一种存储器芯片电压调整方法、装置、设备和介质与流程

本技术涉及存储器数据处理，尤其是涉及一种存储器芯片电压调整方法、装置、设备和介质。

背景技术：

1、随着科学技术的进步和发展，存储器芯片不仅是存储器中的重要存储信息载体，并且存储器芯片的良率对于芯片的发展和应用有着重要的作用。

2、一般地，会向存储器内输入数据，并在存储器完成存储后对存储数据进行读取，当读取到的数据与预先输入数据不同时，则直接确定上述存储器为不合格存储器；进一步地，由于存储器芯片电压影响着存储器芯片电路的性能，如存储准确率，即当存储器芯片电压未处于正常状态时，会导致存储器无法正常存储数据，因此当确定为不合格时，相关技术会直接将存储器芯片的电压调整至预设电压值，并重复上述检测步骤对存储器进行第二次检测。

3、然而，存储器芯片电压的调整受多个因素的影响，若直接根据预设电压值进行调整并对调整后的存储器进行检测可能导致存储器检测结果仍然为不合格，可见相关技术调整存储器芯片电压值的方式不合理，容易导致存储器检测结果准确性较低。

技术实现思路

1、为了提高存储器检测结果准确性，本技术提供一种存储器芯片电压调整方法、装置、设备和介质。

2、第一方面，本技术提供一种存储器芯片电压调整方法，采用如下的技术方案：

3、一种存储器芯片电压调整方法，包括：

4、当接收到电压调整请求时，获取目标存储器芯片的目标配置参数和温度参数；

5、基于第一目标对应关系和所述目标配置参数，确定与所述目标配置参数对应的调整电压，所述第一目标对应关系为存储器芯片的配置参数与调整电压之间的对应关系；

6、将所述温度参数与预设的温度修正函数进行匹配，确定与所述目标配置参数对应的修正电压；基于所述调整电压和所述修正电压生成电压调整信号，并基于所述电压调整信号对所述目标存储器芯片进行调整。

7、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为，所述将所述温度参数与预设的温度修正函数进行匹配，确定与所述目标配置参数对应的修正电压之前，所述方法还包括：

8、从预设存储器芯片数据库中筛选出与所述目标配置参数相匹配的n个参考存储器芯片，其中，所述n为大于或等于1的整数；

9、获取目标参考存储器芯片的多个历史修正信息，其中，所述目标参考存储器芯片为所述n个参考存储器芯片中的任意一个存储器芯片，所述多个历史修正信息中的每个历史修正信息均包括多个历史温度参数和所述多个历史温度参数中每个历史温度参数所对应的多个历史修正电压；

10、基于所述历史温度参数、所述历史修正电压和最小二乘法构造所述温度修正函数。

11、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为，所述基于所述历史温度参数、所述历史修正电压和最小二乘法构造所述温度修正函数，包括：

12、确定所述多个历史温度参数中每个历史温度参数所对应的目标平均历史修正电压；

13、根据所述目标平均历史修正电压确定所述多个历史温度参数中相邻历史温度参数之间的平均历史修正电压差值；

14、根据所述平均历史修正电压差值确定函数类别；

15、根据所述多个历史温度参数、所述目标平均历史修正电压、所述函数类别以及所述最小二乘法生成所述温度修正函数。

16、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为，所述当接收到电压调整请求时，获取目标存储器芯片的目标配置参数和温度参数之前，所述方法还包括：

17、获取目标存储器的外表面温度参数和目标存储器芯片负载，所述目标存储器为与所述目标存储器芯片对应的存储器；

18、基于预设的温度关系式、所述外表面温度参数和所述目标存储器芯片负载，确定所述温度参数。

19、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为，所述基于所述电压调整信号对所述目标存储器芯片进行调整之后，所述方法还包括：

20、控制检测装置对所述目标存储器重新进行检测，并获取检测后的检测结果，所述检测结果包括：存储成功或存储失败；

21、当所述检测结果为存储失败时，获取检测频次，并判断所述检测频次是否达到预设检测频次阈值；

22、若所述检测频次未达到预设检测频次阈值，则控制所述检测装置对所述目标存储器重新进行检测；

23、若所述检测频次达到预设检测频次阈值，则确定所述目标存储器为不合格存储器。

24、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为，所述获取目标存储器芯片的目标配置参数和温度参数之前，还包括：

25、获取当前周期内不合格存储器的第一数量；

26、基于所述第一数量和第二数量，确定不合格存储器比例，所述第二数量为所述当前周期内已完成检测的存储器和未完成检测的存储器的数量之和；

27、判断所述不合格存储器比例是否达到预设不合格存储器比例阈值；

28、若所述不合格存储器比例达到预设不合格存储器比例阈值，则生成检测异常报警信号，以对所述检测装置进行检测；

29、若所述不合格存储器比例未达到预设不合格存储器比例阈值，则执行获取目标存储器芯片的目标配置参数和温度参数。

30、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为，所述基于所述电压调整信号对所述目标存储器芯片进行调整之前，还包括：

31、确定缺失数据的位置信息，所述缺失数据为所述目标存储器芯片中缺失数据；

32、基于第二目标对应关系和所述位置信息，确定与所述位置信息对应的存储地址，所述第二目标对应关系为位置信息和存储地址之间的对应关系；

33、所述基于所述电压调整信号对所述目标存储器芯片进行调整，包括：

34、基于所述电压调整信号和所述存储地址对所述目标存储器芯片进行调整。

35、第二方面，本技术提供一种存储器芯片调整装置，采用如下的技术方案：

36、一种存储器芯片调整装置，包括：

37、获取模块，用于当接收到电压调整请求时，获取目标存储器芯片的目标配置参数和温度参数；调整电压确定模块，用于基于第一目标对应关系和所述目标配置参数，确定与所述目标配置参数对应的调整电压，所述第一目标对应关系为存储器芯片的配置参数与调整电压之间的对应关系；

38、修正电压确定模块，用于将所述温度参数与预设的温度修正函数进行匹配，确定与所述目标配置参数对应的修正电压；

39、调整模块，用于基于所述调整电压和所述修正电压生成调整电压信号，并基于所述电压调整信号对所述目标存储器芯片进行调整。

40、第三方面，本技术提供一种电子设备，采用如下的技术方案：

41、至少一个处理器；

42、存储器；

43、至少一个应用程序，其中至少一个应用程序被存储在存储器中并被配置为由至少一个处理器执行，所述至少一个应用程序配置用于：执行如第一方面任一项所述的存储器芯片电压调整方法。

44、第四方面，本技术提供一种计算机可读存储介质，采用如下的技术方案：

45、一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机中执行时，令所述计算机执行如第一方面任一项所述的存储器芯片电压调整方法。

46、综上所述，本技术包括以下有益技术效果：

47、获取存储器芯片的配置参数和温度参数；在不同电压下，不同存储器芯片的存储准确率不同，而不同的存储器芯片对应配置参数也不同，因而根据第一目标对应关系确定与配置参数对应的调整电压可以有效提高确定调整电压的准确性；随着温度的变化，存储器芯片电压也会随之变化，因而需要根据温度参数和温度修正函数确定修正电压，以使用修正电压对调整电压进行修正，以得到更准确的调整电压；再根据调整电压和修正电压生成电压调整信号以对存储器芯片进行调整，相较于相关技术中直接根据预设调整电压值对存储器芯片电压进行调整，本技术在考虑存储器芯片本身配置和温度参数对存储器存储数据影响的情况下，解决了相关技术中由于确定调整电压不合理导致存储器检测结果准确性较低的问题。