均衡器版图及存储器版图的制作方法

本公开实施例涉及存储器领域，特别涉及一种均衡器版图及存储器版图。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)通过向存储单元的电容器中存储电荷以完成对存储器的数据写入操作，通过读取存储单元的电容器中的电荷以完成对存储器的数据读出操作。

2、为了确保数据接收的正确性，大部分的存储器存储装置中都设置有均衡器，参考图1，图1为一种均衡器的电路图，均衡器包括第一晶体管m0、第二晶体管m1以及第三晶体管m2，均衡器的目的就是在预充电或者读写操作之后把全局数据线(global i/o，gio)133和互补全局数据线(complementary，global i/o，giob)134拉到同一个电位，类似一个复位功能，然后使整个存储器装置准备下一次的动作。

3、由于电子工业的最新发展，对更高级的功能、更高的速度和更小尺寸的电子组件的需求越来越大。因此，为了提高半导体存储器设备的集成度，存储器单元区域和外围电路区域的面积已经减少，均衡器版图的面积利用率仍需进一步优化。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种均衡器版图及存储器版图，至少有利于提升均衡器版图的面积利用率。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种均衡器版图，所述均衡器包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，均衡器版图包括：沿第一方向排布设置的第一晶体管版图和第二晶体管版图，其中，所述第一晶体管版图和所述第二晶体管版图构成第一子版图，所述第一晶体管版图和所述第二晶体管版图沿第一方向镜像对称；第三晶体管版图，沿第二方向，所述第三晶体管版图位于所述第一子版图的一侧，且所述第三晶体管版图沿所述第二方向的中心线和所述第一子版图的沿所述第二方向的中心线重合；其中，所述第一方向与第二方向相交。

3、在一些实施例中，所述第一晶体管版图包括：沿所述第二方向依次排布的第一源极图案、第一栅线图案和第一漏极图案，所述第二晶体管版图包括：沿第二方向依次排布的第二源极图案、第二栅线图案和第二漏极图案，其中，所述第一源极图案用于形成第一晶体管的第一源极，所述第二源极图案用于形成第二晶体管的第二源极，所述第一源极和所述第二源极通过第一金属线图案共接。

4、在一些实施例中，所述第三晶体管版图包括：沿第二方向依次排布的第三源极图案、第三栅线图案和第三漏极图案。

5、在一些实施例中，所述第一栅线图案与所述第二栅线图案沿所述第一方向镜像对称，所述第一栅线图案与所述第二栅线图案构成第一子版图的栅线图案，所述栅线图案沿第二方向的中心线与所述第三栅线图案沿第二方向的中心线重合。

6、在一些实施例中，所述第一栅线图案用于形成所述第一晶体管的第一栅极，所述第二栅线图案用于形成所述第二晶体管的第二栅极，所述第三栅线图案用于形成所述第三晶体管的第三栅极；还包括：栅极处理数据线和三个第二金属线图案，所述三个第二金属线图案均与所述栅极处理数据线电连接，所述三个第二金属线图案分别与所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极电连接；所述栅极处理数据线沿所述第二方向的中心线与所述第三栅线图案沿第二方向的中心线重叠。

7、在一些实施例中，所述第一漏极图案用于形成所述第一晶体管的第一漏极，所述第二漏极图案用于形成所述第二晶体管的第二漏极；还包括：全局数据线和互补全局数据线，所述第一漏极通过第一接触结构与所述全局数据线电连接，所述第二漏极通过第二接触结构与所述互补全局数据线电连接。

8、在一些实施例中，所述第一晶体管版图的有源图案、所述第二晶体管版图的有源图案以及所述第三晶体管版图的有源图案设置在同一个阱区中。

9、在一些实施例中，还包括：沿第一方向延伸的隔离图案，所述隔离图案位于所述第三晶体管版图远离所述第一子版图的一侧和/或所述第一子版图远离所述第三晶体管版图的一侧，所述隔离图案位于所述阱区内。

10、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种存储器版图，包括：沿第一方向依次排布的多个均衡器版图，所述多个均衡器版图的每一均衡器版图包括如上述实施例任一项所述的均衡器版图。

11、在一些实施例中，所述多个均衡器版图内的每一均衡器版图的有源图案均设置在同一个阱区中。

12、在一些实施例中，每一所述均衡器版图还包括：沿第一方向延伸的隔离图案，所述隔离图案位于所述第三晶体管版图远离所述第一子版图的一侧和/或所述第一子版图远离所述第三晶体管版图的一侧，所述隔离图案位于所述阱区内；还包括：第四金属线图案，所述第四金属线图案通过第三接触插塞与所述阱区电连接，所述第四金属线图案通过第四接触插塞与每一所述隔离结构电连接。

