存储器电路及其操作方法与流程

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及存储器电路及其操作方法。

背景技术：

1、半导体集成电路(ic)工业制造出各种各样的数字器件来解决多个不同领域的问题。这些数字器件中的一些，诸如存储器宏，被配置为存储数据。随着ic变得越来越小和越来越复杂，这些数字器件中的导线的电阻也会发生变化，从而影响这些数字器件的工作电压和整体ic性能。

技术实现思路

1、本发明的一实施例提供了一种存储器电路，包括：一组存储器单元；第一位线和第二位线，耦合至该组存储器单元；局部输入输出(lio)电路，通过所述第一位线和所述第二位线耦合至该组存储器单元，所述lio电路包括：第一数据线和第二数据线；第一控制电路，被配置为生成第一感测放大器信号和与所述第一感测放大器信号反相的第二感测放大器信号；第二控制电路，被配置为响应于至少第二控制信号或第三控制信号而生成第一控制信号；开关电路，耦合至所述第一数据线、所述第二数据线和所述第二控制电路，并被配置为接收所述第三控制信号，被配置为在该组存储器单元的写入操作期间将第一输入信号和第二输入信号传送至对应的第一数据线和第二数据线，并且在该组存储器单元的读取操作期间将所述第一数据线和所述第二数据线与所述第一输入信号和所述第二输入信号电隔离；以及第一锁存器电路，耦合至所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一控制电路和所述第二控制电路，在所述读取操作期间，响应于所述第三控制信号和所述第二感测放大器信号，所述第一锁存器电路被配置为感测放大器，并且在所述写入操作期间，响应于所述第三控制信号和所述第一控制信号，所述第一锁存器电路被配置为写入锁存器。

2、本发明的另一实施例提供了一种存储器电路，包括：一组存储器单元；第一位线和第二位线，耦合至该组存储器单元；第一数据线和第二数据线；第一控制电路，被配置为接收全局感测放大器信号，并且生成第一感测放大器信号和与所述第一感测放大器信号反相的第二感测放大器信号；第二控制电路，被配置为响应于至少第二控制信号或第三控制信号而生成第一控制信号；第三控制电路，耦合在所述第一控制电路和所述第二控制电路之间，并且被配置为响应于所述全局感测放大器信号和第四控制信号而生成所述第二控制信号；开关电路，耦合至所述第一数据线、所述第二数据线和所述第二控制电路，并被配置为接收所述第三控制信号，被配置为在该组存储器单元的写入操作期间将第一输入信号和第二输入信号传送至对应的第一数据线和第二数据线，并且在该组存储器单元的读取操作期间将所述第一数据线和所述第二数据线与所述第一输入信号和所述第二输入信号电隔离；以及第一锁存器电路，耦合至所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一控制电路和所述第二控制电路，在所述读取操作期间，响应于所述第三控制信号和所述第二感测放大器信号，所述第一锁存器电路被配置为感测放大器，并且在所述写入操作期间，响应于所述第三控制信号和所述第一控制信号，所述第一锁存器电路被配置为写入锁存器。

3、本发明的又一实施例提供了一种操作存储器电路的方法，所述方法包括：通过第一控制电路生成反相感测放大器信号和与所述反相感测放大器信号反相的感测放大器信号；响应于至少第二控制信号或第三控制信号，通过第二控制电路生成第一控制信号；以及响应于至少所述感测放大器信号、所述第二控制信号或第一时钟信号，通过局部输入输出(lio)电路读取第一存储器单元，所述第一存储器单元耦合至所述lio电路，其中，读取所述第一存储器单元包括：响应于所述第三控制信号而禁用开关电路；响应于预充电控制信号，通过预充电/均衡电路将第一数据线和第二数据线预充电至预充电电压，并且均衡所述第一数据线和所述第二数据线的电压，所述开关电路耦合至所述第一数据线和所述第二数据线；响应于至少所述第三控制信号和所述感测放大器信号而使能被配置为感测放大器的第一锁存器电路，所述第一锁存器电路耦合至所述第一数据线和所述第二数据线；响应于至少所述第三控制信号和所述感测放大器信号，通过所述第一锁存器电路感测第一数据线信号和第二数据线信号；响应于所述感测放大器信号和所述反相感测放大器信号，通过第二锁存器电路将所述第一数据线信号传送至所述第二锁存器电路的输出节点，所述第二锁存器电路耦合至所述第一数据线和所述第一锁存器电路；响应于所述感测放大器信号和所述反相感测放大器信号，通过所述第二锁存器电路锁存所述第一数据线信号；以及通过所述lio电路输出存储在所述第一存储器单元中的数据的第一值，其中，所述第一数据线信号对应于存储在所述第一存储器单元中的数据的第一值。

技术特征：

1.一种存储器电路，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述局部输入输出电路还包括：

3.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述局部输入输出电路还包括：

4.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述局部输入输出电路还包括：

5.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一锁存器电路包括：

6.一种存储器电路，包括：

7.根据权利要求6所述的存储器电路，其中，所述第一控制电路包括：

8.根据权利要求7所述的存储器电路，其中，所述第二控制电路包括：

9.一种操作存储器电路的方法，所述方法包括：

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

技术总结本发明的实施例提供了一种存储器电路包括：第一位线和第二位线，耦合至一组存储器单元；局部输入输出电路，包括第一数据线和第二数据线；第一控制电路，被配置为生成第一感测放大器信号和第二感测放大器信号；第二控制电路，被配置为响应于至少第二控制信号或第三控制信号而生成第一控制信号；开关电路，被配置为在写入操作期间将第一输入信号和第二输入信号传送至对应的第一数据线和第二数据线，并且在读取操作期间，将第一数据线和第二数据线与第一输入信号和第二输入信号电隔离；以及第一锁存器，在读取操作期间被配置为感测放大器，并且在写入操作期间被配置为写入锁存器。本发明的实施例还提供了一种操作存储器电路的方法。技术研发人员：余华鑫,谢豪泰,李政宏,廖宏仁受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15