flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片与流程

本申请涉及半导体集成电路，具体而言，涉及flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片。

背景技术：

1、对于现有技术的有边角容量的flash芯片而言，只按照特定的地址分区使用特定的存储区域，flash芯片的边角容量难以被有效利用。例如客户的需求容量为65m，但由于规格所限只能选择标定容量为128m的产品，那么剩余的63m边角容量一般不使用，造成了容量浪费。

2、因此，现有技术有待改进和发展。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片，能解决芯片中边角容量被浪费的问题，从而能有效利用边角容量以延长芯片的使用寿命。

2、第一方面，本申请提供了一种flash芯片的擦除方法，所述flash芯片中可用存储区域划分为容量大小相同的至少一个备用区域和多个使用区域，所述备用区域和所述使用区域可配对转换；

3、所有所述使用区域和所有所述备用区域的叠加总容量等于所述flash芯片的标定容量；

4、所述擦除方法包括以下步骤：

5、a1.获取第一cycle次数和第二cycle次数，所述第一cycle次数为待擦除的使用区域的cycle次数，所述第二cycle次数为所述备用区域的cycle次数；

6、a2.若存在至少一个所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域，则将一备用区域转换为待擦除的使用区域，同时将原来第一cycle次数的使用区域释放，转换为备用区域；

7、a3.对待擦除的使用区域进行擦除操作。

8、本申请的擦除方法通过将flash芯片可用存储区域中的备用区域转换为使用区域并对使用区域进行擦除操作，能将使用区域的cycle次数增大转换为备用区域的cycle次数增大，充分利用可用存储区域中的边角容量以增加flash芯片可进行的安全cycle次数，从而能延长flash芯片的使用寿命。

9、可选地，本申请所述的flash芯片的擦除方法中，步骤a2中，若存在多个所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域，则将其中一个该备用区域转换为待擦除的使用区域，同时将原来第一cycle次数的使用区域释放，转换为备用区域。

10、可选地，本申请所述的flash芯片的擦除方法中，步骤a2中，若存在多个所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域，则将cycle次数最小的该备用区域转换为待擦除的使用区域，同时将原来第一cycle次数的使用区域释放，转换为备用区域。

11、在该实施方式中，本申请的擦除方法能够确保cycle次数小的备用区域优先被转换，继而能使各个使用区域和各个备用区域在多个擦除过程中cycle次数保持相近，提升芯片的整体性能；并且由于cycle次数越小的区域擦写性能越优，本申请的擦除方法能够优先转换cycle次数小的备用区域以提升擦写效率；另外cycle次数小的备用区域在被转换后作为使用区域，其第一cycle次数在满足被转换条件前需要增加的次数大，因此本申请的擦除方法能够优先转换cycle次数小的备用区域以降低转换频率。

12、可选地，本申请所述的flash芯片的擦除方法中，步骤a1中，根据编号顺序获取所述第二cycle次数，当获取到一个比所述第一cycle次数小的所述第二cycle次数时，停止获取余下的所述第二cycle次数。

13、在该实施方式中，本申请的擦除方法能确保编号顺序靠后的备用区域120的第二cycle次数尽量后被获取，从而尽量保持指定备用区域120的性能。

14、可选地，本申请所述的flash芯片的擦除方法中，步骤a2中，若存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小且差值大于等于第一预设阈值的备用区域，则将该备用区域转换为待擦除的使用区域，同时将原来第一cycle次数的使用区域释放，转换为备用区域。

15、可选地，本申请所述的flash芯片的擦除方法中，所述第一预设阈值为10000至30000。

16、可选地，本申请所述的flash芯片的擦除方法中，步骤a2中，若存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小且该第二cycle次数小于等于第二预设阈值的备用区域，则将该备用区域转换为待擦除的使用区域，同时将原来第一cycle次数的使用区域释放，转换为备用区域。

17、在该实施方式中，本申请的擦除方法只转换第二cycle次数小于等于第二预设阈值的备用区域，能避免第二cycle次数过大的备用区域被获取做转换，从而能尽量保持各使用区域和各备用区域的性能和flash芯片的擦写效率。

18、可选地，本申请所述的flash芯片的擦除方法中，所述使用区域包括若干block或若干sector。

19、第二方面，本申请提供了一种flash芯片的擦除装置，所述flash芯片中可用存储区域划分为容量大小相同的至少一个备用区域和多个使用区域，所述备用区域和所述使用区域可配对转换；

