存储器装置及其操作方法与流程

各种实施方式总体上涉及半导体装置，更具体地，涉及一种存储器装置和控制其编程速度的方法。

背景技术：

1、存储器系统是被配置为响应于主机装置(例如，计算机或智能电话)的控制而存储数据的装置。存储装置可包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

2、只要供电，易失性存储器装置就可保留数据，在没有供电的情况下可能丢失所存储的数据。易失性存储器装置可包括静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)等。

3、非易失性存储器装置即使没有供电也不丢失数据。易失性存储器装置可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存等。

技术实现思路

1、各种实施方式涉及一种存储器装置和控制其编程速度的方法，其通过根据编程电压的大小控制施加到位线的编程允许电压来将编程速度维持在预定范围内而与存储器单元的物理列地址无关。

2、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括第一存储器单元组和第二存储器单元组，第一存储器单元组包括位于距参考节点第一物理距离内的存储器单元，第二存储器单元组包括位于距参考节点超过第一物理距离的存储器单元。存储器装置还可包括外围电路，该外围电路被配置为执行通过字线将逐渐增大的编程电压施加到包括在存储器单元阵列中的存储器单元的编程操作。存储器装置还可包括控制逻辑，所述控制逻辑被配置为响应于编程电压的逐渐增大而基于编程电压的大小来确定第一编程允许电压被施加到第一存储器单元组的时间并确定第一编程允许电压的大小，所述控制逻辑还被配置为控制外围电路通过位线将第一编程允许电压施加到第一存储器单元组。

3、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器单元组，多个存储器单元组中的每一个包括具有包括在预定范围内的物理列地址的多个存储器单元。存储器装置还可包括外围电路，该外围电路被配置为执行通过字线将逐渐增大的编程电压施加到包括在存储器单元阵列中的多个存储器单元的编程操作。存储器装置还可包括控制逻辑，所述控制逻辑被配置为响应于编程电压的逐渐增大而基于编程电压的大小来确定编程允许电压分别被施加到多个存储器单元组的时间和编程允许电压的大小，所述控制逻辑还被配置为控制外围电路通过位线施加编程允许电压。

4、根据本公开，一种操作存储器装置的方法可包括：指定包括具有连续物理列地址的预定数量的存储器单元的多个存储器单元组。该方法还可包括：通过字线将逐渐增大的编程电压施加到多个存储器单元组。该方法还可包括：基于编程电压的大小来确定分别施加到多个存储器单元组的编程允许电压的施加时间和编程允许电压的大小。该方法可另外包括：通过位线将编程允许电压施加到多个存储器单元组。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑包括编程允许电压管理器，该编程允许电压管理器基于所述第一物理距离来确定首先施加所述第一编程允许电压的时间和首先施加的所述第一编程允许电压的大小，并且该编程允许电压管理器基于所述编程电压的大小来改变施加所述第一编程允许电压的时间和所述第一编程允许电压的大小。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，施加所述第一编程允许电压的时间比所述编程电压的施加完成时间早由所述编程允许电压管理器确定的时间。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程允许电压管理器控制所述外围电路随着所述编程电压的大小增加而更早施加所述第一编程允许电压。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述编程允许电压管理器控制所述外围电路响应于所述编程电压的逐渐增大而以规则间隔将施加所述第一编程允许电压的时间提前。

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述编程允许电压管理器控制所述外围电路随着所述编程电压的大小增加而增加所述第一编程允许电压的大小。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述编程允许电压管理器控制所述外围电路响应于所述编程电压的逐渐增大而按规则量增加所述第一编程允许电压的大小。

8.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，使得施加到包括在所述第一存储器单元组和所述第二存储器单元组中的存储器单元当中的联接到同一字线的存储器单元的编程电压的有效施加时间的差小于预定参考值，并且

9.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路通过所述位线将第二编程允许电压施加到所述第二存储器单元组，并且

10.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路通过所述位线将第二编程允许电压施加到所述第二存储器单元组，并且

11.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，根据被施加有所述编程电压的所述存储器单元，所述编程电压是高电压或低电压，并且

12.一种存储器装置，该存储器装置包括：

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑分别基于与所述多个存储器单元对应的所述物理列地址来确定首先施加所述编程允许电压的时间和首先施加的所述编程允许电压的大小，并且所述控制逻辑还基于所述编程电压的大小来改变施加所述编程允许电压的时间和所述编程允许电压的大小。

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，根据被施加有所述编程电压的所述存储器单元，所述编程电压是高电压或低电压，并且

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，施加所述编程允许电压的时间比所述编程电压的施加完成时间早由所述编程允许电压管理器确定的时间。

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，所述编程允许电压管理器控制所述外围电路响应于所述编程电压的增加而更早施加所述编程允许电压。

17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述编程允许电压管理器控制所述外围电路响应于所述编程电压的增加而增加所述编程允许电压的大小。

18.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，确定分别施加到所述多个存储器单元组的所述编程允许电压的施加时间和所述编程允许电压的大小的步骤包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，根据被施加有所述编程电压的所述存储器单元，所述编程电压是高电压或低电压，并且

21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述编程允许电压的施加时间比所述编程电压的施加完成时间早由编程允许电压管理器确定的时间。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，施加所述编程允许电压的步骤包括：响应于所述编程电压的逐渐增大而更早施加所述编程允许电压。

23.根据权利要求22所述的方法，其中，施加所述编程允许电压的步骤包括：响应于所述编程电压的逐渐增大而施加大小增加的所述编程允许电压。

技术总结本公开涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括第一存储器单元组和第二存储器单元组，第一存储器单元组包括位于距参考节点第一物理距离内的存储器单元，第二存储器单元组包括位于距参考节点超过第一物理距离的存储器单元；外围电路，其被配置为执行通过字线将逐渐增大的编程电压施加到包括在存储器单元阵列中的存储器单元的编程操作；以及控制逻辑，其被配置为响应于编程电压的逐渐增大而基于编程电压的大小来确定第一编程允许电压被施加到第一存储器单元组的时间并确定第一编程允许电压的大小，控制逻辑还被配置为控制外围电路通过位线将第一编程允许电压施加到第一存储器单元组。技术研发人员：辛弦燮,郭东勋受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15