半导体存储装置及存储器系统的制作方法
- 国知局
- 2024-07-31 19:13:40
本发明的实施方式涉及半导体存储装置以及存储器系统。
背景技术:
1、近年来,作为半导体存储装置,nand型存储器正在普及。
2、在这样的半导体存储装置中,具有抑制峰值电流的要求。
技术实现思路
1、本实施方式提供能够抑制峰值电流的半导体存储装置以及存储器系统。
2、实施方式的半导体存储装置具备:第一焊盘;时钟生成电路,生成第一时钟;输出电路,从所述第一焊盘输出所述第一时钟;指定电路,将基于所述第一时钟而生成的多个时隙中的一个指定为特定时隙;以及峰值控制电路,在被指示了动作时,使产生电流峰值的部分动作的执行在与所述特定时隙对应的定时执行。
技术特征:1.一种半导体存储装置,具备:
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,
6.根据权利要求3所述的半导体存储装置,
7.根据权利要求5所述的半导体存储装置,
8.根据权利要求5所述的半导体存储装置,
9.根据权利要求5所述的半导体存储装置,
10.一种存储器系统,包括:
11.根据权利要求10所述的存储器系统,
12.根据权利要求11所述的存储器系统,
技术总结本发明提供一种能够抑制峰值电流的半导体存储装置以及存储器系统。实施方式的半导体存储装置具备:第一焊盘;时钟生成电路,生成第一时钟;输出电路,从所述第一焊盘输出所述第一时钟;指定电路,将基于所述第一时钟而生成的多个时隙中的一个指定为特定时隙;以及峰值控制电路,在被指示了动作时,使产生电流峰值的部分动作在与所述特定时隙对应的定时执行。技术研发人员:阿部光弘,平岛康伯,本间充祥受保护的技术使用者:铠侠股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/1/15本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240731/181936.html
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