半导体存储装置的制作方法
- 国知局
- 2024-07-31 19:13:30
本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置。
背景技术:
1、例如nand(与非)型闪速存储器般的半导体存储装置,根据从存储器控制器发送的信号来输出读出数据。在输出读出数据时,半导体存储装置将用来表示输出时序的切换信号一并输出。
技术实现思路
1、根据揭示的实施方式,提供一种半导体存储装置,既为能够进行切换信号的占空比的修正的构成,又能够抑制大型化。
2、实施方式的半导体存储装置具备:接收部,从外部接收第1切换信号;第1比较器,产生并输出与第1切换信号同步切换的第2切换信号;调整部,调整第2切换信号的占空比;及发送部,将占空比经调整的第2切换信号、或根据该第2切换信号来产生的切换信号发送至外部。从第1比较器输出的第2切换信号中包含第3切换信号、及作为第3切换信号的互补信号的第4切换信号。第1比较器具有:第1输入部,供输入第1切换信号;第2输入部,供输入参考信号;第1输出部,输出根据第1切换信号与参考信号的大小关系来切换的第3切换信号;及第2输出部,输出第4切换信号。调整部具有与第1输入部、第2输入部、第1输出部、及第2输出部中的至少任一者连接的可变电流源,通过调整从电流源输出的电流的大小来调整第2切换信号的占空比。
技术特征:1.一种半导体存储装置,具备:
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述参考信号是作为所述第1切换信号的互补信号而从外部输入的信号。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述参考信号是固定电压的信号。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置,其中所述电流源连接于所述第1输出部及所述第2输出部中的至少一者。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其还具备第2比较器,
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述电流源使在电源线与连接于所述第1比较器的信号线之间流动的电流的大小发生变化。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述电流源使在接地线与连接于所述第1比较器的信号线之间流动的电流的大小发生变化。
技术总结本发明提供一种半导体存储装置,尽管构成为能够进行切换信号的占空比的修正,却仍能抑制大型化。半导体存储装置(2)具备:比较器(51),产生并输出与来自外部的读取赋能信号(RE)同步切换的信号(RE_in);及修正电路(60),调整信号(RE_in)的占空比。修正电路(60)具有与比较器(51)的第1输出部(513)连接的可变电流源(61)、及与比较器(51)的第2输出部(514)连接的可变电流源(62),通过调整从电流源(61、62)输出的电流的大小,来调整信号(/RE_c、RE_c)的占空比。技术研发人员:萩原洋介,白石圭受保护的技术使用者:铠侠股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/1/15本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240731/181927.html
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