半导体存储装置的制作方法

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、已知一种半导体存储装置，具备衬底、沿着与该衬底的表面交叉的方向积层的多个导电层、与这多个导电层对向的半导体层、及设置在导电层与半导体层之间的栅极绝缘层。栅极绝缘层例如具备氮化硅(si3n4)等绝缘性电荷累积层、浮动栅极等导电性电荷累积层等可存储数据的存储器部。

技术实现思路

1、本发明提供一种能得当地运行的半导体存储装置。

2、一实施方式的半导体存储装置包含：导电层，在第1方向上排列有多个，沿着与第1方向交叉的第2方向延伸，且具备从第1方向观察与感测放大器区域重叠的第1导电层、及从第1方向观察不与感测放大器区域重叠的第2导电层；第1半导体层，沿着第1方向延伸，与第1导电层对向；第2半导体层，沿着第1方向延伸，与第2导电层对向；第1电荷累积部，设置在第1导电层与第1半导体层之间；第2电荷累积部，设置在第2导电层与第2半导体层之间；第1位线，电连接于第1半导体层的一端；第2位线，电连接于第2半导体层的一端；第1驱动器电路，控制向第1导电层供给的电压；及第2驱动器电路，控制向第2导电层供给的电压。若将对包含第1电荷累积部的第1存储单元执行指定动作时向第1导电层供给的一个或多个电压的大小及供给时间设为第1动作参数，将对包含第2电荷累积部的第2存储单元执行指定动作时向第2导电层供给的一个或多个电压的大小及供给时间设为第2动作参数，则第2动作参数的至少一部分与第1动作参数的至少一部分不同。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，包含：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备：

8.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

9.一种半导体存储装置，包含：

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

12.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

13.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其具备：

14.根据权利要求2或9所述的半导体存储装置，其中

15.一种半导体存储装置，包含：

16.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其

17.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其还具备：

18.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其中

19.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其中

20.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其中

技术总结本发明提供一种能得当地运行的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置包含：导电层，具备第1范围及第2范围；第1半导体层，在第1范围内与导电层对向；第2半导体层，在第2范围内与导电层对向；第1位线，电连接于第1半导体层的一端；及第2位线，电连接于第2半导体层的一端。若将对包含第1电荷累积部的第1存储单元执行指定动作时第1位线的感测时间设为第1动作参数，将对包含第2电荷累积部的第2存储单元执行指定动作时第2位线的感测时间设为第2动作参数，则第2动作参数与第1动作参数不同。技术研发人员：加藤光司,清水佑树,桶田修平受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15