阻气性层叠体、包装体以及包装物品的制作方法

本发明涉及阻气性层叠体、包装体以及包装物品。

背景技术：

1、对于在食品、医药品、化妆品、农药以及工业产品等的包装中使用的包装材料，要求防止内容物的变质。例如，对于食品包装材料，要求能够抑制蛋白质、油脂等的氧化或变质，进而能够保持风味和新鲜度的防变质功能。这种内容物的变质是由透过包装材料的氧、水蒸气、或与内容物反应的其他气体引起的。因此，开发出赋予了不使氧和水蒸气等气体透过的性质(阻气性)的包装材料。

2、例如，在专利文献1至3中公开了一种层叠体，该层叠体具备含有羧酸系聚合物和多价金属化合物的被覆层，通过利用多价金属离子使羧酸系聚合物中所含的-coo-基的至少一部分交联，从而赋予阻气性。这样的阻气性层叠体即使在高湿度气氛下阻气性也优异，因此也可以用于进行煮沸或蒸煮等湿热处理的包装用途。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利第5278802号公报

6、专利文献2：日本特开2016-193509号公报

7、专利文献3：国际公开第2016-158444号公报

技术实现思路

1、在将食品等内容物填充到包装体中并实施蒸煮处理和煮沸处理等湿热处理的情况下，从内容物产生的物质有时会渗透到包装材料中，从而对阻气性产生不良影响。举一个例子，在填充到包装体中的内容物含有硫的情况下，因湿热处理而从内容物产生硫成分。该硫渗透到包装材料，从而存在(特别是)使氧阻隔性降低的问题。

2、本发明的目的在于提供在蒸煮处理和煮沸处理等湿热处理后能够维持高的氧阻隔性，进而即使在内容物含有硫的情况下，也能够抑制由湿热处理产生的硫的渗透引起的氧阻隔性的降低的阻气性层叠体、包含该阻气性层叠体的包装体以及包装物品。

3、可以看出，上述氧阻隔性降低的问题的主要原因在于：在蒸煮处理等湿热处理时从内容物产生的硫和与含羧基聚合物键合的多价金属化合物的多价金属离子反应并键合，从而使交联结构崩溃。本发明的实施方式阻止因湿热处理而从内容物产生的硫和与含羧基聚合物键合的多价金属化合物的多价金属离子键合，抑制交联结构被硫破坏，从而维持高的氧阻隔性。

4、即，根据本发明的第1方面，提供一种阻气性层叠体，依次具备基材、包含无机氧化物的无机蒸镀层、以及被覆层，上述被覆层由单层或多层构成，其中，上述被覆层含有含羧基聚合物和至少1种含多价金属的粒子，上述含多价金属的粒子中所含的金属元素的荧光x射线强度的合计值为3.0kcps以上8.0kcps以下，并且对于使用了0.3质量％的l-半胱氨酸水溶液进行130℃、30分钟的热水处理后的上述阻气性层叠体，使用紫外可见分光光度计测定的波长350nm的吸光度x1减去波长500nm的吸光度x2而得的吸光度x满足下式(1)。

5、x＝x1-x2≥0.02(abs) (1)

6、根据本发明的第2方面，提供了一种包装体，其包含第1方面涉及的层叠体。

7、根据本发明的第3方面，提供了一种包装物品，其包含第2方面涉及的包装体和容纳于该包装体中的内容物。

8、发明的效果

9、根据本发明，可以提供在蒸煮处理和煮沸处理等湿热处理后能够维持高的氧阻隔性，进而即使在内容物含有硫的情况下，也能够抑制由湿热处理产生的硫的渗透引起的氧阻隔性的降低的阻气性层叠体、包含该阻气性层叠体的包装体以及包装物品。

技术特征：

1.一种阻气性层叠体，依次具备基材、包含无机氧化物的无机蒸镀层、以及被覆层，所述被覆层由单层或多层构成，其中，

2.根据权利要求1所述的阻气性层叠体，其中，

3.根据权利要求1所述的阻气性层叠体，其中，

4.根据权利要求3所述的阻气性层叠体，其中，

5.根据权利要求1至4中任1项所述的阻气性层叠体，其中，

6.根据权利要求1至5中任1项所述的阻气性层叠体，其中，

7.根据权利要求1至6中任1项所述的阻气性层叠体，其中，

8.根据权利要求1至7中任1项所述的阻气性层叠体，其中，

9.一种包装体，其包含权利要求1至8中任1项所述的阻气性层叠体。

10.一种包装物品，其包含权利要求9所述的包装体和容纳于所述包装体中的内容物。

技术总结提供一种阻气性层叠体，其在湿热处理后能够维持高的氧阻隔性，进而即使在内容物含有硫的情况下，也能够抑制由湿热处理产生的硫的渗透引起的氧阻隔性的降低。阻气性层叠体(10)依次具备基材(1)、包含无机氧化物的无机蒸镀层(2)、以及被覆层(3)，上述被覆层(3)由单层或多层构成。上述被覆层(3)含有含羧基聚合物和至少1种含多价金属的粒子，上述含多价金属的粒子中所含的金属元素的荧光X射线强度的合计值为3.0kcps以上8.0kcps以下，并且对于使用了0.3质量％的L‑半胱氨酸水溶液进行130℃、30分钟的热水处理后的上述阻气性层叠体(10)，使用紫外可见分光光度计测定的波长350nm的吸光度X<subgt;1</subgt;减去波长500nm的吸光度X<subgt;2</subgt;而得的吸光度X满足式：X＝X<subgt;1</subgt;‑X<subgt;2</subgt;≥0.02(abs)。技术研发人员：星沙耶佳受保护的技术使用者：凸版控股株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/2