MRAM - 技术新讯

存储位元以及MRAM的制作方法

本申请涉及信息存储领域，具体而言，涉及一种存储位元以及mram。背景技术：1、基于自旋转移矩的磁性随机存储器(spin transfer torque-basedmagnetoresistive ra......

2024-07-31 17

本发明涉及计算机芯片安全，特别是涉及一种基于mram的puf生成方法以及一种puf。背景技术：1、物理不可克隆函数(physically unclonable functions，puf)是一种应用在......

2024-07-31 64

本发明涉及半导体制造，具体而言，涉及一种mram读取电路。背景技术：1、磁性随机存储器件存储单元为磁性隧道结，隧道结通常由铁磁层、绝缘隧穿层以及固定层三层基本单元组成。当铁磁层和固定层的磁矩方向相反时......

2024-07-31 10

相关申请本申请要求2018年12月6日提交的美国非临时申请序列号16/212,257、16/212,342和16/212,420的优先权，前述申请的全部内容以引用方式并入本文。本公开总体上涉及磁存储设......

2024-07-27 28