使用非对称单元设计改进写入延时及能量的制作方法

涉及使用非对称单元设计改进写入延时及能量。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。举例来说，二进制存储器单元可编程到通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，其中任一者可被存储。为了存取所存储信息，组件可读取(例如感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，组件可写入(例如编程、设置、指派)存储器装置中的状态。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术及其它。存储器单元可依据易失性配置或非易失性配置进行描述。以非易失性配置来配置的存储器单元可长时间保存所存储逻辑状态，即使缺少外部电源。以易失性配置来配置的存储器单元在与外部电源断开时会丢失所存储状态。

技术实现思路

1、描述一种方法。所述方法可包含：在存储器装置处接收将第一逻辑状态写入到一组存储器单元的第一子集及将第二逻辑状态写入到所述一组存储器单元的第二子集的命令，其中所述一组存储器单元中的每一存储器单元经由具有第一接触面积的第一电极与第一存取线耦合且经由具有与所述第一接触面积不同的第二接触面积的第二电极与相应第二存取线耦合；在第一持续时间期间且响应于所述命令将第一电压施加到所述第一存取线，其中在所述第一持续时间期间，所述第二子集的至少一个存储器单元定限且所述第一子集的至少一个存储器单元至少部分基于将所述第一电压施加到所述第一存取线来写入到所述第一逻辑状态，所述定限至少部分基于所述第二接触面积与所述第一接触面积不同；及在所述第一持续时间之后的第二持续时间期间且响应于所述命令将第二电压施加到所述第一存取线，其中在所述第二持续时间期间，所述第二子集的所述至少一个存储器单元至少部分基于将所述第二电压施加到所述第一存取线来写入到所述第二逻辑状态。

2、描述另一方法。所述方法可包含：在存取操作的第一部分期间将第一逻辑状态写入到一组存储器单元的第一子集的存储器单元，其中所述一组存储器单元中的每一存储器单元经由具有第一接触面积的第一电极与第一存取线耦合且经由具有与所述第一接触面积不同的第二接触面积的第二电极与相应第二存取线耦合；在存取操作的所述第一部分期间且与将所述第一逻辑状态写入到所述第一子集并发地定限所述一组存储器单元的第二子集的存储器单元，所述定限至少部分基于所述第二接触面积与所述第一接触面积不同；及在所述存取操作的第二部分期间至少部分基于所述定限将第二逻辑状态写入到所述第二子集的所述存储器单元。

3、描述一种设备。所述设备可包含：一组存储器单元；第一存取线，其中所述一组存储器单元中的每一存储器单元经由具有第一接触面积的第一电极与所述第一存取线耦合；一组第二存取线，其中所述一组存储器单元中的每一存储器单元经由具有与所述第一接触面积不同的第二接触面积的第二电极与相应第二存取线耦合；及控制器，其与所述第一存取线及所述一组第二存取线耦合，所述控制器经配置以致使所述设备：接收将第一逻辑状态写入到所述一组存储器单元的第一子集及将第二逻辑状态写入到所述一组存储器单元的第二子集的命令；在第一持续时间期间且响应于所述命令将第一电压施加到所述第一存取线，其中在所述第一持续时间期间，所述第二子集的至少一个存储器单元定限且所述第一子集的至少一个存储器单元至少部分基于将所述第一电压施加到所述第一存取线来写入到所述第一逻辑状态，所述定限至少部分基于所述第二接触面积与所述第一接触面积不同；及在所述第一持续时间之后的第二持续时间期间且响应于所述命令将第二电压施加到所述第一存取线，其中在所述第二持续时间期间，所述第二子集的所述至少一个存储器单元至少部分基于将所述第二电压施加到所述第一存取线来写入到所述第二逻辑状态。