20、所有所述使用区域和所有所述备用区域的叠加总容量等于所述flash芯片的标定容量；

21、所述擦除装置包括：

22、第一获取模块，用于获取第一cycle次数，所述第一cycle次数为待擦除的使用区域的cycle次数；

23、第二获取模块，用于获取第二cycle次数，所述第二cycle次数为所述备用区域的cycle次数；

24、检测模块，用于检测是否存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域；

25、转换模块，用于在存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域时，将该备用区域转换为待擦除的使用区域，同时将原来第一cycle次数的使用区域释放，转换为备用区域；

26、擦除模块，用于对待擦除的使用区域进行擦除操作。

27、第三方面，本申请提供了一种flash芯片，所述flash芯片包括控制电路和存储阵列，所述存储阵列具有可用存储区域，所述控制电路基于上述任一所述的擦除方法对所述存储阵列执行擦除操作。

28、由上可知，本申请提供了一种flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片，其中本申请的擦除方法能将使用区域的cycle次数增大转换为备用区域的cycle次数增大，充分利用可用存储区域中的边角容量以增加flash芯片可进行的安全cycle次数，从而能延长flash芯片的使用寿命。

29、本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

技术特征：

1.一种flash芯片的擦除方法，其特征在于，所述flash芯片中可用存储区域划分为容量大小相同的至少一个备用区域(120)和多个使用区域(110)，所述备用区域(120)和所述使用区域(110)可配对转换；

2.根据权利要求1所述的flash芯片的擦除方法，其特征在于，步骤a2中，若存在多个所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域(120)，则将其中一个该备用区域(120)转换为待擦除的使用区域(110) ，同时将原来第一cycle次数的使用区域(110)释放，转换为备用区域(120)。

3.根据权利要求2所述的flash芯片的擦除方法, 其特征在于，步骤a2中，若存在多个所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域(120)，则将cycle次数最小的该备用区域(120)转换为待擦除的使用区域(110) ，同时将原来第一cycle次数的使用区域(110)释放，转换为备用区域(120)。

4.根据权利要求1所述的flash芯片的擦除方法, 其特征在于，步骤a1中，根据编号顺序获取所述第二cycle次数，当获取到一个比所述第一cycle次数小的所述第二cycle次数时，停止获取余下的所述第二cycle次数。

5.根据权利要求1所述的flash芯片的擦除方法，其特征在于，步骤a2中，若存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小且差值大于等于第一预设阈值的备用区域(120)，则将该备用区域(120)转换为待擦除的使用区域(110) ，同时将原来第一cycle次数的使用区域(110)释放，转换为备用区域(120)。

6.根据权利要求5所述的flash芯片的擦除方法，其特征在于，所述第一预设阈值为10000至30000。

7.根据权利要求1所述的flash芯片的擦除方法，其特征在于，步骤a2中，若存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小且该第二cycle次数小于等于第二预设阈值的备用区域(120)，则将该备用区域(120)转换为待擦除的使用区域(110) ，同时将原来第一cycle次数的使用区域(110)释放，转换为备用区域(120)。

8.根据权利要求1所述的flash芯片的擦除方法，其特征在于，所述使用区域(110)包括若干block或若干sector。

9.一种flash芯片的擦除装置，其特征在于，所述flash芯片(100)中可用存储区域划分为容量大小相同的至少一个备用区域(120)和多个使用区域(110)，所述备用区域(120)和所述使用区域(110)可配对转换；

10.一种flash芯片，其特征在于，所述flash芯片包括控制电路和存储阵列，所述存储阵列具有可用存储区域，所述控制电路基于权利要求1-8任一项所述的擦除方法对所述存储阵列执行擦除操作。

技术总结本申请公开了一种flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片，属于半导体集成电路技术领域，其中所述擦除方法包括以下步骤：获取第一cycle次数和第二cycle次数，所述第一cycle次数为待擦除的使用区域的cycle次数，所述第二cycle次数为所述备用区域的cycle次数；若存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域，则将该备用区域转换为待擦除的使用区域；对待擦除的使用区域进行擦除操作。本申请的擦除方法，能解决芯片中边角容量被浪费的问题，从而能有效利用边角容量以延长芯片的使用寿命。技术研发人员：李文菊受保护的技术使用者：上海芯存天下电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15