在导电层面中具有导电轨的三维存储器以及相关设备、系统及方法与流程

在各种实施例中，本发明大体上涉及具有包含交错的绝缘层面及导电层面的存储器装置的垂直阵列的设备(例如，装置、系统)。更特定来说，本发明涉及具有从堆叠的导电层面的导电材料延伸的导电“轨”的设备(例如，半导体存储装置(例如，3d nand存储器装置))及用于形成所述导电“轨”的方法。

背景技术：

1、存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是各种存储器类型之一且在现代计算机及装置中具有众多用途。常规的快闪存储器装置可包含具有布置成行及列的大量电荷存储装置(例如，存储器单元，例如非易失性存储器单元)的存储器阵列。在nand架构类型的快闪存储器中，布置成列的存储装置串联耦合，且所述列的第一存储装置经耦合到数据线(例如，位线)。

2、在“三维nand”(在本文中也可被称为“3d nand”)(一种类型的垂直存储器)中，存储装置不仅以行及列方式布置在水平阵列中，而且水平阵列的层面彼此堆叠(例如，作为存储装置的垂直串)以提供存储装置的“三维阵列”。垂直层面的堆叠使导电材料与绝缘(例如，电介质)材料交替。可各自提供垂直沟道区的柱延伸穿过所述堆叠。串的漏极端邻近于柱的顶部及底部中的一者，而串的源极端邻近于柱的顶部及底部中的另一者。漏极端可操作地连接到位线，而源极端可操作地连接到源极线。

3、垂直堆叠的导电材料形成导电区，其可发挥不同功能。一些导电区可操作为用于存储器装置的存取线(例如，字线)的控制栅极，而其它导电区可例如操作为用于选择栅极装置(例如，晶体管)的控制栅极(其在本文中可被另称为“选择栅极”)、“虚设”控制栅极(例如，“虚设”存取线)、栅致漏极泄漏(gidl)产生器或其它功能。

4、促成包含3d nand结构的电气设备(例如，装置、系统)的操作特性的一个因素是由垂直堆叠的导电区的导电材料所展现的电阻。设计及制造具有展现足够低电阻的导电区的用于电气设备的3d nand结构仍具挑战性。

技术实现思路

1、揭示一种电子设备，其包括导电层面的堆叠，所述导电层面与所述堆叠的绝缘层面交错。柱延伸穿过所述堆叠。所述柱中的每一者包括沟道区。所述堆叠的所述导电层面中的至少一个导电层面具有大于所述堆叠的所述绝缘层面的垂直相邻绝缘层面的宽度的宽度。

2、还揭示一种存储器装置。所述存储器装置包括交替的绝缘层面及导电层面的堆叠。柱延伸穿过所述堆叠。所述柱中的每一者包括沟道区。所述导电层面中的至少一个导电层面包括在所述柱中的柱近端的区。所述区包括导电材料。所述导电层面中的所述至少一个导电层面还包括包含所述导电材料的轨。所述轨从在所述柱近端的所述区，远离所述柱延伸且超过所述绝缘层面中的相邻绝缘层面的外侧壁。

3、此外，揭示一种形成电子装置的方法。所述方法包括形成包括延伸穿过堆叠的柱的结构。所述堆叠包括与导电材料交错的绝缘材料。所述柱被分组为由延伸穿过所述堆叠的开口界定的块。移除暴露在所述开口中的所述导电材料的部分以使所述导电材料相对于所述绝缘材料侧向地凹陷。在所述开口中生长额外量的所述导电材料。所述额外量的所述导电材料从所述导电材料突出到所述开口中，侧向地超过所述绝缘材料的外侧壁。

4、又进一步，揭示一种存储器装置。所述存储器装置包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括延伸穿过与导电层面交错的绝缘层面的堆叠的柱的块。所述块中的至少一者包括具有大于所述绝缘层面中的至少一者的宽度的宽度的所述导电层面中的至少一者。

技术特征：

1.一种形成电子装置的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成包括延伸穿过所述材料堆叠的所述柱的所述结构包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述开口中生长所述额外量的所述导电材料包括生长所述额外量的所述导电材料以与所述绝缘材料的所述外侧壁至少部分地重叠。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在生长所述额外量的所述导电材料之前，至少在所述绝缘材料的所述外侧壁上形成抑制剂。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在生长所述额外量的所述导电材料之前，在暴露在所述开口中的所述导电材料的表面上形成成形促进剂。

6.一种电子设备，其包括：

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述层组分别由所述导电层面中的一者和所述绝缘层面中的一者组成。

8.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述沟道区具有中空结构，所述柱分别进一步包括位于所述中空结构内部的至少一种其它填充材料。

9.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述导电轨是导电材料的t型轨，所述导电材料的所述t型轨界定所述至少一些垂直相邻的导电层面中的各个层面的外侧壁。

10.根据权利要求6所述的电子设备，其中，针对所述至少一些垂直相邻的导电层面，所述导电层面沿着所述内部导电区的宽度分别具有平坦的上表面和平坦的下表面。

11.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述导电轨的上表面和下表面分别与所述导电轨从其所述一端延伸的所述内部导电区的所述平坦上表面和所述平坦下表面至少部分地共面。

12.一种存储器装置，其包括：

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述内部区直接垂直地位于所述堆叠的所述绝缘层面的所述垂直相邻的绝缘层面之间。

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述内部区的所述至少一种导电材料包括设置在另一种导电材料上的导电材料。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述导电轨和所述内部区的所述导电材料具有基本上相同的组合物。

16.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述导电轨部分地沿着所述垂直相邻的绝缘层面的所述侧壁延伸。

17.根据权利要求12所述的存储器装置，其进一步包括在所述垂直相邻的绝缘层面的所述侧壁上的聚合物。

18.根据权利要求12所述的存储器装置，其进一步包括位于所述内部区的所述端部和从所述端部延伸的所述导电轨之间的硼b。

19.根据权利要求12所述的存储器装置，其进一步包括位于所述内部区的所述端部和从所述端部延伸的所述导电轨之间的硅si。

20.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述导电轨中的每一者的上表面的至少一部分与所述导电轨从其延伸的所述内部区的上表面共面。

技术总结本申请案涉及在导电层面中具有导电轨的三维存储器以及相关设备、系统及方法。电子装置(例如，半导体装置，其可经配置用于3D NAND装置)包括延伸穿过交替的导电层面及绝缘层面的堆叠的柱。可包含用于存取线(例如，字线)的控制栅极的所述导电层面包含沿着所述导电层面的外侧壁的导电轨，所述导电轨在延伸穿过所述导电层面的所述柱远端。所述导电轨侧向地突出超过所述绝缘层面的外侧壁。与可以其它方式位于所述导电层面中的导电材料相比，所述导电轨增加了导电材料量，这可使所述导电材料能够展现更低电阻，从而改善所述电子装置的操作性能。技术研发人员：J·D·霍普金斯,R·J·克莱因,J·D·格林利受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18