存储器驱动器、存储器系统和操作方法与流程

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及存储器驱动器、存储器系统和操作方法。

背景技术：

1、存储器件已被用于各种应用中。一般来说，存储器件包括，例如，静态随机存取存储器(sram)和动态随机存取存储器(dram)。sram器件通常用于高速通信、图像处理和片上系统(soc)应用。

2、在对sram进行读取操作时，读取操作过程中出现的不可接受的现象被称为读取干扰。读取干扰是sram中晶体管阈值电压变化的结果，在某些情况下会导致读取操作产生与实际存储值相反的值。为了将读取干扰降低到可接受的水平，sram存储器的字线被欠驱动(underdriven)至低于工作电压的数值。这种欠驱动被称为读辅助。

技术实现思路

1、本发明的一个方面提供了一种存储器驱动器，包括：字线驱动电路，连接至字线，并且被配置为根据输入信号有选择地从参考节点向所述字线提供参考电压；参考电路，具有连接至所述参考节点的电容器，所述参考电路被配置为在所述电容器上存储所述参考电压，并且当所述参考电压由所述字线驱动电路从所述参考节点提供给选定的所述字线时，将所述参考电压从第一电压电平降低到第二电压电平；以及偏置电路，连接至所述参考节点，并且被配置为调节所述参考节点上的降低的所述参考电压。

2、本发明的另一个方面提供了一种存储器系统，包括：存储器阵列，包括由多条字线控制的多个存储单元；以及存储器驱动器，包括：字线驱动电路，连接至所述多条字线，并且被配置为根据输入信号有选择地从参考节点向所述多条字线的选定字线提供参考电压；参考电路，包括连接至所述参考节点的电容器，所述参考电路被配置为在所述电容器上存储所述参考电压，并且当所述参考电压由所述字线驱动电路从所述参考节点提供至选定的所述字线时，根据所述电容器的电容和选定的所述字线的等效电容引起电荷共享；和偏置电路，连接至所述参考节点，并且被配置为在所述参考电压从所述参考节点提供至选定的所述字线后调节所述参考电压。

3、本发明的又一个方面提供了一种用于操作存储器阵列的操作方法，所述存储器阵列包括由多条字线控制的多个存储单元，所述操作方法包括：将参考电压存储在电容器上，并且使所述电容器连接至参考节点，以向所述参考节点提供所述参考电压；有选择地将所述参考电压提供至所述多条字线中的选定字线；当所述参考电压从所述参考节点提供给所述多条字线中的所述选定字线时，通过所述电容器和所述选定字线的等效电容之间的电压共享将所述参考电压从第一电压电平降低到第二电压电平；以及调节所述参考节点上的降低的所述参考电压。

技术特征：

1.一种存储器驱动器，包括

2.根据权利要求1所述的存储器驱动器，其中，在所述参考电压被所述参考电路降低到所述第二电压电平后，所述偏置电路被启用以调节所述参考节点上的参考电压。

3.根据权利要求1的存储器驱动器，其中，当所述参考电压由所述字线驱动器电路从所述参考节点提供给所述字线时，所述字线由所述字线驱动器连接至所述参考节点。

4.根据权利要求1的存储器驱动器，其中，所述第二电压电平与所述第一电压电平的比率与所述电容器的电容与所述电容器的电容和所述字线的等效电容之和的比率呈正相关。

5.根据权利要求1所述的存储器驱动器，其中，所述参考电路被配置为在所述参考节点上以工作电压对所述电容器充电，所述参考电路还包括：

6.根据权利要求5的存储器驱动器，其中，所述偏置串包括多个互补金属氧化物硅(cmos)晶体管，每个互补金属氧化物硅晶体管都是二极管接法的，并且所述多个互补金属氧化物硅晶体管串联在所述电容器的两端，所述第一电压电平被所述偏置串限制为小于或等于所述多个互补金属氧化物硅晶体管的阈值电压之和。

7.一种存储器系统，包括

8.根据权利要求7的存储器系统，其中，所述参考电压通过所述电荷共享从第一电压电平降低到第二电压电平，所述第二电压电平与所述第一电压电平的比率与所述电容器的电容与所述电容器的电容和选定的所述字线的等效电容之和的比率成正比。

9.一种用于操作存储器阵列的操作方法，所述存储器阵列包括由多条字线控制的多个存储单元，所述操作方法包括：

10.根据权利要求9的操作方法，其中，所述第二电压电平与所述第一电压电平的比率与所述电容器的电容与所述电容器的电容和所述选定字线的等效电容之和的比率正相关。

技术总结本发明的实施例提供了一种存储器驱动器、存储系统和操作方法。存储器驱动器包括字线驱动电路、参考电路和偏置电路。字线驱动电路与字线连接，并且被配置为根据输入信号有选择地从参考节点向字线提供参考电压。参考电路具有连接至参考节点的电容器。参考电路被配置为在电容器上存储参考电压，并且在参考电压由字线驱动电路从参考节点提供至字线时，将参考电压从第一电压电平降低到第二电压电平。连接至参考节点的偏置电路，被配置为通过第二电压电平调节参考节点的参考电压。技术研发人员：田村元树,薮内诚受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15