用于字线开关晶体管的具有多个阱的非易失性存储器的制作方法

背景技术：

1、本公开涉及非易失性存储装置。

2、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的一个示例为闪存存储器(例如，nand型闪存存储器和nor型闪存存储器)。

3、将数据编程到非易失性存储器中通常包括将编程电压作为随时间增加幅值的一系列电压脉冲施加到所选择的存储器单元的控制栅极。在一个可能的方法中，脉冲的幅值随每个连续脉冲而增大预定的步长大小(例如，0.2伏至0.6伏)。在编程脉冲之间的周期中，执行验证操作。即，在连续编程脉冲之间读取正被并行编程的一组存储器单元中的每个存储器单元的编程电平以确定该编程电平是否等于或大于相应存储器单元正被编程到的验证电平。

4、对于一些架构，可同时编程或读取数千个存储器单元。例如，在nand架构的情况下，数千个存储器单元的控制栅极可通过通常所称的字线连接在一起。因此，通过将编程电压施加到字线，可一次编程数千个存储器单元。同样，通过将读取电压施加到字线，可一次读取数千个存储器单元。

5、存储器阵列可具有许多字线，每个字线用作不同组存储器单元的控制线。对于一些架构，一次在一个字线上执行编程或读取。通常，这被称为所选择的字线。因此，可将编程电压施加到所选择的字线，并且同时将不编程存储器单元的另一个电压施加到未选择的字线。

6、一种将必要电压施加到字线的技术是通过连接到每个字线的字线开关晶体管。对于一些技术，为了接通字线开关晶体管以将编程电压传送到字线，需要将字线开关晶体管的栅极偏置到至少编程电压加上该字线开关晶体管的阈值电压。编程电压可能相当大，因此所需的栅极电压甚至更大。为了适应大栅极电压，字线开关晶体管必须制造得比较小栅极电压所需要的大。随着存储器阵列已变得更大，具有更多字线和更多存储器单元，需要更多字线开关晶体管。因此，字线开关晶体管占据半导体管芯上的更多空间，这将需要更大的管芯或者防止包括执行其他功能的电路。因此，需要减小用于字线开关晶体管的空间。

技术实现思路

技术特征：

1.一种非易失性存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中：

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储装置，其中：

4.根据权利要求1或2所述的非易失性存储装置，其中：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的非易失性存储装置，还包括：

6.根据权利要求1至4中任一项所述的非易失性存储装置，还包括：

7.根据权利要求1至4中任一项所述的非易失性存储装置，还包括：

8.根据权利要求7所述的非易失性存储装置，其中：

9.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括：

10.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括：

11.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中：

12.根据权利要求11所述的非易失性存储装置，其中：

13.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中：

14.根据权利要求1至13中任一项所述的非易失性存储装置，还包括：

15.一种用于操作非易失性存储装置的方法，包括：

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

17.根据权利要求15或16所述的方法，其中：

技术总结非易失性存储器包括非易失性存储器阵列，该非易失性存储器阵列包括非易失性存储器单元的块、连接到该存储器单元的位线和连接到该存储器单元的字线。字线开关晶体管将该字线连接到电压源。该字线开关晶体管位于三阱中。利用多个三阱，并且基于在编程过程期间使用的字线电压范围将该字线开关晶体管分组到三阱中。在一个实施方案中，对于给定块，连接到数据字线的字线开关晶体管位于第一三阱中，并且连接到选择及虚设字线的字线开关晶体管位于第二三阱中。这种结构允许这些三阱被不同地偏置。技术研发人员：邵世谦,外山史晃,水谷祐树,M·邓加,P·拉布金受保护的技术使用者：桑迪士克科技有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15