用于改进读取干扰的下层级字线上的低通过电压的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及利用在存储器子系统的存储器装置中的下层级字线上的低通过电压来改进读取干扰。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处及从所述存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器阵列，其包括布置于一或多个层级中的多个存储器单元；及控制逻辑，其与所述存储器阵列可操作地耦合，以执行包括以下的操作：对所述多个存储器单元中的一或多个存储器单元启动读取操作；引起读取电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个存储器单元的选定字线；引起第一通过电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第一层级中的存储器单元的第一组未选定字线；及引起第二通过电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第二层级中的存储器单元的第二组未选定字线，其中所述第二通过电压小于所述第一通过电压。

2、根据本公开的另一方面，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器阵列，其包括布置于一或多个层级中的多个存储器单元；及控制逻辑，其与所述存储器阵列可操作地耦合，以执行包括以下的操作：对所述多个存储器单元中的一或多个存储器单元启动读取操作；引起读取电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个存储器单元的选定字线；引起第一通过电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第一层级中的存储器单元的第一组未选定字线；及引起耦合到所述一或多个层级中的第二层级中的存储器单元的第二组未选定字线在所述读取操作期间被偏压到第二通过电压，其中所述第二通过电压小于所述第一通过电压。

3、根据本公开的又一方面，提供一种方法。所述方法包括：对布置于一或多个层级中的存储器阵列中的多个存储器单元中的一或多个存储器单元启动读取操作；引起读取电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个存储器单元的选定字线；引起第一通过电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第一层级中的存储器单元的第一组未选定字线；及引起第二通过电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第二层级中的存储器单元的第二组未选定字线，其中所述第二通过电压小于所述第一通过电压。

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一组未选定字线经定位在垂直方向上比所述第二组未选定字线更远离所述存储器阵列的源极端。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中耦合到所述第一组未选定字线的所述存储器单元具有第一临界尺寸，且耦合到所述第二组未选定字线的所述存储器单元具有小于所述第一临界尺寸的第二临界尺寸。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器阵列包括多个层面，每一层面包括布置于所述一或多个层级中的所述多个存储器单元。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑进一步执行包括以下的操作：

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一组未选定字线具有第一读取干扰裕度，且所述第二组未选定字线具有第二读取干扰裕度。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑执行包括以下的另外操作：

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑执行包括以下的另外操作：

9.一种存储器装置，其包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中为了引起所述第二组未选定字线被偏压到所述第二通过电压，所述控制逻辑执行包括以下的另外操作：

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中为了引起所述第二组未选定字线处于所述第二通过电压，所述控制逻辑执行包括以下的另外操作：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述控制逻辑进一步执行包括以下的操作：

13.根据权利要求9所述的存储器装置，其中第一组未选定字线经定位在垂直方向上比所述第二组未选定字线更远离所述存储器阵列的源极端。

14.根据权利要求9所述的存储器装置，其中耦合到所述第一组未选定字线的所述存储器单元具有第一临界尺寸，且耦合到所述第二组未选定字线的所述存储器单元具有小于所述第一临界尺寸的第二临界尺寸。

15.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述第一组未选定字线具有第一读取干扰裕度，且所述第二组未选定字线具有第二读取干扰裕度。

16.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述控制逻辑执行包括以下的另外操作：

17.一种方法，其包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中第一组未选定字线经定位在垂直方向上比所述第二组未选定字线更远离所述存储器阵列的源极端。

19.根据权利要求17所述的方法，其中耦合到所述第一组未选定字线的所述存储器单元具有第一临界尺寸，且耦合到所述第二组未选定字线的所述存储器单元具有小于所述第一临界尺寸的第二临界尺寸。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一组未选定字线具有第一读取干扰裕度，且所述第二组未选定字线具有第二读取干扰裕度。

技术总结本公开涉及用于改进读取干扰的下层级字线上的低通过电压。存储器装置可包含与控制逻辑耦合的存储器阵列。所述控制逻辑对布置于一或多个层级中的多个存储器单元中的一或多个存储器单元启动读取操作。所述控制逻辑能够进一步引起读取电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个存储器单元的选定字线。所述控制逻辑能够引起第一电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第一层级中的存储器单元的第一组未选定字线。所述控制逻辑能够引起第二电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第二层级中的存储器单元的第二组未选定字线，其中所述第二电压小于所述第一电压。技术研发人员：四方刚,杨翔宇,卢景煌受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25