半导体集成电路的制作方法
- 国知局
- 2024-07-31 19:10:59
本发明涉及一种半导体集成电路。
背景技术:
1、在通用微计算机中,要求高速运行,另一方面,要求低功耗。作为用于兼顾高速运行与低功耗的方法,已知有多vt方法或电源阻断技术。在多vt方法中,使构成要求高速运行的电路区块的元件的阈值电压低于构成允许低速运行的电路区块的元件的阈值电压,以削减漏电流。另一方面,在电源阻断技术中,当转变为节能模式时,阻断对不必要的电路区块的电源供给。
2、例如,在专利文献1中,公开了一种半导体集成电路,其包括在待机时电源供给被阻断的第一区域与始终进行电源供给的第二区域。在第一区域中,配置有要求高速处理运行的数字信号处理装置(digital signal processor,dsp)等第一逻辑电路与第一静态随机存取存储器(static random access memory,sram)。另一方面,在第二区域中,配置有中央处理器(central processing unit,cpu)等第二逻辑电路与第二sram。并且,使在待机时电源供给被阻断的第一区域的电路区块的元件的阈值电压低于其他电路区块的元件的阈值电压,以削减漏电流。
3、[现有技术文献]
4、[专利文献]
5、[专利文献1]日本专利特开2004-14663号公报
技术实现思路
1、[发明所要解决的问题]
2、但是,此种以往的电路结构中,需要低速用的sram与高速用的sram,因而存在芯片尺寸增加,甚而芯片成本增加的问题。此问题并不限于访问sram的情况,而且会在从运行速度不同的多个控制块访问特定的功能部时发生。
3、本发明是有鉴于所述问题而完成,本发明的目的在于提供一种半导体集成电路,运行速度不同的多个控制部能够共用特定的功能部,从而能够降低芯片尺寸。
4、[解决问题的技术手段]
5、本公开的半导体集成电路包括:第一控制部,包含在允许第一运行速度的第一区域中;第二控制部,包含在第二区域中,所述第二区域在节能模式下电源供给被阻断且要求比所述第一运行速度高速的运行;功能部,具有特定的功能;以及选择部,根据控制信号来选择第一路径以及第二路径中的其中任一者,所述第一路径连接所述第一控制部与所述功能部,所述第二路径连接所述第二控制部与所述功能部。
6、[发明的效果]
7、根据本发明的半导体集成电路,运行速度不同的多个控制部能够共用特定的功能部,从而能够降低芯片尺寸。
技术特征:1.一种半导体集成电路,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其中所述功能部为存储器。
3.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路,其中所述功能部以及所述选择部配置在所述第一区域内。
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路,其中使所述功能部以及所述选择部以外的所述第一区域包含具有第一阈值电压的元件,使所述第二区域包含具有比所述第一阈值电压低的第二阈值电压的元件。
5.根据权利要求3所述的半导体集成电路,其中
6.根据权利要求3所述的半导体集成电路,其中
7.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路,其中所述功能部以及所述选择部配置在与所述第一区域以及所述第二区域均不同的第三区域内。
8.根据权利要求7所述的半导体集成电路,其中使所述第一区域包含具有第一阈值电压的元件,使所述第二区域包含具有比所述第一阈值电压低的第二阈值电压的元件。
9.根据权利要求8所述的半导体集成电路,其中使所述功能部以及所述选择部以外的所述第三区域包含具有所述第一阈值电压的元件。
10.根据权利要求7所述的半导体集成电路,其中
11.根据权利要求7所述的半导体集成电路,其中
技术总结本发明提供一种半导体集成电路,运行速度不同的多个控制部能够共用特定的功能部,从而能够降低芯片尺寸。采用下述半导体集成电路,其包括:第一控制部,包含在允许第一运行速度的第一区域中;第二控制部,包含在第二区域中,所述第二区域在节能模式下电源供给被阻断且要求比第一运行速度高速的运行;功能部,具有特定的功能;以及选择部,根据控制信号来选择第一路径以及第二路径中的其中任一者,所述第一路径连接第一控制部与功能部,所述第二路径连接第二控制部与功能部。技术研发人员:清水永吉受保护的技术使用者:蓝碧石科技株式会社技术研发日:技术公布日:2024/1/15本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240731/181801.html
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