一种eFuse烧写方法与流程

本发明涉及一种存储器烧写方法，特别是一种efuse烧写方法。

背景技术：

1、efuse是芯片中的一次性可编程存储器，在芯片出厂之前会被写入信息，如芯片trim值，芯片的版本号，生产日期等。在厂家生产好die后，会进行测试，并将芯片的信息写到efuse中去，efuse的数据每个bit位只能熔断一次，从0写成1后无法再从1写回0；因此一旦烧写出错，就需要重新烧写，从而会浪费一定的efuse空间。

2、现有的efuse烧写技术无法很好的解决上述技术问题。

技术实现思路

1、发明目的：本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种efuse烧写方法。

2、为了解决上述技术问题，本发明公开了一种efuse烧写方法，包括以下步骤：

3、步骤1，将所述的efuse存储器，划分为引导区、数据区和校验区；

4、步骤2，从efuse存储器读取数据或向efuse存储器写入数据；其中，向efuse存储器写入数据时，判断是否为首次写入数据或非首次写入数据即修改数据，若为首次写入数据则采用写数据方法，若为修改数据则采用修改数据方法；

5、步骤3，重复步骤2，直至完成efuse存储器中所有数据的烧写。

6、进一步的，步骤1中所述的引导区、数据区和校验区的数量，根据需要进行预设。

7、进一步的，步骤1中所述的引导区和数据区对应，每个引导区大小根据数据区大小进行设置。

8、进一步的，步骤1中所述的引导区中设有判定比特位。

9、进一步的，步骤1中所述的校验区，用于存储检验和数据。

10、进一步的，步骤2中所述的从efuse读取数据，具体方法包括：

11、步骤2a-1，根据引导区的判定比特位，判断引导区是否正常；

12、步骤2a-2，判断数据区对应的引导区中相应的比特位是否为1，从引导区的高比特位向低比特位进行查询；

13、步骤2a-3，当查询到引导区比特位为1时，读取引导区中该比特位对应的数据区中的数据；

14、步骤2a-4，同理读取所有数据区的数据，以及校验区的校验和；

15、步骤2a-5，计算所有数据的校验和，与读取的校验和作对比，判断读取的数据是否正确。

16、进一步的，步骤2中所述的写数据方法，具体包括：

17、步骤2b-1，将数据写入数据区第1个字节位置，数据区对应的引导区中，相应比特位设置为1；

18、步骤2b-2，读取该数据和写入的数据作对比，一致表示写数据成功；若不一致，说明数据区第1个字节位置，将数据写入数据区第2个字节的位置，引导区相应比特位置1；

19、步骤2b-3，重复步骤2b-2，直到写数据成功；

20、步骤2b-4，根据上述步骤写入其他数据区的数据和校验区的校验和。

21、进一步的，步骤2中所述的修改数据方法，具体包括：

22、步骤2c-1，将待修改的数据写入该数据原位置；

23、步骤2c-2，读取写入后的数据和要写入的数据作对比，若正确，则修改校验和；若错误，则将数据所在的字节位置+1，重新写入数据；

24、步骤2c-3，重复步骤2c-2，直至对比正确后，引导区相应比特位置1；

25、步骤2c-4，将重新计算的校验和上述同样的方法写入校验区。

26、进一步的，步骤1中所述的每个引导区大小根据数据区大小进行设置，具体方法如下：

27、当数据区为n个字节时，引导区设置为n+1个比特位。

28、进一步的，步骤1中所述的每个引导区大小根据数据区大小进行设置，还包括：

29、比特位0至n共n+1个比特位，表示对应的数据区是否存有数据，比特位n+1为判定比特位，表示该引导区的数据是否正常。

30、有益效果：

31、本发明提出的efuse烧写方法，提供了可配置的数据区，固定不需要改写的数据配置值为1，需要更改的数据配置值可根据需要设置大小。

32、本发明提供了双校验，即：引导区最高位用于校验引导区的正确性，校验和用于保证数据有效性。

33、本发明采用了引导区指示数据区数据的当前有效位置。

34、本发明解决了改写数据浪费efuse空间的技术问题。

技术特征：

1.一种efuse烧写方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种efuse烧写方法，其特征在于，步骤1中所述的引导区、数据区和校验区的数量，根据需要进行预设。

3.根据权利要求2所述的一种efuse烧写方法，其特征在于，步骤1中所述的引导区和数据区对应，每个引导区大小根据数据区大小进行设置。

4.根据权利要求3所述的一种efuse烧写方法，其特征在于，步骤1中所述的引导区中设有判定比特位。

5.根据权利要求4所述的一种efuse烧写方法，其特征在于，步骤1中所述的校验区，用于存储检验和数据。

6.根据权利要求5所述的一种efuse烧写方法，其特征在于，步骤2中所述的从efuse读取数据，具体方法包括：

7.根据权利要求6所述的一种efuse烧写方法，其特征在于，步骤2中所述的写数据方法，具体包括：

8.根据权利要求7所述的一种efuse烧写方法，其特征在于，步骤2中所述的修改数据方法，具体包括：

9.根据权利要求3所述的一种efuse烧写方法，其特征在于，步骤1中所述的每个引导区大小根据数据区大小进行设置，具体方法如下：

10.根据权利要求9所述的一种efuse烧写方法，其特征在于，步骤1中所述的每个引导区大小根据数据区大小进行设置，还包括：

技术总结本发明提出了一种eFuse烧写方法，包括以下步骤：步骤1，将所述的eFuse存储器，划分为引导区、数据区和校验区；步骤2，从eFuse存储器读取数据或向eFuse存储器写入数据；其中，向eFuse存储器写入数据时，判断是否为首次写入数据或非首次写入数据即修改数据，若为首次写入数据则采用写数据方法，若为修改数据则采用修改数据方法；步骤3，重复步骤2，直至完成eFuse存储器中所有数据的烧写。本发明提供了可配置的数据区，固定不需要改写的数据配置值为1，需要更改的数据配置值可根据需要设置大小，提供了双校验，采用了引导区指示数据区数据的当前有效位置，解决了改写数据浪费eFuse空间的技术问题。技术研发人员：黄苏芳,刘晓露受保护的技术使用者：杭州万高科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15