态)。编程信号和读取信号可为例如电流和/或电压脉冲。

技术实现思路

1、在一方面中，本公开提供一种设备，其包括：计数器；存储器阵列，其具有多个存储器单元；及至少一个控制器，其经配置以：在写入操作期间将第一脉冲施加到存储器阵列中的存储器单元；在施加第一脉冲之后，将第二脉冲施加到存储器单元；确定存储器单元是否由于施加第二脉冲而跳变；响应于确定存储器单元未由于施加第二脉冲而跳变，使用计数器使写入错误的计数递增；确定所述计数是否已达到阈值；及响应于确定所述计数已达到阈值，执行与存储器阵列相关联的动作。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中与所述存储器阵列相关联的所述动作是作为所述写入操作的一部分将第三脉冲施加到所述存储器单元，且所述第三脉冲具有比所述第一或第二脉冲的电压量值大的电压量值。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元为相变存储器单元，且所述第一脉冲用于漂移消除。

4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括感测放大器，其中确定所述存储器单元是否跳变包括使用所述感测放大器来感测与所述存储器单元相关联的电流或电压。

5.根据权利要求1所述的设备，其中确定所述存储器单元是否跳变包括确定与所述存储器单元相关联的电流是否超过阈值。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：

7.根据权利要求1所述的设备，其中：

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二脉冲的电压量值大于所述第一脉冲的电压量值。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经进一步配置以在用于所述存储器单元的写入操作期间执行写入验证。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一脉冲和所述第二脉冲是使用所述存储器阵列的字线和位线来施加。

技术总结本公开涉及一种用于存储器装置中的媒体管理的写入错误计数器。本发明提供与存储器装置有关的系统、方法和设备。在一个方法中，存储器装置包含感测放大器、计数器，和具有存储器单元的存储器。存取线用于选择所述存储器单元以用于执行写入操作。所述存储器装置包含控制器以控制将电压施加到所述存储器单元。所述电压是在写入操作期间使用所述存取线来施加。所述感测放大器用于确定所述存储器单元是达到阈值状态还是跳变。响应于确定所述存储器单元未跳变，写入错误计数使用所述计数器而递增。所述控制器读取所述计数器以确定所述写入错误计数，且基于所述写入错误计数，所述控制器执行一或多个媒体管理或存储器装置控制动作。技术研发人员：J·C·M·桑肯受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15