半导体存储器、刷新方法、控制方法和电子设备与流程

本公开涉及半导体存储器，尤其涉及一种半导体存储器、刷新方法、控制方法和电子设备。

背景技术：

1、在传统的动态随机存取存储器中，需要通过周期性刷新维持各个存储单元的数据。具体地，可以将某个存储阵列内所有的存储行依次全部都进行刷新，或者将该存储阵列内的存储行分成几组，按照组别进行刷新。然而，以上的刷新方式仍然会产生较高的功耗。

技术实现思路

1、本公开提供了一种半导体存储器、刷新方法、控制方法和电子设备，通过标志位指示相应的存储组中是否存在被占用的存储单元，能够为控制过程提供更多信息，提高控制效率。

2、本公开的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开实施例提供了一种半导体存储器，所述半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域，所述主存储区域中设置多个存储组，所述标记存储区域中设置多个标志位；其中，

4、每一所述存储组与一个所述标志位具有对应关系，且所述标志位至少用于指示所述存储组中至少一个存储单元是否具有特定状态，所述特定状态包括被占用。

5、在一些实施例中，每一所述存储组均包括一个存储行，且所述存储行延伸到所述标记存储区域的部分用于形成所述存储组对应的标志位。

6、在一些实施例中，每一所述存储组均包括多个存储行，且其中一个所述存储行延伸到所述标记存储区域的部分用于形成所述存储组对应的标志位。

7、在一些实施例中，在所述特定状态包括至少两个的情况下，每一个所述标志位包括至少两个标识符，且不同的所述标识符用于指示不同的所述特定状态；

8、其中，每一所述标识符占用一个存储单元。

9、在一些实施例中，所述半导体存储器，还用于在接收到针对存储单元的内存分配指令后，将所述存储单元所属的存储组的标志位调整为第一状态；

10、其中，所述内存分配指令是字线激活指令或者利用内存控制器中的第一预留码构造得到的。

11、在一些实施例中，所述半导体存储器，还用于在对所述存储组进行刷新操作后，将所述存储组的标志位调整为第二状态。

12、在一些实施例中，所述半导体存储器，还用于在接收到针对于所述存储组的内存释放指令后，将所述存储组的标志位调整为第二状态；

13、其中，所述内存释放指令是利用内存控制器中的第二预留码构造得到的。

14、第二方面，本公开实施例提供了一种刷新方法，应用于包括多个存储组和多个标志位的半导体存储器，所述标志位至少用于指示所述存储组中至少一个存储单元是否具有特定状态，所述特定状态包括被占用，所述方法包括：

15、在接收到刷新指令后，根据预设刷新顺序确定目标存储组；

16、对所述目标存储组的标志位进行读取，得到读取结果；

17、根据所述读取结果，确定是否对所述目标存储组进行刷新处理。

18、在一些实施例中，所述目标存储组包括一个存储行；或者，所述目标存储组包括多个存储行。

19、在一些实施例中，所述根据所述读取结果，确定是否对所述目标存储组进行刷新处理，包括：

20、在所述标志位处于第一状态的情况下，对所述目标存储组进行刷新处理；

21、在所述标志位处于第二状态的情况下，对所述目标存储组不进行刷新处理，并等待下一次刷新指令。

22、在一些实施例中，所述根据所述读取结果，确定是否对所述目标存储组进行刷新处理，包括：

23、在所述标志位处于第一状态的情况下，对所述目标存储组进行刷新处理；

24、在所述标志位处于第二状态的情况下，对所述目标存储组不进行刷新处理，并将所述目标存储组的下一存储组重新确定为所述目标存储组，返回执行所述对所述目标存储组的标志位进行读取的步骤。

25、在一些实施例中，所述方法还包括：

26、在接收到针对存储单元的内存分配指令后，将所述存储单元所属的存储组的标志位调整为第一状态；

27、在对所述存储组进行刷新处理后，将所述存储组的标志位调整为第二状态。

28、在一些实施例中，在接收到针对存储单元的内存分配指令后，将所述存储单元所属的存储组的标志位调整为第一状态；

29、在接收到针对存储组的内存释放指令后，将所述存储组的标志位调整为第二状态。

30、在一些实施例中，所述内存分配指令是字线激活指令或者利用内存控制器中的第一预留码构造得到的；所述内存释放指令是利用内存控制器中的第二预留码构造得到的。

31、第三方面，本公开实施例提供了一种控制方法，应用于内存控制器，且所述内存控制器和半导体存储器连接，所述半导体存储器包括多个存储组和多个标志位，所述标志位至少用于指示所述存储组中至少一个存储单元是否具有特定状态，所述特定状态包括被占用，所述方法包括：

