半导体存储器、刷新方法和电子设备与流程

本公开涉及半导体存储器，尤其涉及一种半导体存储器、刷新方法和电子设备。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成，且不同的存储单元需要经由字线和位线进行选中操作。也就是说，dram中存在大量字线，这些字线相邻排列，在某一字线受到锤式攻击(row hammer)时，与该字线相邻的字线上的存储单元可能会产生数据错误。为了解决这一问题，在检测到row hammer攻击后，需要对字线进行加刷处理，此时刷新对象是随机确定的，对row hammer攻击的缓解效果并不明显，同时造成较高的功耗。

技术实现思路

1、本公开提供了一种半导体存储器、刷新方法和电子设备，通过第一标志位可以标记行锤击事件的锤击行，提高行锤击事件的处置效果。

2、本公开的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开实施例提供了一种半导体存储器，所述半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域，所述主存储区域中设置多个存储行，所述标记存储区域中设置多个第一标志位；其中，

4、每一所述存储行与一个所述第一标志位具有对应关系，且所述第一标志位用于指示所述存储行是否为行锤击事件的锤击行。

5、在一些实施例中，所述存储行延伸到所述标记存储区域的部分用于形成所述存储行对应的第一标志位；其中，所述第一标志位占用一个存储单元。

6、在一些实施例中，所述半导体存储器，用于在监测到存储行在单位时间内的连续被访问次数超过预设阈值时，将所述存储行的第一标志位调整为第一状态；或者，在对所述存储行的相邻存储行进行刷新操作后，将所述存储行的第一标志位调整为第二状态，并重新累计所述存储行在所述单位时间内的连续被访问次数。

7、在一些实施例中，多个所述存储行被分为若干个存储组，所述标记存储区域还设置有若干个第二标志位；每一所述存储组与一个所述第二标志位具有对应关系，且所述第二标志位至少用于指示所述存储组中至少一个存储单元是否具有特定状态，所述特定状态包括被占用。

8、在一些实施例中，每一所述存储组均包括一个存储行，且所述存储行延伸到所述标记存储区域的部分用于形成所述存储组对应的第二标志位；或者每一所述存储组均包括多个存储行，且其中一个所述存储行延伸到所述标记存储区域的部分用于形成所述存储组对应的第二标志位。

9、在一些实施例中，所述半导体存储器，还用于在接收到针对存储单元的内存分配指令后，将所述存储单元所属的存储组的第二标志位调整为第三状态；或者，在接收到针对于所述存储组的内存释放指令后，将所述存储组的第二标志位调整为第四状态；或者，在对所述存储组进行刷新操作后，将所述存储组的第二标志位调整为所述第四状态；其中，所述内存分配指令是字线激活指令或者利用内存控制器中的第一预留码构造得到的，所述内存释放指令是利用内存控制器中的第二预留码构造得到的。

10、第二方面，本公开实施例提供了一种刷新方法，应用于包括多个存储行和多个第一标志位的半导体存储器，一个所述第一标志位用于指示一个所述存储行是否为行锤击事件的锤击行，所述方法包括：

11、在接收到锤击刷新指令后，在多个所述存储行中随机确定目标存储行；

12、对所述目标存储行的第一标志位进行读取，得到读取结果；

13、根据所述读取结果，确定是否对所述目标存储行的相邻存储行进行刷新处理。

14、在一些实施例中，所述根据所述读取结果，确定是否对所述目标存储行的相邻存储行进行刷新处理，包括：

15、在所述第一标志位处于第一状态时，对至少一条所述相邻存储行进行刷新处理；在所述第一标志位处于第二状态时，对所述相邻存储行不进行刷新处理；以及执行下述步骤之一：结束所述锤击刷新指令的执行，或者，确定新的目标存储行并返回执行所述对所述目标存储行的第一标志位进行读取的步骤。

16、在一些实施例中，所述方法还包括：

17、在监测到存储行在单位时间内的连续被访问次数超过预设阈值后，将所述存储行的第一标志位调整为第一状态；在对至少一条所述相邻存储行进行刷新处理后，将所述存储行的第一标志位调整为第二状态，并重新累计所述存储行在单位时间内的连续被访问次数。

18、在一些实施例中，所述半导体存储器还包括第二标志位，多个所述存储行被分为若干个存储组，且一个所述第二标志位至少用于指示一个所述存储组中至少一个存储单元是否处于特定状态，所述特定状态包括被占用；在对至少一条所述相邻存储行进行刷新处理之前，所述方法还包括：

