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一种高耐压单节锂电池充电管理电路的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-02 16:13:23

本技术涉及锂电池充电,尤其涉及一种高耐压单节锂电池充电管理电路。

背景技术:

1、目前,线性充电芯片,其高性价比的优势,获得了非常广泛的应用,广泛应用在采用锂电池供电的便携设备上,例如可穿戴设备,电子烟,蓝牙音箱等便携式产品。传统的充电芯片并不具备过压保护功能,无法在高功率或高环境温度下运行。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是针对传统的充电芯片并不具备过压保护功能,无法在高功率或高环境温度下运行的缺陷,提供一种高耐压单节锂电池充电管理电路。

2、本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案如下:

3、提供一种高耐压单节锂电池充电管理电路,包括一高耐压单节锂电池线性充电管理芯片,所述高耐压单节锂电池线性充电管理芯片包括充电电流调整端prog、充电指示灯chrg、芯片地gnd、充满指示灯stdby、电池输入端bat及输入电压端vin,所述芯片地gnd接地,所述充电电流调整端prog通过电阻prog接地,所述电池输入端bat连接一电池bat的正极,所述电池bat负极接地,所述电池输入端bat和所述电池bat之间连接电容c1,所述电容c1接地,所述输入电压端vin通过电容c2接地。

4、进一步地,所述充电指示灯chrg分别连接一led指示灯,所述led指示灯通过电阻r1连接所述输入电压端vin。

5、进一步地,所述充满指示灯stdby连接一led指示灯,所述led指示灯通过电阻r2连接所述输入电压端vin。

6、进一步地,处于充电状态时,所述充电指示灯chrg被拉到低电压。

7、进一步的,当电池bat反接或者短路时,所述充电指示灯chrg处于低阻态,所述led指示灯灭。

8、与现有技术相比较,采用本实用新型提供的高耐压单节锂电池充电管理电路,包括一高耐压单节锂电池线性充电管理芯片,所述高耐压单节锂电池线性充电管理芯片包括充电电流调整端prog、充电指示灯chrg、芯片地gnd、充满指示灯stdby、电池输入端bat及输入电压端vin,所述芯片地gnd接地,所述充电电流调整端prog通过电阻prog接地,所述电池输入端bat连接一电池bat,所述电池输入端bat和所述电池bat之间连接电容c1,所述输入电压端vin通过电容c2接地,这样,通过外部电阻prog设置,充电电流在达到最终截止电压后,当充电电流降至设定值的1/10时,自动终止充电周期,具备了过压保护功能,同时,基于内部mosfet结构,不需要外部感应电阻或隔离二极管,当结温度升高时,内部模块调节电流,以便在高功率或高环境温度下运行,具备了过压保护和漏洞保护,有效地解决了传统的充电芯片并不具备过压保护功能,无法在高功率或高环境温度下运行的缺陷。

技术特征:

1.一种高耐压单节锂电池充电管理电路,其特征在于,包括一高耐压单节锂电池线性充电管理芯片,所述高耐压单节锂电池线性充电管理芯片包括充电电流调整端prog、充电指示灯chrg、芯片地gnd、充满指示灯stdby、电池输入端bat及输入电压端vin,所述芯片地gnd接地,所述充电电流调整端prog通过电阻prog接地,所述电池输入端bat连接一电池bat的正极,所述电池bat负极接地,所述电池输入端bat和所述电池bat之间连接电容c1,所述电容c1接地,所述输入电压端vin通过电容c2接地。

2.如权利要求1所述的一种高耐压单节锂电池充电管理电路,其特征在于,所述充电指示灯chrg分别连接一led指示灯,所述led指示灯通过电阻r1连接所述输入电压端vin。

3.如权利要求1所述的一种高耐压单节锂电池充电管理电路,其特征在于,所述充满指示灯stdby连接一led指示灯,所述led指示灯通过电阻r2连接所述输入电压端vin。

4.如权利要求1所述的一种高耐压单节锂电池充电管理电路,其特征在于,处于充电状态时,所述充电指示灯chrg被拉到低电压。

5.如权利要求2所述的一种高耐压单节锂电池充电管理电路,其特征在于,当电池bat反接或者短路时,所述充电指示灯chrg处于低阻态,所述led指示灯灭。

技术总结一种单节锂电池充电管理电路,其单节锂电池充电管理芯片包括外部温度感应引脚TS、充电电流调整端PROG、芯片地GND、电源输入端VDD、电池输入端BAT、充满指示灯STDBY、充电指示灯CHRG及充电功能使能端CE,芯片地GND接地,充电电流调整端PROG通过电阻R1接地,外部温度感应引脚TS连接电阻R2和热敏电阻NTC,外部温度感应引脚TS并通过热敏电阻NTC接地,电源输入端VDD通过电阻R3和电容C1接地,电阻R2连接在电阻R2和电源输入端VDD之间,电池输入端BAT连接电池BAT,电池输入端BAT和电池BAT之间连接电容C2,充电功能使能端CE不工作时悬空,本实施例具备漏洞保护功能。技术研发人员:石艳受保护的技术使用者:贵州中芯微电子科技有限公司技术研发日:20231108技术公布日:2024/7/23

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