一种基于单Die读重试的纠错调度方法与流程

本发明涉及半导体存储器技术，尤其涉及一种基于单die读重试的纠错调度方法。

背景技术：

1、目前ssd行业固件对于读出错的数据一般都首先采用读重试(readretry)方法进行纠错由于固件对于闪存阵列的存储单元au的状态是不能直接感知，需要通过闪存控制器进行上报，在实际应用过程中，闪存阵列上出错存储单元分布形态各异，在固件调度算法上非常复杂，行业内通常做法是根据闪存控制器上报的出错au逐个进行readretry纠错。如果当前au没有纠错成功，固件会重新更新一组参考电压参数进行新一轮的readretry纠错，直到该出错的au被纠错成功或参考电压参数表内的所有电压参数全部被遍历完还没有纠错成功，才开始进行下一个出错au的纠错过程。因此在纠错单元最小粒度上行业内普遍调度的为单个au。

2、如果按照现有的ssd行业内按照单个4kb大小的au数据进行逐一纠错会导致readretry读重试纠错效率很低，对于每一个4kb大小的纠错au单元纠错读命令都需要硬件读取等待时间，该操作调度耗时时间长，导致ssd的命令延时大，ssd纠错性能差。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题在于针对现有技术中的缺陷，提供一种基于单die读重试的纠错调度方法。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基于单die读重试的纠错调度方法，包括以下步骤：

3、1）主机多plane读出错后，对闪存控制器上报的每个plane读出错的存储单元au进行统计，形成读出错的存储单元au位图；

4、其中，存储单元au位图是同一个die中每个plane所在的page页上4个存储单元au的分布图，读出错的存储单元au位图通过将读出错的存储单元au在存储单元au位图进行标记形成；

5、2）根据存储单元au位图进行基于单die命令调度的读重试纠错；

6、2.1）选择一个上报的读出错au，获得当前有出错的au所在page的存储单元au位图；

7、2.2）根据存储单元au位图确定该die中所有存在读出错的存储单元au的plane；

8、2.3）设定参考电压后进行读重试，将当前单die所有出错plane内部相应page页数据都读到对应的页寄存器中，按照步骤1）建立的读出错的存储单元au位图逐个将该page页中各plane读出错的au数据传输到控制器中；

9、2.4）对传输到控制器内的au数据进行读重试纠错，直到控制器中所有的存储单元au被纠错成功或放弃。

10、按上述方案，步骤2.4）中对传输到控制器内的au数据进行读重试纠错，具体如下：

11、对传输到控制器内的所有au数据经过解码后，如果对应的读出错的数据经过解码后成功纠错，则将成功纠错的au数据传输到主机端；

12、如果对应的读出错的数据经过解码后重新出错，对重新出错的所有au数据，调整电压参数后进行新一轮的读重试纠错，直到遍历参考电压表的参数值或控制器中所有的存储单元au被纠错成功。

13、本发明产生的有益效果是：

14、本发明方法与传统的单个4kb大小的au数据逐个进行读重试纠错方法相比，通过设置读出错的4kb大小的au分布位图，可以有效缩短读重试纠错方法时间，提升纠错效率。

技术特征：

1.一种基于单die读重试的纠错调度方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于单die读重试的纠错调度方法，其特征在于，所述步骤2）具体如下：

3.根据权利要求1所述的基于单die读重试的纠错调度方法，其特征在于，所述步骤2.4）中对传输到控制器内的au数据进行读重试纠错，具体如下：

4.一种服务器，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-3中任一项所述的基于单die读重试的纠错调度方法。

5.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-3中任一项所述的基于单die读重试的纠错调度方法。

技术总结本发明公开了一种基于单Die读重试的纠错调度方法，该方法包括以下步骤：1）主机多Plane读出错后，对闪存控制器上报的每个Plane读出错的存储单元AU进行统计，形成读出错的存储单元AU位图；其中，存储单元AU位图是同一个Die中每个Plane所在的page页上4个存储单元AU的分布图，读出错的存储单元AU位图通过将读出错的存储单元AU在存储单元AU位图进行标记形成；2）根据存储单元AU位图进行基于单Die命令调度的读重试纠错。本发明方法通过设置读出错的存储单元AU位图，可以有效缩短读重试纠错方法时间，提升纠错效率。技术研发人员：赵周星,张杰,吴国骏,李四林受保护的技术使用者：湖北长江万润半导体技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15