存储器仿真方法与流程

本公开涉及半导体电路测试领域，特别涉及一种存储器仿真方法。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)通过一个晶体管连接一存储区的结构(1t1c)存储数据，其中晶体管通过字线(word line，wl)控制，wl导通时，存储区内的电荷与位线(bit line，bl)的电荷共享，以将目标存储区中的数据读出，或向目标存储区中写入数据。

2、然而，字线频繁开启或长时间开启会导致相邻存储区内的电荷丢失，即存储器的行锤击(row hammer)现象，可能导致存储区内存储的数据发生错误，申请人发现可以额外设置刷新逻辑，以通过刷新电路对频繁开启的字线和长时间开启的字线相邻存储区进行数据刷新，以保证各存储区内存储数据的准确性。

3、如何对刷新电路的功能进行测试，以确保刷新电路的正常工作，从而保证各存储区内存储数据的准确性，是当下亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种存储器仿真方法，用于测试刷新电路的补充刷新功能是否正常，从而保证各存储区内存储数据的准确性。

2、本公开实施例提供了一种存储器仿真方法，应用于存储器，存储器用于对符合预设场景的字线地址进行补充刷新，符合预设场景的字线地址包括：开启时间超过预设时间的字线地址的相邻地址，和/或被开启次数超过预设次数的字线地址的相邻地址，包括：向存储器提供第一刷新命令和第二刷新命令，并在第一刷新命令和第二刷新命令之间，向存储器提供多个字线开启命令；其中，字线开启命令的数量基于随机化种子生成，每一字线开启命令所对应的字线地址由相应的随机化种子产生，且每一字线开启命令所对应的开启时间由相应的随机化种子产生；获取存储器基于多个字线开启命令开启不同字线地址后，所需刷新的预设地址；获取存储器基于第二刷新命令所刷新的刷新字线地址；判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中。

3、通过模拟的存储器的正常工作环境，获取当前工作环境下，符合预设场景的预设地址，然后通过第二刷新命令刷新字线地址，判断预设地址+1和预设地址-1是否被刷新，以获取为存储器设计的补充刷新逻辑是否执行，从而实现对存储器的补充刷新功能进行测试。

4、另外，判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中，包括：若预设地址+1和预设地址-1位于刷新字线地址中，则存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能正常；若预设地址+1和预设地址-1未在刷新字线地址中，则存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能异常。

5、另外，向存储器提供第一刷新命令和第二刷新命令，包括：向存储器提供多个刷新命令，刷新命令的数量基于随机化种子生成，且相邻刷新命令之间的间隔基于不同随机化种子生成；其中，在相邻刷新命令的间隔内，以存储器已刷新的刷新命令作为第一刷新命令，以存储器未刷新的刷新命令作为第二刷新命令。

6、另外，不同刷新命令的间隔内，字线开启命令的数量基于不同随机化种子生成，相同字线开启命令的开启时间所对应的随机化种子的值不同，相同字线开启命令所开启的字线地址所对应的随机化种子的值不同，以模拟存储器在连续的正常工作环境下，存储器的补充刷新功能是否正常。

7、另外，不同刷新命令的间隔内，字线开启命令的数量所对应的随机化种子的值相同，相同字线开启命令的开启时间所对应的随机化种子的值相同，相同字线开启命令所开启的字线地址所对应的随机化种子的值相同，以通过设置多个刷新命令，且不同刷新命令之间的间隔不同，以获取存储器仅在刷新间隔不同的差异下，存储器的补充刷新功能是否正常。

8、另外，判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中后，还包括：对于不同的第二刷新命令，若存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能都正常，则存储器的补充刷新功能正常；对于不同的第二刷新命令，存在存储器基于第二刷新命令的补充刷新功能异常，则存储器的补充刷新功能异常。

9、另外，完成判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中的判断后，还包括：调整刷新命令的数量所对应的随机化种子的数值；调整每两个相邻的刷新命令之间的间隔所对应的不同随机化种子的数值；调整每两个相邻的刷新命令之间的字线开启命令的数量所对应的不同随机化种子的数值；调整每一字线开启命令的开启时间所对应的随机化种子的值；调整每一字线开启命令所开启的字线地址所对应的随机化种子的值；再次判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中，通过反复调整各个随机化种子的值，以实现反复测试，以提高测试结果的说服力。

10、另外，存储器仿真方法，还包括：将获取的预设地址存储在判断模块中；将获取的刷新字线地址存储在判断模块中；判断预设地址+1和预设地址-1是否位于刷新字线地址中，在判断模块中自动化执行，通过实行测试自动化，节约测试结果判断所需的人力资源，且机器判断相比于人工判断，速度更快，准确率更高。

11、另外，存储器仿真方法，还包括：若判断预设地址+1和预设地址-1未在刷新字线地址中，输出未刷新的地址，输出未刷新的地址，便于工程师对存储器的补充刷新功能进行改进。

12、另外，存储器仿真方法，还包括：若判断预设地址+1和预设地址-1未在刷新字线地址中，输出相应的第一刷新命令和第二刷新命令之间所有随机化种子所对应的值，输出随机化种子的值，即输出对应的测试环境，便于工程师对存储器的补充刷新功能进行改进。

13、另外，预设地址为开启时间超过预设时间的字线地址，和/或开启次数超过预设次数的字线地址。

14、另外，预设时间设置值小于存储器电位翻转开启时间；电位翻转开启时间为：当字线地址的相邻地址的存储单元发生电位翻转时，字线地址的开启时间，通过预设时间设置值小于存储器电位翻转开启时间，以确保在测试条件下补充刷新功能正常的存储器在投入使用后，补充刷新功能仍正常。

15、另外，预设次数设置值小于存储器电位翻转开启次数；电位翻转开启次数为：当字线地址的相邻地址的存储单元发生电位翻转时，字线地址的开启次数，预设次数设置值小于存储器电位翻转开启次数，以确保在测试条件下补充刷新功能正常的存储器在投入使用后，补充刷新功能仍正常。

16、另外，刷新命令的数量基于随机化种子生成，包括：预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应刷新命令的数量，基于随机化种子产生的整数，对应生成相应数量的刷新命令；刷新命令之间的间隔基于随机化种子生成，包括：预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应的刷新命令之间的时间间隔，基于随机化种子产生的整数，对应相应时间间隔插入刷新命令。

17、另外，字线开启命令的数量基于随机化种子生成，包括：预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应字线开启命令的数量，基于随机化种子产生的整数，对应生成相应数量的字线开启命令；每一字线开启命令所对应的字线地址由随机化种子产生，包括：预先设置随机化种子产生范围内每一整数所对应的字线地址，基于随机化种子产生的整数，基于字线开启命令开启相应字线地址；每一字线开启命令所对应的开启时间由相应的随机化种子产生，包括：预设设置随机化种子产生范围内每一整数所对应的开启时间，基于随机化种子产生的整数，对应提供相应开启时长的字线开启命令。