霍尔元件、霍尔芯片和电子设备的制作方法

本技术涉及电子，具体地涉及一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备。

背景技术：

1、霍尔传感器主要由霍尔元件和调理电路芯片共同组成，其中霍尔元件是基于霍尔效应原理，即当在通电半导体材料上施加一个磁场后，由于磁场对半导体中电子和空穴施加的洛伦兹力不同，会在通电半导体材料的另外两极产生一个电压，即为霍尔电压，由于该电动势与输入电流、施加的磁场大小成正比，因此通过测量该电动势即可测量出输入的电流或施加的磁场。

2、现有的霍尔元件通常在灵敏度方面进行改进，例如通过外加磁性层，增强欧姆接触等更改结构和工艺的方法实现灵敏度增强。但是现有的霍尔元件不能实现提高带宽。

技术实现思路

1、本实用新型实施例的目的是提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，用以解决现有的霍尔元件不能实现提高带宽的缺陷。

2、为了实现上述目的，本实用新型实施例提供一种霍尔元件，包括：

3、基底；

4、一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；

5、一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；

6、多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。

7、可选的，所述一对激励电极中每个激励电极包括彼此分离设置的第一子激励电极和第二子激励电极；所述一对接地电极中每个接地电极包括彼此分离设置的第一子接地电极和第二子接地电极。

8、可选的，每个输出电极包括在相邻的所述激励电极和所述接地电极之间，彼此分离设置的第一子输出电极和第二子输出电极。

9、可选的，所述一对激励电极中每个激励电极包括彼此分离设置的第一子激励电极和第二子激励电极；所述一对接地电极中每个接地电极包括彼此分离设置的第一子接地电极和第二子接地电极；每个输出电极包括在相邻的所述激励电极和所述接地电极之间，彼此分离设置的第一子输出电极和第二子输出电极。

10、可选的，第一方向与第二方向之间呈直角设置。

11、可选的，所述基底选用正八边形、十字形、矩形以及正方形中的任意一种形状。

12、可选的，所述基底的材料选用三五族化合物。

13、可选的，所述基底的材料选用硅基底、砷化镓基底以及硼基底中的任意一种。

14、本实用新型实施例还提出一种霍尔芯片，包括：

15、上述的霍尔元件；

16、放大电路，与所述霍尔元件电连接，用于将所述霍尔元件的输出信号进行放大；

17、转换电路，与所述放大电路电连接，用于将放大后的所述输出信号转换成电压或电流输出。

18、本实用新型实施例还提出一种电子设备，包括上述的霍尔芯片。

19、通过上述技术方案，本实用新型的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。

20、本实用新型实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

技术特征：

1.一种霍尔元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，每个输出电极包括在相邻的激励电极和接地电极之间彼此分离设置的第一子输出电极和第二子输出电极。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的霍尔元件，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向之间呈直角设置。

4.根据权利要求3所述的霍尔元件，其特征在于，所述基底选用正八边形、十字形、矩形以及正方形中的任意一种形状。

5.根据权利要求3所述的霍尔元件，其特征在于，所述基底的材料选用三五族化合物。

6.根据权利要求3所述的霍尔元件，其特征在于，所述基底的材料选用硅基底、砷化镓基底以及硼基底中的任意一种。

7.一种霍尔芯片，其特征在于，包括：

8.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求7所述的霍尔芯片。

技术总结本技术提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本技术的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。技术研发人员：李佩笑,季润可,陶毅,王蔓蓉,刘紫威,方东明,孙恒超,闻志国,李良,杜君,王祥受保护的技术使用者：北京智芯微电子科技有限公司技术研发日：20231023技术公布日：2024/7/18