在字线钩接区中具有金属线的不同使用的非易失性存储器的制作方法

背景技术：

1、本公开涉及非易失性存储装置。

2、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的一个示例为闪存存储器(例如，nand型闪存存储器和nor型闪存存储器)。

3、将数据编程到非易失性存储器中通常包括将程序电压作为幅值随时间增加的一系列电压脉冲施加到所选择的存储器单元的控制栅极。在一种可能的方法中，脉冲的幅值随每个连续脉冲而增大预确定的步长(例如，0.2伏至0.6伏)。在程序脉冲之间的周期中，执行验证操作。也就是说，在连续编程脉冲之间读取被并行编程的一组存储器单元中的每个存储器单元的编程电平，以确定其是否等于或大于相应存储器单元被编程到的验证电平。

4、对于一些架构，可同时编程或读取数千个存储器单元。例如，在nand架构的情况下，数千个存储器单元的控制栅极可通过通常称为字线的方式连接在一起。因此，通过向字线施加程序电压，可同时对数千个存储器单元进行编程。同样，通过向字线施加读取电压，可同时读取数千个存储器单元。

5、非易失性存储器可具有多条字线，每条字线用作不同组的存储器单元的控制线。对于一些架构，编程和/或读取一次在一条字线上执行。通常，这被称为所选择的字线。因此，可将编程电压施加到所选择的字线，并且同时将不对存储器单元进行编程的另一个或多个电压施加到未选择的字线。

6、用于将必要电压施加到字线的一种技术是通过连接到每条字线的字线开关晶体管进行的。对于一些技术，为了接通字线开关晶体管以将程序电压传送到字线，需要将字线开关晶体管的栅极偏置到至少程序电压加上字线开关晶体管的阈值电压。程序电压可能相当大，因此所需的栅极电压甚至更大。为了适应大的栅极电压，必须将字线开关晶体管制造得比较小栅极电压所需的更大。随着非易失性存储器变得更大(具有更多字线和更多存储器单元)，需要更多的字线开关晶体管。因此，字线开关晶体管在半导体管芯上占据更多空间。

7、字线开关晶体管可定位在用于连接到字线的位置(即，字线钩接(hook up)区)正下方。然而，由于非易失性存储器变得更大，导致字线开关晶体管在半导体管芯上占据更多空间，因此没有足够的空间将所有字线开关晶体管定位在字线钩接区正下方，而不使非易失性存储器甚至更大(这是不希望的)。为了补偿，可将字线开关晶体管的子集定位在相对字线钩接区水平偏移的位置处并使用水平金属线来将字线开关晶体管的子集连接到对应字线。

8、用于控制非易失性存储器的电路通常需要信号线来在电路的部件之间传送信号、电压和/或数据。这些信号线被称为直通信号线，因为它们穿过半导体管芯的部分但不离开半导体管芯。直通信号线通常被实现为水平金属线。

9、实现非易失性存储器的半导体管芯通常对水平金属线的数量具有有限限制。因此，由于更多字线开关晶体管定位在相对字线钩接区水平偏移的位置处并使用更多水平金属线来将字线开关晶体管的子集连接到对应的字线，因此在半导体管芯上可能没有足够的空间来实现将字线开关晶体管的子集连接到对应的字线的所有需要的水平金属线和用于直通信号线的所有需要的水平金属线。

10、解决所有所需金属线的面积不足的一个解决方案是使半导体管芯更大。然而，使半导体管芯更大会增加存储器的成本，并且可能使存储器在物理上对于某些应用来说太大。

技术实现思路

技术特征：

1.一种非易失性存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括：

3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括：

4.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其中：

5.根据权利要求4所述的非易失性存储装置，其中：

6.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其中：

7.根据权利要求6所述的非易失性存储装置，其中：

8.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中：

9.根据权利要求1或8所述的非易失性存储装置，其中：

10.根据权利要求1或8所述的非易失性存储装置，其中：

11.根据权利要求1或8-10所述的非易失性存储装置，其中：

12.根据权利要求1或8-11所述的非易失性存储装置，还包括：

13.一种方法，包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中所述控制管芯还包括：

技术总结为了克服用于将字线开关晶体管连接到对应字线的水平金属线以及用于直通信号线的面积的不足，提出实现针对字线钩接区的多种架构。例如，管芯的一些区域将被设计为提供额外的水平金属线以将字线开关晶体管连接到字线，并且该管芯的其他区域将被设计为提供额外的直通信号线。技术研发人员：邵世谦,外山史晃受保护的技术使用者：桑迪士克科技有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15