一种超宽带移相数控衰减器单元结构的制作方法

本申请涉及电子通信，尤其涉及一种超宽带移相数控衰减器单元结构。

背景技术：

1、无线通信技术的蓬勃发展加快了人类文明的进程，在利用无线通信手段进行信号探索和收集的过程中，相控阵技术的出现和发展，实现了对目标信号的精准识别和快速定位，同时为其他协同系统的工作提供了更充足的信息和更精确的信号。

2、相控阵技术通过控制阵列天线各单元幅度、相位以形成空间波束，并以实现信号波束扫描。实现相控阵系统中对收发信号进行幅度和相位的控制时，最重要的基本单元模块是t/r组件(transmitter and receiver，收/发)，这些t/r组件按照一定规则有序地排列在一起，呈现有规律的阵列形式，通过控制每个t/r组件收发信号的信号幅度和信号相位来控制阵合成波束的方向，对于设备探测的距离、精度、抗扰能力有着决定性的影响。

3、数控衰减器在收发系统中高线性度、低功耗和较高精度，被广泛应用于相控阵系统中用作幅度控制单元。但是衰减器中存在着大量寄生，特别是信号通路上的阻性元件和与通道并联的容性寄生，都会增加衰减器的附加相移，影响衰减精度。

技术实现思路

1、为至少在一定程度上克服相关技术中数控衰减器衰减精度低，附加移相高的问题，本申请提供一种超宽带移相数控衰减器单元结构。

2、本申请的方案如下：

3、一种超宽带移相数控衰减器单元结构，包括：

4、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一端口、第二端口、第一电阻、第一分电阻、第二电阻、第二分电阻、第一电感和第二电感；

5、所述第一场效应晶体管的源极连接所述第一端口，漏极连接所述第二端口，栅极连接第一数控信号；

6、所述第一电阻的第一端连接所述第一端口，第二端连接所述第一分电阻的第一端和所述第二电阻的第一端；

7、所述第一分电阻的第一端连接所述第二电阻的第一端，第二端连接所述第二端口；

8、所述第二场效应晶体管的源极连接所述第二电阻的第二端，漏极连接所述第一电感的第一端，栅极连接第二数控信号；

9、所述第二分电阻的第一端连接所述第一电感的第二端，第一端连接所述第二电感的第一端；

10、所述第二电感的第二端接地。

11、优选地，所述第一端口作为信号输入端口时，所述第二端口作为信号输出端口；

12、所述第一端口作为信号输出端口时，所述第二端口作为信号输入端口。

13、优选地，所述第一场效应晶体管为高电平，所述第二场效应晶体管为低电平时，所述超宽带移相数控衰减器单元结构的电路工作在参考状态；

14、所述第一场效应晶体管为低电平，所述第二场效应晶体管为高电平时，所述超宽带移相数控衰减器单元结构的电路工作在衰减状态。

15、优选地，所述第二电阻和第二分电阻为可调电阻；

16、所述第一电感和第二电感为可调电感。

17、本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：

18、本申请中的超宽带移相数控衰减器单元结构，包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一端口、第二端口、第一电阻、第一分电阻、第二电阻、第二分电阻、第一电感和第二电感；第一场效应晶体管的源极连接第一端口，漏极连接第二端口，栅极连接第一数控信号；第一电阻的第一端连接第一端口，第二端连接第一分电阻的第一端和第二电阻的第一端；第一分电阻的第一端连接第二电阻的第一端，第二端连接第二端口；第二场效应晶体管的源极连接第二电阻的第二端，漏极连接第一电感的第一端，栅极连接第二数控信号；第二分电阻的第一端连接第一电感的第二端，第一端连接第二电感的第一端；第二电感的第二端接地。

19、本申请中的超宽带移相数控衰减器单元结构，信号可从第一端口和第二端口输入、输出，两者可互换。以第一端口输入，第二端口输出为例。第一端口到第二端口之间有两条支路，第一条支路中接入第一场效应晶体管，第二条支路中接入第一电阻和第一分电阻。第二电阻、第二场效应晶体管、第一电感、第二分电阻和第二电感依次接入第二条支路。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管为开关工作状态时，第一电阻、第一分电阻、第二电阻、第二分电阻正常工作，对输入的射频信号进行衰减，从而达到控制增益调解的目的。

20、当第一场效应晶体管连接的第一数控信号为高电平，第二场效应晶体管连接的第二数控信号为低电平时，第一场效应晶体管导通，第二场效应晶体管截至，电路工作在参考状态。此时理想情况下第一场效应晶体管导通，输入端信号将直接通过第一场效应晶体管到达输出端。

21、当第一场效应晶体管连接的第一数控信号为低电平，第二场效应晶体管连接的第二数控信号为高电平时，第一场效应晶体管截至，第二场效应晶体管导通，电路工作在衰减状态。此时可以通过调节第二电阻和第二分电阻的阻值，以及第一电感和第二电感的电感值，来调节衰减精度，并且补偿衰减器在参考态和衰减态切换时产生的额外附加相移。

22、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

技术特征：

1.一种超宽带移相数控衰减器单元结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超宽带移相数控衰减器单元结构，其特征在于，所述第一端口作为信号输入端口时，所述第二端口作为信号输出端口；

3.根据权利要求2所述的超宽带移相数控衰减器单元结构，其特征在于，所述第一场效应晶体管为高电平，所述第二场效应晶体管为低电平时，所述超宽带移相数控衰减器单元结构的电路工作在参考状态；

4.根据权利要求3所述的超宽带移相数控衰减器单元结构，其特征在于，所述第二电阻和第二分电阻为可调电阻；

技术总结本申请涉及电子通信技术领域，尤其涉及一种超宽带移相数控衰减器单元结构，本申请中的超宽带移相数控衰减器单元结构，信号可从第一端口和第二端口输入、输出，两者可互换。以第一端口输入，第二端口输出为例。第一端口到第二端口之间有两条支路，第一条支路中接入第一场效应晶体管，第二条支路中接入第一电阻和第一分电阻。第二电阻、第二场效应晶体管、第一电感、第二分电阻和第二电感依次接入第二条支路。本申请中的超宽带移相数控衰减器单元结构可以通过调节第二电阻和第二分电阻的阻值，以及第一电感和第二电感的电感值，来调节衰减精度，并且补偿衰减器在参考态和衰减态切换时产生的额外附加相移。技术研发人员：方勇,郭齐,刘伟受保护的技术使用者：成都天成电科科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29