一种可以发声的手机屏幕扬声器的制作方法

本发明涉及发声膜，具体为一种可以发声的手机屏幕扬声器。

背景技术：

1、手机屏幕扬声器分为两种，第一种是动圈式扬声器，动圈单元由于其较大的振膜面积，能够带来相对更好的低频表现，适合饱满、磅礴的声音，第二种是动铁式扬声器，动铁扬声器是一种利用电磁原理发声的扬声器，优点包括灵敏度高、音质清晰、耐用度高以及体积相对较小。

2、同样由于动圈单元的振膜面积较大，因此在发声的过程中就需要较多的空间和空气参与振动，从而导致无法有效的控制漏音现象；在性能上，动圈单元解析度、层次感和声音密度等方面也有所不足，导致高频部分衰减十分明显，制造工艺复杂，材料成本高，因此动铁扬声器的价格通常较高。由于结构特点，容易产生失真，特别是当声音较大时，容易出现破音或颤音。内部的磁铁和线圈在高温下容易发生退磁和变形，因此动铁扬声器的耐高温性能相对较差，为此我们提出了一种可以发声的手机屏幕扬声器。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种可以发声的手机屏幕扬声器，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种可以发声的手机屏幕扬声器，包括发声膜、粘接层和离型膜，所述粘接层粘接在所述发声膜的顶部，所述离型膜粘接在所述粘接层的顶部，所述发声膜包括偏氟乙烯层、导电层和三氟乙烯层，所述导电层粘接在所述偏氟乙烯层的顶部，所述三氟乙烯层粘接在所述导电层的顶部。

3、优选的，所述偏氟乙烯层采用偏氟乙烯单体材料制成，所述三氟乙烯层采用三氟乙烯单体材料制成。

4、优选的，所述导电层采用pedot:pss材料制成。

5、优选的，所述偏氟乙烯层和所述三氟乙烯层的厚度比例为1:1。

6、优选的，所述偏氟乙烯层、所述导电层和所述三氟乙烯层的总厚度小于0.1mm。

7、与现有技术相比，本发明的有益效果是：该可以发声的手机屏幕扬声器，发声膜通过偏氟乙烯层与三氟乙烯层聚合得到的高聚物，并且其中设有导电层，单体单元在链中随机分布制成的发声膜可以直接发声，单一材料即可实现功能，大大降低成本，微米及的振动即可发声、而且表面均匀发声，从而解决了大面积空气振动带来的漏音现象，发声膜具有非常宽的频宽特性，完美解决了高频部分衰减问题，发声膜工作原理是压电发声原理，具有瞬时发声，电声转化迅速优良特点，发声膜材料可以做到全透明，将离型膜揭除通过粘接层可以直接覆盖在屏幕表面或玻璃表面装配简单，薄膜具有耐磨耐机械冲击，可以大大降低生产和加工成本，由于其相对较大的压电性、化学稳定性、柔韧性佳、易于加工等特点，已被广泛应用生产加工工艺已经非常成熟非常容易制备而且价格低廉，以其易弯曲、柔韧性好、易加工等优点，在应用中很容易将它安装到任意物体表面，由于膜的厚度可以做到小于0.1mm这样不影响任何外观，使得产品在应用中可以做到非常简单安装方式。

技术特征：

1.一种可以发声的手机屏幕扬声器，其特征在于：包括发声膜(100)、粘接层(200)和离型膜(300)，所述粘接层(200)粘接在所述发声膜(100)的顶部，所述离型膜(300)粘接在所述粘接层(200)的顶部，所述发声膜(100)包括偏氟乙烯层(110)、导电层(120)和三氟乙烯层(130)，所述导电层(120)粘接在所述偏氟乙烯层(110)的顶部，所述三氟乙烯层(130)粘接在所述导电层(120)的顶部。

2.根据权利要求1所述的一种可以发声的手机屏幕扬声器，其特征在于：所述偏氟乙烯层(110)采用偏氟乙烯单体材料制成，所述三氟乙烯层(130)采用三氟乙烯单体材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种可以发声的手机屏幕扬声器，其特征在于：所述导电层(120)采用pedot:pss材料制成。

4.根据权利要求1所述的一种可以发声的手机屏幕扬声器，其特征在于：所述偏氟乙烯层(110)和所述三氟乙烯层(130)的厚度比例为1:1。

5.根据权利要求1所述的一种可以发声的手机屏幕扬声器，其特征在于：所述偏氟乙烯层(110)、所述导电层(120)和所述三氟乙烯层(130)的总厚度小于0.1mm。

技术总结本发明公开了发声膜技术领域的一种可以发声的手机屏幕扬声器，包括发声膜、粘接层和离型膜，所述粘接层粘接在所述发声膜的顶部，所述离型膜粘接在所述粘接层的顶部，所述发声膜包括偏氟乙烯层、导电层和三氟乙烯层，所述导电层粘接在所述偏氟乙烯层的顶部，所述三氟乙烯层粘接在所述导电层的顶部，该可以发声的手机屏幕扬声器，由于其相对较大的压电性、化学稳定性、柔韧性佳、易于加工等特点，已被广泛应用生产加工工艺已经非常成熟非常容易制备而且价格低廉，以其易弯曲、柔韧性好、易加工等优点，在应用中很容易将它安装到任意物体表面，由于膜的厚度可以做到小于0.1mm这样不影响任何外观，使得产品在应用中可以做到非常简单安装方式。技术研发人员：何源富受保护的技术使用者：深圳市沃莱特电子有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1