半导体存储装置的制作方法

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、已知有一种半导体存储装置，其具备基板、沿与该基板的表面交叉的方向排列的多个导电层、与该多个导电层对置的半导体层和设置于导电层及半导体层之间的电荷蓄积膜。

技术实现思路

1、本发明所要解决的课题在于提供一种适宜地动作的半导体存储装置。

2、一实施方式的半导体存储装置具备：多条字线，沿第一方向排列；位线，相对于多条字线设置于第一方向的一侧；多条选择栅极线，设置于多条字线和位线之间，沿第一方向排列；第一半导体层，沿第一方向延伸，与多条字线及多条选择栅极线对置，且与位线电连接；以及电荷蓄积膜，设置于多条字线和第一半导体层之间。多条选择栅极线包含第一选择栅极线和第二选择栅极线。第一选择栅极线设置于多条选择栅极线中的最靠近多条字线的位置，在第一方向上具有第一长度。第二选择栅极线设置于第一选择栅极线和位线之间，在第一方向上具有第二长度。第一长度小于第二长度。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还具备：

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

13.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

14.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其特征在于，

15.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其特征在于，

16.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其特征在于，

17.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其特征在于，还具备：

18.根据权利要求17所述的半导体存储装置，其特征在于，

19.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其特征在于，

20.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其特征在于，

技术总结实施方式提供一种适宜地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备沿第一方向(Z)排列的多条字线(WL)、相对于多条字线设置于第一方向的一侧的位线、设置于多条字线和位线之间且沿第一方向排列的多条选择栅极线(SGD1、SGD2、SGD3)和与多条字线及多条选择栅极线对置的半导体层(120)。多条选择栅极线包含第一选择栅极线(SGD3)和第二选择栅极线(SGD1)。第一选择栅极线设置于多条选择栅极线中的最靠近多条字线的位置，在第一方向上具有第一长度(L<subgt;ZSGD3</subgt;)。第二选择栅极线设置于第一选择栅极线和位线之间，在第一方向上具有第二长度(L<subgt;ZSGD1</subgt;)。第一长度小于第二长度。技术研发人员：小迫宽明受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15