一种存储设备的制作方法

本发明涉及存储设备，尤其涉及一种可优化片上电源连接方式的存储设备。

背景技术：

1、依据应用，输入标准/输出标准具有不同的电源电压(power)。例如，低功率双倍数据速率(lpddr)标准中使用了各种电源电压，用于移动计算机(例如，智能手机和平板电脑)与同步动态随机存取存储器(synchronous dynamic random access memory，简称sdram)之间的接口。在lpddr3标准中，标称电源电压为1.2v，而对于lpddr4x(简称lp4x)标准，标称电源电压为0.6v。一般而言，为了节省功率，更现代的标准会降低电源电压。

2、随着系统(system)的电源电压越来越低，其数据速率(data rate)逐渐升高，使得存储设备(memory device)和片上系统(soc)的直接特性之一、数据的信号完整性(signalintegrity)的特性变得尤为重要。存储设备的数据的信号完整性是从存储芯片(memorychip)内部的组合电路(combination)的抖动(jitter)衍生出来的，这是因为芯片内部存在电源噪声(power noise)。

3、封装体(package)的各电源焊球(power ball)直接与存储芯片内部的各电源焊垫(power pad)连接使用。现有的片上电源连接方式一般为：封装体的vddq焊球与存储芯片内部的vddq焊垫连接，主要用于为与dq/dqs的读/写路径(read/write path)相关的电路供电，例如数据信号驱动器(dq driver)、数据信号序列器(dq serializer)等。在现有的存储设备中，由于经由vddq焊垫通过的电源电压不只用于为数据信号驱动器供电，还用于为存储芯片内部的数据路径(data path)电路供电，因此存在电源噪声，导致数据的信号完整性的特性不好。

4、因此，亟需一种解决上述问题的方法。

技术实现思路

1、本发明的目的在于，提供一种存储设备，可以优化片上电源连接方式，保证良好的数据的信号完整性的特性。

2、为了实现上述目的，本发明提供了一种存储设备，包括：一第一电源电压焊垫，设置于存储芯片内部，并连接至设置于封装体上的一第一电源电压焊球，以用于为所述存储芯片内部的第一路径电路供电；一第二电源电压焊垫，设置于所述存储芯片内部，并连接至所述第一电源电压焊球，以用于为所述存储芯片内部的第二路径电路供电；以及一第三电源电压焊垫，设置于所述存储芯片内部，并连接至设置于所述封装体上的一第二电源电压焊球，以用于为所述存储芯片内部的第三路径电路供电。

3、本发明存储设备，通过将封装体的vddq焊球与存储芯片内部的vddq焊垫连接，并仅用于为存储芯片内部的数据信号驱动器供电；并在存储芯片内部增设一vdd2焊垫，两vdd2焊垫相互分隔并均与封装体的vdd2焊球连接，其中一vdd2焊垫用于为存储芯片内部的组合电路供电，另一vdd2焊垫用于为存储芯片内部的控制路径供电，优化了片上电源连接方式，避免了电源噪声，实现保证良好的数据的信号完整性的特性。

技术特征：

1.一种存储设备，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述第一电源电压焊垫与所述第二电源电压焊垫形成于同一金属层中，且相互分隔。

3.如权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述第一电源电压焊球为vdd2焊球，所述第一电源电压焊垫与所述第二电源电压焊垫均为vdd2焊垫。

4.如权利要求3所述的存储设备，其特征在于，

5.如权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述第二电源电压焊球为vddq焊球，所述第三电源电压焊垫为vddq焊垫；所述第三路径电路包括数据信号驱动器。

6.如权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述存储设备还包括：

7.如权利要求6所述的存储设备，其特征在于，所述第三路径电路包括第一数据信号驱动器、第二数据信号驱动器以及多路输出选择器；

8.如权利要求7所述的存储设备，其特征在于，所述第一数据信号驱动器为低功率双倍数据速率4数据信号驱动器，所述第二数据信号驱动器为低功率双倍数据速率4x数据信号驱动器。

9.如权利要求1或7所述的存储设备，其特征在于，所述存储设备还包括电压发生器，所述电压发生器包括；

10.如权利要求9所述的存储设备，其特征在于，所述第一模式选择信号为lp4使能信号，所述第二模式选择信号为lp4x使能信号；

技术总结本发明公开了一种存储设备，通过将封装体的VDDQ焊球与存储芯片内部的VDDQ焊垫连接，并仅用于为存储芯片内部的数据信号驱动器供电；并在存储芯片内部增设一VDD2焊垫，两VDD2焊垫相互分隔并均与封装体的VDD2焊球连接，其中一VDD2焊垫用于为存储芯片内部的组合电路供电，另一VDD2焊垫用于为存储芯片内部的控制路径供电，优化了片上电源连接方式，避免了电源噪声，实现保证良好的数据的信号完整性的特性。技术研发人员：请求不公布姓名受保护的技术使用者：提米芯创（上海）科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15