19、对所述相邻存储行所属的存储组的第二标志位进行读取；

20、若所述第二标志位处于第三状态，对所述相邻存储行进行刷新处理；

21、若所述第二标志位处于第四状态，对所述相邻存储行不进行刷新处理；以及执行下述步骤之一：结束所述锤击刷新指令的执行，或者，确定新的所述相邻存储行并返回执行对所述相邻存储行所属的存储组的第二标志位进行读取的步骤。

22、在一些实施例中，所述方法还包括：

23、在接收到内存分配指令后，将所述内存分配指令对应的存储组的第二标志位调整为第三状态；在接收到内存释放指令后，将所述内存释放指令对应的存储组的第二标志位调整为第四状态；或者，在对所述存储组进行刷新处理后，将所述存储组的所述第二标志位调整为所述第四状态；其中，所述内存分配指令是字线激活指令或者利用内存控制器中的第一预留码构造得到的；所述内存释放指令是利用内存控制器中的第二预留码构造得到的。

24、第三方面，本公开实施例提供了一种刷新方法，应用于包括多个存储行和多个第一标志位的半导体存储器，一个所述第一标志位用于指示一个所述存储行是否为行锤击事件的锤击行，所述方法包括：

25、在接收到锤击刷新指令后，对多个所述存储行的第一标志位进行读取，得到读取结果；

26、根据读取结果，在多个所述存储行中确定候选存储行；

27、根据所述候选存储行，确定待刷新存储行，并对所述待刷新存储行进行刷新处理。

28、在一些实施例中，所述根据读取结果，在多个所述存储行中确定候选存储行，包括：将第一标志位处于第一状态的存储行确定为锤击存储行；将所述锤击存储行直接确定为所述候选存储行；

29、相应地，所述根据所述候选存储行，确定待刷新存储行，包括：对所述候选存储行进行随机选择，将选择到的存储行的相邻存储行确定为所述待刷新存储行。

30、在一些实施例中，所述根据读取结果，在多个所述存储行中确定候选存储行，包括：将第一标志位处于第一状态的存储行确定为锤击存储行；将所述锤击存储行的相邻存储行确定为所述候选存储行；

31、相应地，所述根据所述候选存储行，确定待刷新存储行，包括：在所述候选存储行中进行随机选择，得到所述待刷新存储行。

32、在一些实施例中，所述半导体存储器还包括第二标志位，多个所述存储行被分为若干个存储组，且一个所述第二标志位至少用于指示一个所述存储组中至少一个存储单元是否处于特定状态，所述特定状态包括被占用；在确定所述待刷新存储行之后，包括：

33、对所述待刷新存储行所属的存储组的第二标志位进行读取；若所述第二标志位处于第三状态，则执行所述对所述待刷新存储行进行刷新处理的步骤；若所述第二标志位处于第四状态，则对所述待刷新存储行不进行刷新处理；以及执行下述步骤之一：结束所述锤击刷新指令的执行，或者，确定新的所述待刷新存储行并返回执行所述对所述待刷新存储行所属的存储组的第二标志位进行读取，确定待刷新存储行的步骤。

34、在一些实施例中，所述半导体存储器还包括第二标志位，多个所述存储行被分为若干个存储组，且一个所述第二标志位至少用于指示一个所述存储组中至少一个存储单元是否处于特定状态，所述特定状态包括被占用；

35、所述根据所述候选存储行，确定待刷新存储行，包括：

36、对所述候选存储行所属的存储组的第二标志位进行读取；在所述第二标志位处于第三状态的情况下，将所述候选存储行确定为二次候选存储行；在所述二次候选存储行中进行随机选择，得到所述待刷新存储行。

37、第四方面，本公开实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括如第一方面所述的半导体存储器。

38、本公开实施例提供了一种半导体存储器、刷新方法和电子设备，该半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域，主存储区域中设置多个存储行，标记存储区域中设置多个第一标志位；其中，每一存储行与一个第一标志位具有对应关系，且第一标志位用于指示存储行是否为行锤击事件的锤击行。这样，由于半导体存储器中新增了标记存储区域，通过第一标志位可以标记行锤击事件的锤击行，明确行锤击的攻击对象，能够提高行锤击事件的处置效果且节省功耗。