用于复制电流的器件的制作方法

本公开总体上涉及电子电路和电子器件，并且更具体地涉及用于复制电流的电子电路和器件。

背景技术：

1、已知用于复制电流的器件，诸如用mos晶体管(“金属氧化物半导体”晶体管)实现的电流镜。这些已知器件在输入节点上接收输入电流，并且在输出节点上提供输出电流，使得输出电流是输入电流的映像(image)。换言之，输出电流由输入电流确定。例如，输出电流与输入电流成比例，例如相等。

2、在这些已知器件中，输入电流值的修改会导致输出电流值的对应修改。

技术实现思路

1、实施例解决了用于复制电流的已知器件的所有或一些缺点。

2、例如，在用于复制电流的已知器件中，当输出电流用于对电容元件充电或放电时，当输入电流值发生修改时，输出电流值的对应修改可相对于输入电流值的修改延迟。例如，优选的是，减小输入电流的修改与输出电流的对应修改之间的延迟。

3、一个实施例解决了用于复制电流的已知器件的所有或一些缺点。

4、一个实施例提供了一种器件，该器件包括：

5、被配置为接收第一电流的输入节点；

6、被配置为提供由第一电流确定的第二电流的输出节点；

7、具有连接到输入节点的第一端子和耦合到第一节点的第二端子的第一电阻器，第一节点被配置为接收第一电源电压；

8、具有连接到第一节点的源极和耦合到该器件的输出节点的漏极的第一mos晶体管；

9、具有连接到第一mos晶体管的栅极的第一端子的第二电阻器；

10、被配置为在第二电阻器的第二端子上提供偏置电压的偏置电路；以及

11、连接在输入节点与第一mos晶体管的栅极之间的第一电容器。

12、根据一个实施例，第一晶体管的漏极连接到输出节点。

13、根据一个实施例，该器件还包括具有与第一mos晶体管的沟道相同类型的沟道的第二mos晶体管，第二mos晶体管将第一mos晶体管的漏极耦合到输出节点并且与第一mos晶体管串联连接。

14、根据一个实施例，偏置电路包括具有与第一mos晶体管的沟道相同类型的沟道的第三mos晶体管，第三mos晶体管具有彼此连接的漏极和栅极、以及连接到第一节点的源极，第三mos晶体管的栅极连接到第二电阻器的第二端子。

15、根据一个实施例，第三mos晶体管与第一电阻器串联连接。

16、根据一个实施例，第三mos晶体管的漏极连接到第一电阻器的第二端子。

17、根据一个实施例，偏置电路还包括与第三mos晶体管串联连接的电流源。

18、根据一个实施例，第一电阻器的第二端子连接到第一节点。

19、根据一个实施例，偏置电路还包括连接在第三mos晶体管的栅极与第一节点之间的第二电容器。

20、一个实施例提供了一种放大器，例如跨导放大器，该放大器包括：

21、如前所述的第一器件；

22、如前所述的第二器件，第二器件的输出节点耦合、优选地连接到放大器的输出节点；

23、差分对，该差分对包括：

24、-具有耦合、优选地连接到第一器件的输入节点的第一导电节点和连接到放大器的第一输入的栅极的第一mos晶体管，以及

25、-具有与差分对的第一mos晶体管的沟道相同类型的沟道的第二mos晶体管，第二mos晶体管具有耦合、优选地连接到第二器件的输入节点的第一导电节点、以及连接到放大器的第二输入的栅极；以及

26、用于偏置差分对的电流源，电流源具有耦合、优选地连接到差分对的第一mos晶体管和第二mos晶体管中的每个的第二导电端子的端子、以及耦合、优选地连接到被配置为接收第二电源电势的节点的另一端子。

27、一个实施例提供了一种放大器，该放大器包括：

28、如前所述的第一器件；

29、如前所述的第二器件，第二器件的输出节点耦合、优选地连接到放大器的输出节点；

30、差分对，该差分对包括：

31、-具有耦合、优选地连接到第一器件的输入节点的第一导电节点和连接到放大器的第一输入的栅极的第一mos晶体管，以及

32、-具有与差分对的第一mos晶体管的沟道相同类型的沟道第二mos晶体管，第二mos晶体管具有耦合、优选地连接到第二器件的输入节点的第一导电节点、以及连接到放大器的第二输入的栅极；以及

