用于基于存取的目标刷新操作的设备及方法与流程

本公开大体上涉及半导体装置，且更具体来说，涉及半导体存储器装置。特定来说，本公开涉及易失性存储器，例如动态随机存取存储器(dram)。

背景技术：

1、信息可作为物理信号(例如，电容元件上的电荷)存储在存储器的个别存储器单元上。当被存取时，存储器单元可耦合到数字线(或位线)，并且数字线上的电压可基于存储在经耦合的存储器单元中的信息而改变。

2、在易失性存储器装置中，信息可随着时间衰减。为了防止信息被刷新，可周期性地刷新信息(例如，通过将存储器单元上的电荷恢复到初始电平)。然而，刷新操作可能需要原本可用于存储器中的存取操作的时间。

技术实现思路

1、在一个方面中，本申请案提供一种方法，其包括：检测存储体的第一子存储体中的侵略者地址；存取所述存储体的第二子存储体中的字线；以及响应于存取所述第二子存储体中的所述字线基于所述检测到的侵略者地址对所述第一子存储体执行目标刷新操作。

2、在另一方面中，本申请案提供一种设备，其包括：存储体的第一子存储体；所述存储体的第二子存储体；及刷新控制电路，其经配置以识别所述第一子存储体中的侵略者地址，并响应于对所述第二子存储体的存取操作，基于所述侵略者地址对所述第一子存储体执行目标刷新操作。

3、在另一方面中，本申请案提供一种设备，其包括：行锤检测器，其经配置以检测侵略者地址并在检测到所述侵略者地址时设置行锤旗标；比较器，其经配置以将所述侵略者地址与被存取地址进行比较，且当所述侵略者地址和所述被存取地址处在不同的子存储体中时，提供活动匹配信号；以及逻辑电路，其经配置以当所述匹配信号活动时响应于存取命令提供目标刷新命令。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在检测到所述第一子存储体中的所述侵略者地址之后，响应于所述第二子存储体中的下一次存取操作，对所述第一子存储体执行所述目标刷新操作。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括对所述第一子存储体周期性地执行顺序刷新操作。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括基于在所述第一子存储体中存取的行地址检测所述侵略者地址。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

8.一种设备，其包括：

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述刷新控制电路包括侵略者检测器电路，所述侵略者检测器电路经配置以响应于检测到所述侵略者地址而提供旗标和所述侵略者地址。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述刷新控制电路包含比较器，所述比较器经配置以当设置旗标时将所述侵略者地址与被存取地址进行比较，其中所述刷新控制电路经配置以响应于所述比较器确定所述侵略者地址和所述被存取地址不在同一子存储体中而提供目标刷新信号。

11.根据权利要求9所述的设备，其中所述侵略击检测器电路经配置以基于从所述侵略者地址的存储器单元读取的计数值来识别所述侵略者地址。

12.根据权利要求8所述的设备，其中所述刷新控制电路包含刷新地址产生器电路，所述刷新地址产生器电路经配置以基于所述侵略者地址产生刷新地址，其中对与所述刷新地址相关联的字线执行所述目标刷新操作。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述刷新地址产生器电路进一步经配置以响应于刷新信号产生刷新地址，其中基于所述刷新地址及所述刷新信号执行顺序刷新操作。

14.根据权利要求8所述的设备，其中所述刷新控制电路进一步经配置以识别所述第二子存储体中的第二侵略者地址，并响应于对所述第一子存储体的存取操作，基于所述第二侵略者地址对所述第二子存储体执行目标刷新操作。

15.一种设备，其包括：

16.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括经配置以响应于所述目标刷新命令基于所述侵略者地址提供刷新地址的刷新地址产生器。

17.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括：

18.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括：

19.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括存储体，所述存储体包含第一子存储体和第二子存储体，其中被存取地址与所述第一子存储体相关联，且所述侵略者地址与所述第二子存储体相关联。

20.根据权利要求19所述的设备，其中响应于所述被存取的地址，在所述第一子存储体中存取第一字线，而响应于所述目标刷新命令，在所述第二子存储体中刷新字线。

技术总结本公开揭示用于基于存取的目标刷新操作的设备、系统及方法。存储体具有第一子存储体及第二子存储体。刷新控制电路检测所述子存储体的一者中的侵略者。响应于在另一子存储体中的存取，所述刷新控制电路基于侵略者地址执行基于所述子存储体的目标刷新操作。技术研发人员：何源,铃木尊雅受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15