评估背景泄漏以选择存储器装置中的写入电压的制作方法

本文公开的至少一些实施例大体上涉及存储器装置，更特定来说(但不限于)评估背景泄漏以选择用于在执行写入操作时施加到存储器单元的写入电压的存储器装置。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者)中存储信息。信息通过编程存储器装置的不同状态来存储。举例来说，二进制装置具有通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两个状态。在其它系统中，可存储两个以上状态。为了存取经存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元即使不存在外部电源也可长时间维持其存储的逻辑状态。易失性存储器单元可随时间推移而丢失其经存储状态，除非其通过外部电源周期性地刷新。

3、存储装置是存储器装置的实例。典型计算机存储装置具有控制器，其从主机计算机接收数据存取请求且执行经编程计算任务，以按特定于存储装置中配置的媒体及结构的方式来实施所述请求。在一个实例中，存储器控制器管理存储在存储器中的数据且与计算机装置通信。在一些实例中，存储器控制器用在用于移动装置或膝上型计算机中的固态驱动器或用于数码相机中的媒体中。

4、固件可用于操作特定存储装置的存储器控制器。在一个实例中，当计算机系统或装置从存储器装置读取数据或将数据写入到存储器装置时，其与存储器控制器通信。

5、存储器装置通常将数据存储在存储器单元中。在一些情况下，存储器单元展现可源于各种因素的非均匀的可变电特性，所述因素包含统计过程变化、循环事件(例如，对存储器单元的读取或写入操作)或漂移(例如，硫属化物合金的电阻改变)等。

6、在一个实例中，通过确定存储一组数据的存储器单元的读取电压(例如，阈值电压的估计中值)来实行读取所述一组数据(例如，码字、页面)。在一些情况下，存储器装置可包含布置在3d架构(例如用以存储一组数据的交叉点架构)中的pcm单元阵列。交叉点架构中的pcm单元可表示与第一组阈值电压相关联的第一逻辑状态(例如，逻辑1、置位状态)，或与第二组阈值电压相关联的第二逻辑状态(例如，逻辑0、复位状态)。在一些情况下，可使用编码(例如，错误校正编码(ecc))来存储数据，以从存储在存储器单元中的数据中的错误恢复数据。

7、对于电阻可变存储器单元(例如，pcm单元)，可设置数个状态(例如，电阻状态)中的一者。例如，可将单电平单元(slc)编程为两个状态(例如，逻辑1或0)中的一者，这可取决于单元是被编程为高于特定电平的电阻还是低于特定电平的电阻。作为额外实例，各种电阻可变存储器单元可被编程为对应于多个数据状态的多个不同状态中的一个，例如，10、01、00、11、111、101、100、1010、1111、0101、0001等。此类单元可被称为多状态单元、多数字单元及/或多电平单元(mlc)。

8、电阻可变存储器单元的状态可通过感测响应于所施加询问电压而通过单元的电流来确定(例如，读取)。基于单元的电阻来变化的所感测电流可指示单元的状态(例如，由单元存储的二进制数据)。经编程的电阻可变存储器单元的电阻可随着时间推移而漂移(例如，偏移)。电阻漂移可导致对电阻可变存储器单元的错误感测(例如，确定单元处于不同于其被编程到的状态的状态，以及其它问题)。

9、例如，pcm单元可被编程为复位状态(非晶形状态)或置位状态(结晶状态)。复位脉冲(例如，用于将单元编程为复位状态的脉冲)可包含在相对较短时间段内施加到单元使得单元的相变材料熔化且快速冷却从而导致相对少量的结晶的相对较高电流脉冲。相反，置位脉冲(例如，用于将单元编程到置位状态的脉冲)可包含在相对较长时间间隔内施加到单元且具有较慢淬火速度(这导致相变材料的结晶增加)的相对较低电流脉冲。

10、编程信号可被施加到所选择存储器单元以将所述单元编程为目标状态。读取信号可被施加到所选择存储器单元以读取所述单元(例如，确定单元的状态)。例如，编程信号及读取信号可为电流及/或电压脉冲。

技术实现思路

技术特征：

1.一种系统，其包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一存储器单元处于对应于第一阈值电压的第一逻辑状态，对所述第一存储器单元进行编程包括将所述第一存储器单元编程为对应于第二阈值电压的第二逻辑状态，且所述第二阈值电压低于所述第一阈值电压。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述预读取电压是第一预读取电压，且所述控制器进一步经配置以：

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述第二存储器单元处于对应于第一阈值电压的第一逻辑状态，对所述第二存储器单元进行编程包括将所述第二存储器单元编程为对应于第二阈值电压的第二逻辑状态，且所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。

5.根据权利要求3所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一存储器单元包括硫属化物、所述硫属化物上方的顶部电极及所述硫属化物下方的底部电极。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述预感测电压具有与所述第二写入电压相同的极性。

9.根据权利要求1所述的系统，其中作为编程操作的部分将所述预感测电压及所述预读取电压施加到所述第一存储器单元，且响应于所述控制器从主机装置接收写入命令而执行所述编程操作。

10.根据权利要求1所述的系统，其中施加所述预读取电压来确定所述第一存储器单元的现有逻辑状态，且所述控制器进一步经配置以：

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述目标逻辑状态对应于从主机装置接收的写入命令。

12.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一阈值为25微安，且所述第二写入电压比所述第一写入电压大至少200毫伏。

13.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以，当对所述第一存储器单元进行编程时，基于所述第一电流的量值来选择所述第二写入电压的量值。

14.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：

15.一种方法，其包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述预感测电压具有与施加到所述第一存储器单元的所述第二写入电压相同的极性。

17.根据权利要求15所述的方法，其中：

18.根据权利要求15所述的方法，其中：

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述预感测电压是第一预感测电压，且所述预读取电压是第一预读取电压，所述方法进一步包括：

20.一种系统，其包括：

技术总结一种存储器装置具有包含存储器单元的存储器阵列。所述存储器装置的控制器评估背景泄漏，以便选择用于在执行编程操作时施加到所述存储器单元的写入电压。从两个或更多个写入电压动态选择所述写入电压。这些写入电压包含作为正常或默认电压的第一写入电压，以及作为升高的写入电压的第二写入电压。所述控制器将预感测电压及预读取电压施加到所述存储器单元，且确定源自施加这些电压的第一及第二相应电流。响应于确定所述第一电流超过第一阈值(指示背景泄漏)，且所述第二电流低于大于所述第一阈值的第二阈值(指示所述存储器单元不跳变)，所述控制器选择所述第二(升高的)写入电压。技术研发人员：N·N·加杰拉,K·萨尔帕特瓦里,鹿中原受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15