33、用于偏置差分对的电流源，电流源具有耦合、优选地连接到差分对的第一mos晶体管和第二mos晶体管中的每个的第二导电端子的端子、以及耦合、优选地连接到被配置为接收第二电源电势的节点的另一端子。

34、根据一个实施例，放大器还包括辅助放大器，例如辅助跨导放大器，该辅助放大器具有耦合、优选地连接到差分对的第一mos晶体管的栅极的第一输入、耦合、优选地连接到差分对的第二晶体管的栅极的第二输入、以及耦合、优选地连接到放大器的输出节点的输出。

35、根据一个实施例，第一器件的偏置电路也是第二器件的偏置电路。

36、根据一个实施例，放大器还包括第一电路，第一电路耦合到第一器件的输出节点、放大器的输出节点和被配置为接收第二电源电势的节点，其中第一电路被配置为接收第一器件的第二电流并且向放大器的输出节点提供与该第二电流成比例的电流。

37、根据一个实施例，放大器适于在放大器的输入与放大器的输出节点之间实现跨阻函数。

技术特征：

1.一种器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一晶体管的所述漏极连接到所述输出节点。

3.根据权利要求1所述的器件，还包括：

4.根据权利要求1所述的器件，

5.一种放大器，包括：

6.根据权利要求5所述的放大器，还包括：

7.根据权利要求5所述的放大器，其中所述放大器被配置为在所述放大器的输入与所述放大器的输出节点之间实现跨阻函数。

8.根据权利要求4所述的器件，其中所述第三mos晶体管与所述第一电阻器串联连接。

9.根据权利要求4所述的器件，其中所述第三mos晶体管的漏极连接到所述第一电阻器的所述第二端子。

10.根据权利要求4所述的器件，其中所述偏置电路还包括与所述第三mos晶体管串联连接的电流源。

11.根据权利要求10所述的器件，其中所述第一电阻器的所述第二端子连接到所述第一节点。

12.根据权利要求10所述的器件，其中所述偏置电路还包括连接在所述第三mos晶体管的所述栅极与所述第一节点之间的第二电容器。

13.一种放大器，包括：

14.根据权利要求13所述的放大器，还包括辅助放大器，所述辅助放大器具有耦合到所述差分对的所述第一mos晶体管的所述栅极的第一输入、耦合到所述差分对的所述第二晶体管的所述栅极的第二输入、以及耦合到所述放大器的所述输出节点的输出。

15.根据权利要求13所述的放大器，其中所述第一器件的所述偏置电路也是所述第二器件的所述偏置电路。

16.根据权利要求13所述的放大器，还包括第一电路，所述第一电路耦合到所述第一器件的所述输出节点、所述放大器的所述输出节点、以及被配置为接收所述第二电源电势的所述节点，其中所述第一电路被配置为接收所述第一器件的所述第二电流并且向所述放大器的所述输出节点提供与所述第二电流成比例的电流。

17.根据权利要求13所述的放大器，适于在所述放大器的输入与所述放大器的输出节点之间实现跨阻函数。

18.一种放大器，包括：

19.根据权利要求18所述的放大器，还包括：

20.根据权利要求18所述的放大器，其中所述放大器被配置为在所述放大器的输入与所述放大器的输出节点之间实现跨阻函数。

技术总结在一个实施例中，一种器件包括被配置为接收第一电流的输入节点，被配置为提供由第一电流确定的第二电流的输出节点，具有连接到输入节点的第一端子和耦合到被配置为接收第一电源电压的第一节点的第二端子的第一电阻器，具有连接到第一节点的源极和耦合到器件的输出节点的漏极的第一MOS晶体管，具有连接到第一MOS晶体管的栅极的第一端子的第二电阻器，被配置为在第二电阻器的第二端子上提供偏置电压的偏置电路，以及连接在输入节点与第一MOS晶体管的栅极之间的第一电容器。技术研发人员：V·米卡尔受保护的技术使用者：意法半导体（格勒诺布尔2）公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15