13、在一些实施例中，沿垂直于所述第一方向和第二方向的方向上，所述第四金属线图案与所述第一金属线图案为同层。

14、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：

15、本公开实施例提供的均衡器版图中，第一子版图包括沿第一方向排布设置的第一晶体管版图和第二晶体管版图，第一晶体管版图和第二晶体管版图沿第一方向镜像对称。如此，与第一晶体管版图的各个有源图案电连接的数据线和与第二晶体管版图的各个有源图案电连接的数据线可以镜像对称设置，可以减小连接各个数据线的连接层的用量以及节省均衡器的面积。均衡器版图包括第三晶体管版图，沿第二方向，第三晶体管版图位于第一子版图的一侧。第三晶体管版图沿第二方向的中心线和第一子版图的沿第二方向的中心线重合，则用于连接第三晶体管版图的各个有源图案的数据线可以与第一子版图的各个有源图案的数据线之间相互重叠，即节省了一个数据线的位置以及材料，提高了存储区版图的面积利用率。其中，第一方向与第二方向相交。

16、此外，由于与第一晶体管版图的各个有源图案电连接的数据线和与第二晶体管版图的各个有源图案电连接的数据线可以镜像对称设置，连接第三晶体管版图的各个有源图案的数据线可以与第一子版图的各个有源图案的数据线之间相互重叠，保证了数据线内传递的信号到达各晶体管版图的有源图案的距离相近，从而可以保证第一晶体管版图的第一晶体管与第二晶体管版图的第二晶体管同时到达相同的电位。

技术特征：

1.一种均衡器版图，所述均衡器包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的均衡器版图，其特征在于，所述第一晶体管版图包括：沿所述第二方向依次排布的第一源极图案、第一栅线图案和第一漏极图案，所述第二晶体管版图包括：沿第二方向依次排布的第二源极图案、第二栅线图案和第二漏极图案，其中，所述第一源极图案用于形成第一晶体管的第一源极，所述第二源极图案用于形成第二晶体管的第二源极，所述第一源极和所述第二源极通过第一金属线图案共接。

3.根据权利要求2所述的均衡器版图，其特征在于，所述第三晶体管版图包括：沿第二方向依次排布的第三源极图案、第三栅线图案和第三漏极图案。

4.根据权利要求3所述的均衡器版图，其特征在于，所述第一栅线图案与所述第二栅线图案沿所述第一方向镜像对称，所述第一栅线图案与所述第二栅线图案构成第一子版图的栅线图案，所述栅线图案沿第二方向的中心线与所述第三栅线图案沿第二方向的中心线重合。

5.根据权利要求4所述的均衡器版图，其特征在于，所述第一栅线图案用于形成所述第一晶体管的第一栅极，所述第二栅线图案用于形成所述第二晶体管的第二栅极，所述第三栅线图案用于形成所述第三晶体管的第三栅极；还包括：栅极处理数据线和三个第二金属线图案，所述三个第二金属线图案均与所述栅极处理数据线电连接，所述三个第二金属线图案分别与所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极电连接；所述栅极处理数据线沿所述第二方向的中心线与所述第三栅线图案沿第二方向的中心线重叠。

6.根据权利要求2所述的均衡器版图，其特征在于，所述第一漏极图案用于形成所述第一晶体管的第一漏极，所述第二漏极图案用于形成所述第二晶体管的第二漏极；还包括：

7.根据权利要求1所述的均衡器版图，其特征在于，所述第一晶体管版图的有源图案、所述第二晶体管版图的有源图案以及所述第三晶体管版图的有源图案设置在同一个阱区中。

8.根据权利要求7所述的均衡器版图，其特征在于，还包括：沿第一方向延伸的隔离图案，所述隔离图案位于所述第三晶体管版图远离所述第一子版图的一侧和/或所述第一子版图远离所述第三晶体管版图的一侧，所述隔离图案位于所述阱区内。

9.一种存储器版图，其特征在于，包括：沿第一方向依次排布的多个均衡器版图，所述多个均衡器版图的每一均衡器版图包括如权利要求1～8任一项所述的均衡器版图。

10.根据权利要求9所述的存储器版图，其特征在于，所述多个均衡器版图内的每一均衡器版图的有源图案均设置在同一个阱区中。

11.根据权利要求10所述的存储器版图，其特征在于，每一所述均衡器版图还包括：沿第一方向延伸的隔离图案，所述隔离图案位于所述第三晶体管版图远离所述第一子版图的一侧和/或所述第一子版图远离所述第三晶体管版图的一侧，所述隔离图案位于所述阱区内；还包括：第四金属线图案，所述第四金属线图案通过第三接触插塞与所述阱区电连接，所述第四金属线图案通过第四接触插塞与每一所述隔离图案电连接。

12.根据权利要求11所述的存储器版图，其特征在于，沿垂直于所述第一方向和第二方向的方向上，所述第四金属线图案与第一金属线图案为同层。

技术总结本公开实施例涉及存储器领域，提供一种均衡器版图以及存储器版图，均衡器包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，均衡器版图包括：沿第一方向排布设置的第一晶体管版图和第二晶体管版图，其中，所述第一晶体管版图和所述第二晶体管版图构成第一子版图，所述第一晶体管版图和所述第二晶体管版图沿第一方向镜像对称；第三晶体管版图，沿第二方向，所述第三晶体管版图位于所述第一子版图的一侧，且所述第三晶体管版图沿所述第二方向的中心线和所述第一子版图的沿所述第二方向的中心线重合；其中，所述第一方向与第二方向相交。本公开实施例提供的均衡器版图以及存储器版图至少可以提升均衡器版图的面积利用率。技术研发人员：刘旭升受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15