32、接收内存申请指令，所述内存申请指令用于指示被占用的存储单元；

33、根据所述存储单元的地址，生成内存分配指令；

34、将所述内存分配指令发送给所述半导体存储器，以将所述存储单元所属的存储组的标志位调整为第一状态。

35、在一些实施例中，所述方法还包括：

36、接收内存恢复指令，所述内存恢复指令用于指示解除占用的存储单元；

37、若所述存储组中所有的存储单元均解除占用，则生成所述存储组对应的内存释放指令；

38、将所述内存释放指令发送给所述半导体存储器，以将所述存储组的标志位调整为第二状态。

39、在一些实施例中，所述半导体存储器的多个存储组被划分为若干个存储块，所述方法还包括：

40、对所述存储块中每一所述存储组的标志位进行读取，确定目标数量；其中，所述目标数量用于指示所述标志位处于第一状态的存储组的数量；

41、根据所述目标数量，调整所述存储块的刷新周期；

42、基于所述存储块的刷新周期，向所述半导体存储器发送刷新指令。

43、第四方面，本公开实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括内存控制器和如第一方面所述的半导体存储器。

44、本公开实施例提供了一种控制方法、半导体存储器和电子设备，该半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域，主存储区域中设置多个存储组，标记存储区域中设置多个标志位；其中，每一存储组与一个标志位具有对应关系，且标志位至少用于指示存储组中至少一个存储单元是否具有特定状态，特定状态包括被占用。这样，由于半导体存储器中新增了标记存储区域，通过标志位指示相应的存储组中是否存在被占用的存储单元，能够为半导体存储器的控制过程提供更多的信息，提高半导体存储器的控制效率，降低功耗。

技术特征：

1.一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域，所述主存储区域中设置多个存储组，所述标记存储区域中设置多个标志位；其中，

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，每一所述存储组均包括多个存储行，且其中一个所述存储行延伸到所述标记存储区域的部分用于形成所述存储组对应的标志位。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，在所述特定状态包括至少两个的情况下，每一个所述标志位包括至少两个标识符，且不同的所述标识符用于指示不同的所述特定状态；

5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体存储器，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的半导体存储器，其特征在于，

8.一种刷新方法，其特征在于，应用于包括多个存储组和多个标志位的半导体存储器，所述标志位至少用于指示所述存储组中至少一个存储单元是否具有特定状态，所述特定状态包括被占用，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的刷新方法，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的刷新方法，其特征在于，所述根据所述读取结果，确定是否对所述目标存储组进行刷新处理，包括：

11.根据权利要求8所述的刷新方法，其特征在于，所述根据所述读取结果，确定是否对所述目标存储组进行刷新处理，包括：

12.根据权利要求10或11所述的刷新方法，其特征在于，所述方法还包括：

13.根据权利要求10或11所述的刷新方法，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的刷新方法，其特征在于，所述内存分配指令是字线激活指令或者利用内存控制器中的第一预留码构造得到的；

15.一种控制方法，其特征在于，应用于内存控制器，且所述内存控制器和半导体存储器连接，所述半导体存储器包括多个存储组和多个标志位，所述标志位至少用于指示所述存储组中至少一个存储单元是否具有特定状态，所述特定状态包括被占用，所述方法包括：

16.根据权利要求15所述的控制方法，其特征在于，所述方法还包括：

17.根据权利要求15所述的控制方法，其特征在于，所述半导体存储器的多个存储组被划分为若干个存储块，所述方法还包括：

18.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括内存控制器和如权利要求1-7任一项所述的半导体存储器。

技术总结本公开实施例提供了一种半导体存储器、刷新方法、控制方法和电子设备，该半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域，主存储区域中设置多个存储组，标记存储区域中设置多个标志位；其中，每一存储组与一个标志位具有对应关系，且标志位至少用于指示存储组中至少一个存储单元是否具有特定状态，特定状态包括被占用。这样，由于半导体存储器中新增了标记存储区域，通过标志位指示相应的存储组中是否存在被占用的存储单元，能够为半导体存储器的控制过程提供更多的信息，提高半导体存储器的控制效率，降低功耗。技术研发人员：卢欢受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15