4、描述另一设备。所述设备可包含：一组存储器单元；第一存取线，其中所述一组存储器单元中的每一存储器单元经由具有第一接触面积的第一电极与所述第一存取线耦合；一组第二存取线，其中所述一组存储器单元中的每一存储器单元经由具有与所述第一接触面积不同的第二接触面积的第二电极与相应第二存取线耦合；及控制器，其与所述第一存取线及所述一组第二存取线耦合，所述控制器经配置以致使所述设备：在存取操作的第一部分期间将第一逻辑状态写入到所述一组存储器单元的第一子集的存储器单元；在存取操作的所述第一部分期间且与将所述第一逻辑状态写入到所述第一子集并发地定限所述一组存储器单元的第二子集的存储器单元，所述定限至少部分基于所述第二接触面积与所述第一接触面积不同；及在所述存取操作的第二部分期间至少部分基于所述定限将第二逻辑状态写入到所述第二子集的所述存储器单元。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第三电压具有第一极性且所述第四电压具有与所述第一极性不同的第二极性。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一持续时间期间，所述第二子集的所述至少一个存储器单元至少部分基于写入到所述第二子集的所述至少一个存储器单元的先前逻辑状态来定限。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压具有第一极性且所述第二电压具有与所述第一极性不同的第二极性。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压的量值及所述第二电压的量值具有相同量值。

9.根据权利要求1所述的方法，其中与所述第一逻辑状态相关联的第一阈值电压的第一量值至少部分基于所述第二接触面积与所述第一接触面积不同而不同于与所述第二逻辑状态相关联的第二阈值电压的第二量值。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二量值小于所述第一量值。

11.根据权利要求9所述的方法，其中：

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组存储器单元中的每一存储器包括硫属化物材料。

13.一种方法，其包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述将所述第一逻辑状态写入到所述第一子集的所述存储器单元及所述定限所述第二子集的所述存储器单元包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一编程脉冲经施加到所述第一存取线。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述将所述第二逻辑状态写入到所述第二子集的所述存储器单元包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二编程脉冲经施加到所述第一存取线。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述定限是进一步至少部分基于在先前存取操作期间写入到所述第二子集的所述存储器单元的逻辑状态。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述一组存储器单元中的每一存储器单元包括硫属化物材料。

20.一种设备，其包括：

21.根据权利要求20所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

22.根据权利要求21所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

23.根据权利要求21所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

24.根据权利要求23所述的设备，其中所述第三电压具有第一极性且所述第四电压具有与所述第一极性不同的第二极性。

25.根据权利要求20所述的设备，其中在所述第一持续时间期间，所述第二子集的所述至少一个存储器单元至少部分基于写入到所述第二子集的所述至少一个存储器单元的先前逻辑状态来定限。

26.根据权利要求20所述的设备，其中所述第一电压具有第一极性且所述第二电压具有与所述第一极性不同的第二极性。

27.一种设备，其包括：

28.根据权利要求27所述的设备，其中为了将所述第一逻辑状态写入到所述第一子集的所述存储器单元且为了定限所述第二子集的所述存储器单元，所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

29.根据权利要求28所述的设备，其中为了将所述第二逻辑状态写入到所述第二子集的所述存储器单元，所述控制器进一步经配置以致使所述设备：

30.根据权利要求27所述的设备，其中所述定限是进一步至少部分基于在先前存取操作期间写入到所述第二子集的所述存储器单元的逻辑状态。

31.根据权利要求27所述的设备，其中所述一组存储器单元中的每一存储器单元包括硫属化物材料。

技术总结本申请涉及使用非对称单元设计改进写入延时及能量。存储器装置可实施基于非对称存储器单元设计使用低编程脉冲的编程方案。举例来说，非对称存储器单元可具有含不同接触面积(例如宽度)的电极且可因此偏压到期望极性(例如，经负偏压或正偏压)用于编程操作。即，非对称存储器单元设计可实现非对称读取窗预算。举例来说，非对称存储器单元可经极性偏压以支持基于极性偏压对逻辑状态进行编程操作。技术研发人员：M·罗布斯泰利,I·托尔托雷利受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15