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显示装置的制造方法与流程

  • 国知局
  • 2024-08-02 15:30:36

本公开涉及显示装置和显示装置的制造方法。

背景技术:

1、显示装置是显示图像的电子装置,并且近来,发射显示装置(例如,有机发光二极管显示器)正在吸引注意。

2、发射显示装置具有自发光特性,并且与液晶显示器不同,发射显示装置不使用单独的光源,并且因此可以减小厚度和重量。此外,发射显示装置表现出诸如低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。

技术实现思路

1、通常,发射显示装置包括基底、设置在基底上的多个薄膜晶体管、设置在形成薄膜晶体管的布线之间的多个绝缘层以及连接到薄膜晶体管的发光元件。

2、在这种情况下,期望形成具有薄的厚度的基底以应用于各种电子装置。

3、实施例旨在提供一种显示装置和显示装置的制造方法,以防止在基底蚀刻工艺期间当耐酸膜被去除时保护层被剥离。

4、根据实施例的显示装置的制造方法包括:在基底上形成显示面板;在所述显示面板上形成保护层;通过对所述保护层的表面执行表面处理,在所述保护层的所述表面上形成突起和凹陷;在所述保护层上附接粘合剂层和耐酸膜;蚀刻所述基底;以及去除所述粘合剂层和所述耐酸膜。

5、在实施例中,所述保护层可以包括紫外线(uv)固化树脂。

6、在实施例中,所述在所述显示面板上形成所述保护层可以包括将所述紫外线固化树脂涂覆在所述显示面板上并通过uv照射固化所述紫外线固化树脂。

7、在实施例中,所述保护层可以具有单层结构或多层结构。

8、在实施例中,所述保护层的厚度可以在大约10μm至大约150μm的范围内。

9、在实施例中,所述在所述基底上形成所述显示面板中,所述基底的厚度可以在大约30μm至大约70μm的范围内。

10、在实施例中,所述基底可以包括玻璃。

11、在实施例中,在所述通过对所述保护层的所述表面执行所述表面处理在所述保护层的所述表面上形成所述突起和所述凹陷之后,所述保护层的接触角可以小于大约10度。

12、在实施例中,所述保护层的所述接触角可以在大约3度至大约7度的范围内。

13、在实施例中,在所述通过对所述保护层的所述表面执行所述表面处理在所述保护层的所述表面上所述形成所述突起和所述凹陷之后,表面处理区域的剥离力可以在大约1克力/英寸至大约60克力/英寸的范围内。

14、在实施例中,所述表面处理可以通过等离子体处理或珠粒处理来执行。

15、在实施例中,在所述珠粒处理中使用的珠粒的直径可以在大约5μm至大约80μm的范围内。

16、在实施例中,用于所述珠粒处理的珠粒可以包括选自si、alox、橡胶和金属中的至少一种材料。

17、在实施例中,在所述珠粒处理中,珠粒喷射在所述保护层的所述表面上的角度可以在大约45度至大约135度的范围内。

18、在实施例中,在所述蚀刻所述基底之后,所述基底的厚度可以在大约10μm至大约30μm的范围内。

19、在实施例中,在通过对所述保护层的所述表面执行所述表面处理而在所述保护层的所述表面上所述形成所述突起和凹陷时,所述保护层的所述表面的整个区域可以进行表面处理。

20、在实施例中,在通过对所述保护层的所述表面执行所述表面处理而在所述保护层的所述表面上所述形成所述突起和凹陷时,所述保护层的所述表面的仅部分区域可以进行表面处理。

21、在实施例中,所述保护层被表面处理的所述部分区域可以是所述保护层的边缘区域,所述保护层的所述边缘区域包括所述保护层与所述基底直接接触的区域。

22、根据实施例的显示装置包括:基底;显示面板,设置在所述基底上;薄膜封装层,设置在所述显示面板上;以及保护层,设置在所述薄膜封装层上,其中,所述保护层的表面包括突起和凹陷,并且所述保护层的接触角为大约10度或更小。

23、在实施例中,所述基底的厚度可以在大约10μm至大约30μm的范围内。

24、根据实施例,提供了一种显示装置和显示装置的制造方法,以防止在基底蚀刻工艺期间当耐酸膜被去除时保护层被剥离。

技术特征:

1.一种显示装置的制造方法,其中,所述显示装置的制造方法包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,

3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法,其中,

4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,

5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,

6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,

7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,

8.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,

9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中,

10.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,

技术总结一种显示装置的制造方法包括:在基底上形成显示面板;在所述显示面板上形成保护层;通过对所述保护层的表面执行表面处理在所述保护层的所述表面上形成突起和凹陷;在所述保护层上附接粘合剂层和耐酸膜;蚀刻所述基底;以及去除所述粘合剂层和所述耐酸膜。技术研发人员:权晓贞,权承旭,尹熙敞受保护的技术使用者:三星显示有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/23

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