半导体存储装置的制作方法

本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、作为半导体存储装置，已知nand(not and，与非)型闪速存储器。

技术实现思路

1、在本发明的一实施方式中，提供一种提高了可靠性的半导体存储装置。

2、实施方式的半导体存储装置具备存储胞晶体管、连接于所述存储胞晶体管的栅极的字线、连接于所述存储胞晶体管的一端的位线、及连接于所述位线的感测放大器单元。所述感测放大器单元具有连接于所述位线的感测电路、及连接于所述感测电路的锁存电路。所述感测电路包含：第1晶体管，一端连接于对应的位线，另一端连接于第1节点；第2晶体管，一端连接于所述第1节点，另一端连接于第2节点；第3晶体管，一端连接于所述第2节点，另一端可被施加第1电压；第4晶体管，一端连接于所述第2节点，另一端连接于第3节点；第5晶体管，一端连接于所述第1节点；及第6晶体管，一端可被施加第2电压，另一端连接于第5晶体管的另一端，且栅极连接于所述第3节点；所述第3节点可与所述第1锁存电路连接。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备控制器，该控制器可执行包括反复的编程循环的写入动作，所述编程循环包括编程动作与验证动作；且

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中：

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中：

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中：

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中：

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中：

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中：

9.一种半导体存储装置，其具备：

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其还包括：

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中：

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其还包括：

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中：

技术总结本发明的一实施方式提供一种提高了可靠性的半导体存储装置。半导体存储装置包含：存储胞阵列(17)，包含多个存储胞(MC)；字线(WL)，连接于多个存储胞；多个位线(BL)，分别连接于多个存储胞；感测放大器(19)，连接于多个位线；及控制器(14)，可执行包含反复的编程循环的写入动作，所述编程循环包含编程动作与验证动作。于在编程动作中对字线施加编程电压(VPGM)的期间内，感测放大器对多个位线分别施加第1电压(VSS)、高于第1电压的第2电压(VQPW1)、高于第2电压的第3电压(VQPW2)、及高于第3电压的第4电压(VHSA)中的任一电压。技术研发人员：日岡健,渡邉稔史受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15